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- [发明专利]半导体工艺腔室及半导体工艺设备-CN202211347495.6有效
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赵晋荣;韦刚;吴东煜;王海莉
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北京北方华创微电子装备有限公司
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2022-10-31
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2023-06-16
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H01L21/67
- 本申请公开了一种半导体工艺腔室及半导体工艺设备,涉及半导体装备领域。一种半导体工艺腔室包括腔体、内衬和下电极结构,内衬和下电极结构设于腔体内;下电极结构包括基座、接口件、承载件、射频馈入件和屏蔽件;基座通过悬臂与腔体连接;接口件和承载件叠置于基座;内衬环设于下电极结构外,内衬一端与腔体电连接,另一端与接口件电连接;屏蔽件第一端连接至接口件,第二端连接至基座内壁;屏蔽件第一端的轴线与接口件的轴线不重合,且屏蔽件第一端的轴线远离悬臂偏移;射频馈入件穿设于屏蔽件内并与承载件连接。一种半导体工艺设备,包括上述半导体工艺腔室。本申请能够解决刻蚀设备中元件几何结构不对称影响刻蚀均匀性等问题。
- 半导体工艺工艺设备
- [实用新型]承载装置及半导体反应腔室-CN202221939030.5有效
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赵晋荣;陈星;韦刚;张照;吴东煜;刘建
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北京北方华创微电子装备有限公司
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2022-07-26
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2023-01-17
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H01L21/683
- 本实用新型提供一种承载装置及半导体反应腔室,用于半导体工艺腔室,包括:静电卡盘,所述静电卡盘包括绝缘层,绝缘层上设有多个凸起支撑部,所述绝缘层设有贯穿其厚度的针孔和气孔,所述针孔用于和顶针装置配合,以升降晶圆,所述气孔用于和气源连通,以向所述绝缘层和所述晶圆之间通入导热气体;密封环,所述密封环设置于所述绝缘层的顶面,且环绕所述针孔设置,所述密封环的顶面位于所述绝缘层的顶面上方,所述密封环的顶面和凸起支撑部的顶面共同支撑所述晶圆;所述绝缘层的顶面上设有环形凹槽,所述环形凹槽环绕所述密封环设置。本实用新型提供的承载装置能够有效的阻滞密封环附近的热量泄漏,提高密封环附近的晶圆表面的温度均匀性。
- 承载装置半导体反应
- [发明专利]阻抗匹配方法及匹配器-CN202210724592.6在审
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成晓阳;吴韦;陈鹏;赵晋荣
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北京北方华创微电子装备有限公司
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2022-06-24
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2022-09-06
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H01J37/32
- 本发明提供一种阻抗匹配方法及匹配器,包括:判断等离子体启辉是否成功;若否,则采用预设的启辉算法计算获得阻抗可变元件的调整方向和调整量,并根据调整方向及调整量,调节阻抗可变元件的数值;若是,则根据检测到的阻抗匹配网络的输出端的电压信号、电流信号和角度差信号,计算获得当前的负载阻抗,并根据负载阻抗,获得阻抗可变元件的目标值;根据阻抗可变元件的当前值和目标值,按多个设定步长和与每个设定步长对应的设定速度,分步调节阻抗可变元件的数值,以将负载阻抗从当前的实部值和虚部值同时调节至匹配点对应的实部值和虚部值。本发明提供的阻抗匹配方法,可以实现匹配器的稳定启辉和稳定匹配。
- 阻抗匹配方法配器
- [发明专利]半导体工艺腔室-CN202210492946.9在审
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王松;陈星;赵晋荣;韦刚
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北京北方华创微电子装备有限公司
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2022-05-07
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2022-07-26
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H01J37/32
- 本发明提供一种半导体工艺腔室,包括腔体、设置在腔体中的卡盘和设置在腔体上方的上电极组件,上电极组件包括上射频电源、上匹配器和至少一个射频线圈,上射频电源用于通过上匹配器向射频线圈提供射频功率,以使射频线圈激发腔体中的气体产生等离子体,上电极组件还包括至少一个并联电容,射频线圈的第一端与上匹配器连接,射频线圈的第二端接地,并联电容连接在对应的射频线圈的第一端与第二端之间,并联电容与对应的射频线圈具有不低于射频电源的工作频率的固有谐振频率。在本发明中,并联电容与对应的射频线圈具有不低于工作频率的固有谐振频率,能够有效降低射频线圈上的欧姆损耗,提高上电极射频馈入效率,进而提升机台的稳定性及可靠性。
- 半导体工艺
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