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[发明专利]具有深槽结构的MEMS器件的表面图形制备方法-CN202310947083.4在审
发明人：王飞飞;李健飞;徐宝盈 -专利权人： 赛莱克斯微系统科技（北京）有限公司
申请日： 2023-07-31 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： B81C1/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有深槽结构的MEMS器件的表面图形制备方法，属于半导体加工技术领域。该制备方法包括：提供一表面具有深槽的半导体基底；在半导体基底表面形成第一光刻胶层，以使得深槽内填充第一光刻胶层；去除位于深槽外的第一光刻胶层；在半导体基底表面及深槽内的第一光刻胶层上形成第二光刻胶层；对第二光刻胶层进行图形化处理，以在第二光刻胶层上形成所需图形；以第二光刻胶层为掩膜，对半导体基底进行刻蚀，以在半导体基底的表面形成所需图形；去除第一光刻胶层和第二光刻胶层。该制备方法解决了在具有深槽结构的MEMS器件的表面形成图形的过程中，光刻胶涂覆困难的问题。
具有结构 mems 器件表面图形制备方法

[发明专利]MEMS器件的制备方法-CN202310952226.0在审
发明人：王飞飞;李健飞;徐宝盈 -专利权人： 赛莱克斯微系统科技（北京）有限公司
申请日： 2023-07-31 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： B81C1/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种MEMS器件的制备方法，属于半导体加工技术领域。该制备方法包括：提供一半导体晶片，所述半导体晶片包括衬底、以及依次层叠在所述衬底上的牺牲层和结构薄膜层，所述结构薄膜层上具有梳齿结构；采用等离子体刻蚀的方式去除所述梳齿结构下方的牺牲层，以在所述梳齿结构和所述衬底之间形成空腔。采用该制备方法可以降低工艺难度，无需对器件进行干燥，保证制备出的MEMS器件的性能要求，且无需额外的昂贵设备，可以用于批量化晶圆生产制程中。
mems 器件制备方法

[发明专利]一种微同轴结构及制备方法-CN202310997585.8在审
发明人：王荣栋;杨云春 -专利权人： 赛莱克斯微系统科技（北京）有限公司
申请日： 2023-08-09 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H01P3/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种微同轴结构及制备方法，该微同轴结构，包括：第一衬底，第一衬底上设置有金属微结构；第二衬底，第二衬底和第一衬底通过金属层键合；第二衬底上设置有凹槽与通孔，金属微结构位于凹槽内，通孔内填充有金属介质，金属介质、金属层以及金属微结构电连接。本发明实施例提供的微同轴结构及制备方法，将设置有金属微结构的第一衬底和设置有凹槽与通孔的第二衬底键合，通过通孔将金属微结构传导的信号导引至外部，形成三维封装结构，减少占用晶圆面积，降低成本。
一种同轴结构制备方法

[发明专利]一种同轴线GSG接头的制作方法及同轴线GSG接头-CN202311036826.9在审
发明人：赵利芳;杨云春;陆原 -专利权人： 赛莱克斯微系统科技（北京）有限公司
申请日： 2023-08-17 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H01R43/16 文献下载
摘要：本申请提供了一种同轴线GSG接头的制作方法及同轴线GSG接头，在满足技术要求及性能指标的前提下，通过将同轴线GSG接头结构的制作过程的步骤分步设置在衬底基板的正反两面，可以在一定程度上改善现有技术采用衬底基板单面重复堆叠的制作过程中，所带来的光刻胶气泡残留等缺陷，以及金属连接虚弱等问题，因而可以保证最终得到的同轴线GSG接头的性能优异，具备独立性及灵活应用性。
一种同轴线 gsg 接头制作方法

[发明专利]台阶微结构的制备方法-CN202310843844.1在审
发明人：王飞飞;李健飞 -专利权人： 赛莱克斯微系统科技（北京）有限公司
申请日： 2023-07-11 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： H01L21/027 文献下载
摘要：本发明公开了一种台阶微结构的制备方法，属于半导体加工技术领域。该制备方法包括：提供一半导体基底；在半导体基底上形成第一负光刻胶层，第一负光刻胶层上具有第一台阶图形；在第一负光刻胶层上形成第二正光刻胶层，第二正光刻胶层上具有第二台阶图形，第二台阶图形和第一台阶图形构成台阶；以第一负光刻胶层和第二正光刻胶层为掩膜对半导体基底进行一次刻蚀，以在半导体晶片上形成由第三台阶图形和第四台阶图形构成的台阶微结构；去除第一负光刻胶层和第二正光刻胶层。采用该方法可以减少形成台阶微结构时的刻蚀次数，简化台阶微结构的制备工艺流程，降低刻蚀工艺的工艺难度，并保证刻蚀精度。
台阶微结构制备方法

