专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]显示装置-CN202280019096.9在审
  • 李炫旭;韦德和·巴塞尔;权明锡;闵智贤;赵晟元;洪晶银 - 三星显示有限公司
  • 2022-02-28 - 2023-10-27 - H01L27/12
  • 提供了一种显示装置。所述显示装置包括:对准电极,彼此间隔开;第一发光二极管和第二发光二极管,设置在对准电极之间;第一像素电极,电连接到第一发光二极管的第一端部;第二像素电极,电连接到第一发光二极管的第二端部;第三像素电极,电连接到第二像素电极和第二发光二极管的第一端部;第四像素电极,电连接到第二发光二极管的第二端部;以及绝缘层,设置在第一像素电极与第二像素电极之间,其中,绝缘层包括:开口部,使第一发光二极管的第二端部和第二发光二极管的第二端部暴露。
  • 显示装置
  • [发明专利]显示装置-CN202280013450.7在审
  • 李炫旭;宋明勳;李宗璨;赵晟元 - 三星显示有限公司
  • 2022-01-27 - 2023-09-22 - H01L27/15
  • 一种显示装置包括:第一电极和第二电极,彼此平行地定位在基底上,并且在一个方向上延伸;第一绝缘层,定位在第一电极和第二电极上;多个发光器件,定位在第一绝缘层上,具有定位在第一电极上的第一端,并且具有定位在第二电极上的第二端;氧化物半导体层,包括定位在第一绝缘层和多个发光器件上并与发光器件的第一端接触的第一导体部分,包括与发光器件的第二端接触的第二导体部分,并且包括定位在第一导体部分与第二导体部分之间的半导体部分;以及第二绝缘层,定位在氧化物半导体层上。
  • 显示装置
  • [发明专利]显示设备-CN202280010394.1在审
  • 李炫旭;巴斯拉·韦德海斯;李宗璨;赵晟元;洪晶银 - 三星显示有限公司
  • 2022-05-09 - 2023-09-22 - H01L27/12
  • 提供了显示设备。显示设备包括:导电层,包括设置在第一衬底上的导电图案和电压线;通孔层,设置在导电层上并且包括暴露导电层的一部分的接触孔;第一电极和第二电极,在通孔层上彼此间隔开;第一绝缘层,设置在第一电极和第二电极上并且包括暴露接触孔的开口;发光元件,在第一绝缘层上设置在第一电极和第二电极上;以及第一连接电极和第二连接电极,第一连接电极设置在第一电极上并且与发光元件接触,第二连接电极设置在第二电极上并且与发光元件接触,其中,第一连接电极通过暴露第一接触孔的第一开口与导电图案直接接触,并且第二连接电极通过暴露第二接触孔的第二开口与电压线直接接触。
  • 显示设备
  • [发明专利]显示装置-CN202180062395.6在审
  • 李炫旭;康起宁;巴斯拉·韦德海斯;赵晟元;洪晶银 - 三星显示有限公司
  • 2021-09-10 - 2023-05-12 - H01L23/13
  • 提供了一种显示装置。所述显示装置包括:发光区域和子区域,子区域在第一方向上与发光区域间隔开;电极,在第一方向上延伸以设置在发光区域和子区域之上,并且在第二方向上彼此间隔开;第一堤,设置为围绕发光区域和子区域;以及发光元件,在发光区域中设置在沿第二方向彼此间隔开的电极上,其中,第一堤具有在其上表面中凹陷的部分,并且包括设置在发光区域与子区域之间的沟槽部。
  • 显示装置
  • [发明专利]显示装置-CN202180061615.3在审
  • 李炫旭;朴鲁卿;康起宁;赵晟元 - 三星显示有限公司
  • 2021-09-06 - 2023-05-09 - H01L25/075
  • 根据实施方式的显示装置包括:基础层;第一像素电极,在第一方向上设置在基础层上,并且第一驱动电压施加到第一像素电极;第二像素电极,在第一方向上设置在基础层上,并且第二驱动电压施加到第二像素电极;第一发光元件和第二发光元件,电连接到第一像素电极和第二像素电极;连接电极,将第一像素电极电连接到第一发光元件,并且将第二发光元件电连接到第二像素电极;以及堤,与第一像素电极和第二像素电极中的每个的至少一部分重叠,并且设置成围绕其中设置第一发光元件和第二发光元件的发光区域,其中连接电极的部分定位成与堤重叠。
  • 显示装置
  • [实用新型]存储器装置和包括存储器装置的存储系统-CN202121328315.0有效
