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[实用新型]供液装置及半导体处理机台-CN202122056517.0有效
发明人： 赵健材;李君;顾立勋;夏余平 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2021-08-27 - 公布日： 2022-02-11 - 主分类号： G03F7/42 文献下载
摘要：本实用新型涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种供液装置及半导体处理机台。所述供液装置包括：第一储液槽，用于容纳第一处理液，所述第一储液槽包括槽体进口、槽体出口和槽体回流口，所述槽体出口用于将所述第一储液槽中的所述第一处理液传输至晶圆处理腔室，所述槽体回流口用于接收所述晶圆处理腔室排出的残液；监控结构，连接所述第一储液槽，用于判断所述第一储液槽内的所述第一处理液的实际浓度是否低于第一预设值，若是，则通过所述槽体进口向所述第一储液槽补充预设浓度的第一处理液，所述预设浓度高于所述实际浓度。本实用新型提高了半导体处理机台的产能，并减少了所述第一处理液的损耗。
装置半导体处理机台

[发明专利]浅沟槽隔离结构的制作方法-CN202110032273.4在审
发明人：胡俊;王二伟;赵健材;李君 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2021-01-11 - 公布日： 2021-05-28 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：本申请提供了一种浅沟槽隔离结构的制作方法，浅沟槽隔离结构的制作方法包括：提供衬底；在衬底上依次形成氧化硅层、氮化硅层和氮氧化硅层；在氮氧化硅层上形成依次贯穿氮氧化硅层、氮化硅层、氧化硅层和部分衬底的凹槽；向凹槽填充氧化硅以形成浅沟槽隔离；采用酸蚀剂将氮氧化硅层和氮化硅层去除，以露出氧化硅层。通过采用酸蚀剂同时将氮氧化硅层和氮化硅层去除，相对于现有的采用干法刻蚀去除氮氧化硅层的方案，一方面，减少了干法刻蚀以及湿法清洗的工序，从而降低了成本，另一方面，相对干法刻蚀，采用酸蚀剂的工艺成本较低，进一步降低了成本。
沟槽隔离结构制作方法