[发明专利]抛光垫修整器、化学机械抛光装置和方法-CN202210412559.X有效
发明人：周国安;罗大杰 -专利权人： 赛莱克斯微系统科技（北京）有限公司
申请日： 2022-04-19 - 公布日： 2023-09-26 - 主分类号： B24B5/08 文献下载
摘要：本发明公开了一种抛光垫修整器、化学机械抛光装置和方法，包括旋转抛光台、修整盘、连接臂和驱动组件；旋转抛光台用于支撑抛光垫，并带动抛光垫绕抛光垫的圆心旋转，修整盘安装于连接臂的一端，连接臂的另一端与驱动组件连接，驱动组件被配置为驱动连接臂带动修整盘移动；修整盘为矩形盘，修整盘具有用于对抛光垫的表面进行修整的修整面，修整面为矩形面，修整面的长度为L，L＝R‑a，其中，R为抛光垫的半径，0≤a≤1英寸。采用该修整器，每次修整时，可以沿抛光垫的径向基本覆盖抛光垫半径，对抛光垫进行无差别的同时修整，从而保证抛光垫整体各点修整后的形貌始终如一。
抛光修整化学机械抛光装置方法

[发明专利]一种MEMS气体传感器及制作方法-CN202110819966.8有效
发明人：陈学志;杨云春;郭鹏飞;陆原 -专利权人： 赛莱克斯微系统科技（北京）有限公司
申请日： 2021-07-20 - 公布日： 2023-09-26 - 主分类号： G01N27/12 文献下载
摘要：本发明涉及气体传感器技术领域，尤其涉及一种MEMS气体传感器及制作方法，该方法包括：衬底，介质层，形成于所述衬底上；绝缘层，形成于所述介质层上；气敏电极，所述气敏电极嵌入至所述绝缘层中，且所述气敏电极的上表面与所述绝缘层的上表面处于同一水平面。本发明使气敏电极下沉至绝缘层中，使绝缘层上表面是平坦的；在后续沉积气敏膜时，使得气敏膜厚均和密度均能均匀分布，还会导致形成的气敏膜的膜表面积增大，提高气体传感器的敏感度。
一种 mems 气体传感器制作方法

[发明专利]高频传输微结构的平坦化方法、装置及电子设备-CN202210811005.7有效
发明人：孙庆灵;杨云春;陆原;张拴;范建国 -专利权人： 赛莱克斯微系统科技（北京）有限公司
申请日： 2022-07-11 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： B24B37/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种高频传输微结构的平坦化方法、装置及电子设备，其中的方法包括：获得所述铜层的需求去除量和所述光刻胶层与所述铜层之间的高度差；根据所述需求去除量和所述高度差，确定所述光刻胶层与所述铜层的研磨速率比；根据所述研磨速率比、第一对应关系和第二对应关系，确定研磨盘的目标转速；所述第一对应关系为使用铜研磨液进行化学机械抛光时，铜的研磨速率与研磨盘转速的映射关系；所述第二对应关系为使用铜研磨液进行化学机械抛光时，光刻胶的研磨速率与研磨盘转速的映射关系；根据所述目标转速，采用化学机械抛光方法对所述高频传输微结构进行平坦化。上述方法降低了平坦化的时间成本和工艺成本。
高频传输微结构平坦方法装置电子设备

