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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]薄膜晶体管阵列面板及其制造方法-CN200610148642.1有效
发明人： 赵承奂;金泳敏;宋根圭 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2006-11-20 - 公布日： 2007-12-12 - 主分类号： H01L27/28 文献下载
摘要：本发明公开了一种薄膜晶体管阵列面板及其制造方法，该薄膜晶体管阵列面板包括：基底；数据线，形成在基底上；栅极线，与数据线交叉并包括栅电极；源电极，连接到数据线；漏电极，与源电极相对；有机半导体，与源电极和漏电极部分接触；栅极绝缘构件，位于栅电极和有机半导体之间；绝缘存储体，具有开口，有机半导体和栅极绝缘构件位于该开口中，该开口形成为十字形，在该十字形中水平部分和垂直部分交叉。
薄膜晶体管阵列面板及其制造方法

[发明专利]有机薄膜晶体管阵列板-CN200610064368.X无效
发明人：宋根圭;赵承奂 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2006-11-16 - 公布日： 2007-08-15 - 主分类号： H01L27/28 文献下载
摘要：本发明提供一种有机薄膜晶体管阵列板及其制造方法，该阵列板包括：衬底；形成在衬底上的数据线；连接到数据线的源极电极；包含面对源极电极的部分的漏极电极；与源极电极和漏极电极部分交叠的第一有机半导体；形成在第一有机半导体上的第一栅极绝缘件；形成在第一栅极绝缘件上的阻挡件；与阻挡件形成在相同层上并连接到漏极电极的像素电极；包含栅极电极的栅极线，其与数据线相交叉并形成在阻挡件上。
有机薄膜晶体管阵列

[发明专利]显示装置及其制造方法-CN200610168697.9有效
发明人：崔泰荣;宋根圭;赵承奂 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2006-12-22 - 公布日： 2007-08-01 - 主分类号： H01L27/28 文献下载
摘要：一种显示装置，包括：绝缘基板；数据导体，其形成于所述绝缘基板上并包括导电膜；薄膜晶体管，其具有与所述导电膜电连接的至少一个源电极和沿所述源电极的周围形成的并与之隔开的漏电极；以及与所述导电膜电连接的像素电极。
显示装置及其制造方法

[发明专利]薄膜晶体管阵列面板及其制造方法-CN200610166914.0有效
发明人：宋根圭;崔泰荣;黄泰亨;赵承奂 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2006-12-12 - 公布日： 2007-07-11 - 主分类号： H01L27/28 文献下载
摘要：本发明公开了一种薄膜晶体管阵列面板及其制造方法，该面板包括：基板；在基板上彼此相交的多条第一和第二信号线；连接到第一信号线的源电极；连接到第二信号线的漏电极；连接到漏电极的像素电极；形成在源电极和漏电极上并具有第一开口的第一分隔物，其中第一开口的下部宽度比第一开口的上部宽度更宽；形成在第一开口中并且至少与部分源电极和漏电极交迭的有机半导体；以及，连接到第二信号线并且至少与部分有机半导体交迭的栅电极。
薄膜晶体管阵列面板及其制造方法

[发明专利]有机薄膜晶体管阵列面板及其制造方法-CN200610115554.1有效
发明人：金保成;洪雯杓;李容旭;吴俊鹤;宋根圭;赵承奂 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2006-08-18 - 公布日： 2007-02-21 - 主分类号： H01L27/28 文献下载
摘要：本发明公开了一种有机薄膜晶体管阵列面板及其制造方法。所述有机薄膜晶体管阵列面板包括：衬底；数据线，形成衬底上；栅极线，与数据线交叉且包括栅电极；第一层间绝缘层，形成于栅极线和数据线上且包括暴露栅电极的第一开口；栅极绝缘体，形成于第一开口中；源电极，设置于栅极绝缘体上且连接到数据线；像素电极，设置于栅极绝缘体上且包括与源电极相对的漏电极；绝缘岸，形成于源电极和漏电极上，绝缘岸界定暴露至少部分的源电极和漏电极的第二开口；和有机半导体，形成于第二开口中。
有机薄膜晶体管阵列面板及其制造方法

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