  • 金俊亨;权永振;金政垠;朴昞坤;赵晟元 - 三星电子株式会社
  • 2021-06-15 - 2022-01-18 - H01L27/1157
  • 提供了存储器装置和包括存储器装置的存储系统。所述存储器装置包括:下结构;堆叠结构,位于下结构上,堆叠结构包括沿竖直方向交替地堆叠的水平层和层间绝缘层,并且水平层中的每个包括栅电极;垂直结构,沿竖直方向穿透堆叠结构,垂直结构具有核心区、位于核心区上的具有垫金属图案的垫图案、介电结构以及位于介电结构与核心区之间的沟道层,介电结构包括面对核心区的侧表面的第一部分、面对垫金属图案的侧表面的至少一部分的第二部分以及数据存储层;接触结构,位于垂直结构上;以及导电线,位于接触结构上。因此,可以改善存储器装置的生产率、可靠性和电特性。
  • 存储器装置包括存储系统
  • [发明专利]存储器装置和包括存储器装置的存储系统-CN202110654337.4在审
  • 金俊亨;权永振;金政垠;朴昞坤;赵晟元 - 三星电子株式会社
  • 2021-06-11 - 2021-12-17 - H01L27/1157
  • 提供了存储器装置和包括存储器装置的存储系统。所述存储器装置包括:下结构;堆叠结构,位于下结构上,堆叠结构包括沿竖直方向交替地堆叠的水平层和层间绝缘层,并且水平层中的每个包括栅电极;垂直结构,沿竖直方向穿透堆叠结构,垂直结构具有核心区、位于核心区上的具有垫金属图案的垫图案、介电结构以及位于介电结构与核心区之间的沟道层,介电结构包括面对核心区的侧表面的第一部分、面对垫金属图案的侧表面的至少一部分的第二部分以及数据存储层;接触结构,位于垂直结构上;以及导电线,位于接触结构上。
  • 存储器装置包括存储系统
  • [发明专利]半导体存储器件及其制造方法-CN202110198791.3在审
  • 金嘉银;孙仑焕;朴珠希;赵晟元 - 三星电子株式会社
  • 2021-02-22 - 2021-09-14 - H01L27/11568
  • 一种半导体存储器件和用于制造半导体存储器件的方法,所述器件包括:位于衬底上的外围逻辑结构;位于所述外围逻辑结构上的水平导电衬底;包括沿垂直方向堆叠的多个电极焊盘的堆叠结构;连接到所述水平导电衬底的板接触插塞;以及连接到所述下连接布线主体的第一穿透电极,其中,所述板接触插塞的上表面和所述第一穿透电极的上表面位于同一平面上,所述板接触插塞包括彼此直接连接的上部和下部,所述第一穿透电极包括彼此直接连接的上部和下部,远离所述板接触插塞的所述上表面和所述第一穿透电极的所述上表面移动,所述上部的宽度增大并且所述下部的宽度减小。
  • 半导体存储器件及其制造方法
  • [发明专利]垂直半导体器件-CN202010776340.9在审
  • 玄昇;高东旭;朴珠希;宋柱鹤;安钟善;赵晟元 - 三星电子株式会社
  • 2020-08-05 - 2021-02-09 - H01L27/11578
  • 一种垂直半导体器件可以包括衬底、堆叠结构、绝缘中间层、缓冲图案和第一接触插塞。堆叠结构可以包括在衬底上一个堆叠在另一个上的绝缘图案和导电图案。导电图案可以在平行于衬底的上表面的第一方向上延伸,并且导电图案的边缘可以具有阶梯形状。导电图案可以包括由导电图案的暴露的上表面限定的焊盘图案。绝缘中间层可以覆盖堆叠结构。缓冲图案可以在绝缘中间层上。第一接触插塞可以穿过缓冲图案和绝缘中间层。第一接触插塞可以接触焊盘图案中的一个。缓冲图案可以减少由形成第一接触插塞引起的缺陷。
  • 垂直半导体器件
  • [发明专利]水溶性防锈涂料组合物-CN201080040196.7有效
  • 赵晟元;金载成 - 株式会社KCC
  • 2010-06-17 - 2012-05-30 - C09D127/08
  • 本发明涉及水溶性防锈涂料组合物。更详细地,涉及将聚偏二氯乙烯共聚物用作有机粘合剂来与无机纳米粘合剂进行组合使用并含有上述成分的涂料,所述有机粘合剂对氧气及湿气起到高度保护膜效果,所述无机纳米粘合剂具有强韧的物理性能并且对各种金属具有优异的粘附性。所述涂料与现有的水溶性防锈涂料相比,具有显著提高了的防锈性及耐水性,同时加强了涂膜的硬度及耐擦伤性能,具有优异的耐久性,能够使挥发性有机化合物最少化,是一种有利于环境保护的涂料。
  • 水溶性防锈涂料组合

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