[发明专利]一种MEMS干法刻蚀方法、设备及MEMS器件-CN202310792386.3在审
发明人：徐琦;王飞飞;王晓霞 -专利权人： 赛莱克斯微系统科技（北京）有限公司
申请日： 2023-06-30 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： B81C1/00 文献下载
摘要：本申请涉及微机电技术领域，揭示了一种MEMS干法刻蚀方法、设备及MEMS器件。所述方法包括：提供晶圆，所述晶圆具有吸附面和刻蚀面，所述吸附面和所述刻蚀面为一组相对面；使用预先制作的掩膜板，在所述吸附面上制作吸附结构；所述吸附结构与静电吸盘的升降柱图案相匹配，或与所述吸附面在静电吸附时产生的吸盘印图案相匹配；控制所述静电吸盘的升降柱与所述吸附结构对接，以及在所述升降柱缩回所述静电吸盘后，控制所述静电吸盘吸附所述吸附结构；在所述刻蚀面进行MEMS干法刻蚀。本申请解决了由于静电吸盘吸附力不均匀而在晶圆表面产生的吸盘印缺陷问题。
一种 mems 刻蚀方法设备器件

[发明专利]一种芯片测试方法-CN202310721830.2在审
发明人：徐琦;王飞飞;王晓霞;李占猛;徐宝盈 -专利权人： 赛莱克斯微系统科技（北京）有限公司
申请日： 2023-06-19 - 公布日： 2023-09-01 - 主分类号： G01R31/28 文献下载
摘要：本发明公开了一种芯片测试方法，向芯片的电极施加测试信号，对形成的响应信号进行保存；向所述芯片的电极施加消除信号，使所述消除信号和所述测试信号在所述芯片上形成的电荷互相抵消。通过本发明技术方案，在无需重新更改或优化MEMS芯片的器件结构的情形下，解决MEMS芯片wafer在电测过程中由于不同程度的电荷积累导致无法连续电测测试问题，提高电测结果的准确性，缩短了解决电荷积累问题的时间，加速了产品迭代和实现量产，有利于降低MEMS芯片开发和制造成本，同时也为MEMS芯片设计提供了更大的灵活性。
一种芯片测试方法

[发明专利]MEMS器件的制造方法-CN202310760544.7在审
发明人：王飞飞 -专利权人： 赛莱克斯微系统科技（北京）有限公司
申请日： 2023-06-26 - 公布日： 2023-09-01 - 主分类号： B81C1/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种MEMS器件的制造方法，包括：提供一半导体晶片，半导体晶片包括衬底、以及依次层叠在衬底上的牺牲层、结构薄膜层和金属层；在半导体晶片上形成包覆金属层的抗腐蚀绝缘层；将半导体晶片浸没到腐蚀溶液中，以去除牺牲层，在衬底和结构薄膜层之间形成空腔；去除抗腐蚀绝缘层。在该制造方法无需减少牺牲层的释放时间，保证了结构薄膜层能够完全释放。且通过在半导体晶片上形成包覆金属层的抗腐蚀绝缘层，当将半导体晶片浸没到腐蚀溶液中后，抗腐蚀绝缘层可以抵抗住腐蚀溶液的腐蚀。同时由于抗腐蚀绝缘层不导电，可以阻止电化学腐蚀回路的产生，从根本上阻断电化学腐蚀，提高了MEMS器件的产品良率和可靠性。
mems 器件制造方法

[发明专利]一种芯片、制备方法以及传感器-CN202310574590.8在审
发明人：张向超;李占猛;沈勇;董善;李想;王飞飞 -专利权人： 赛莱克斯微系统科技（北京）有限公司
申请日： 2023-05-22 - 公布日： 2023-08-18 - 主分类号： B81C1/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种芯片、制备方法以及传感器，方法包括在衬底上形成硅通孔；其中，所述硅通孔的边线为直线或者曲线；当所述硅通孔的边线为直线时，所述硅通孔错位排列。本发明方法通过将硅通孔的边线加工成曲线，或者使边线为直线的硅通孔呈错位排列，使相邻的直线型硅通孔之间形成的位移矢量与衬底表面的晶向具有锐角或钝角的夹角，避免通孔位置处的微观晶体层面产生细小裂纹累积破坏衬底，在不需要制造工序的任何特殊调整的同时，使破片率从常规的80％降到0％，从根本上解决了晶圆破片的风险。
一种芯片制备方法以及传感器

[发明专利]MEMS传感器的制备方法及传感器-CN202310596728.4在审
发明人：裘进;王鹏辉;杨云春;王飞飞;张向超 -专利权人： 赛莱克斯微系统科技（北京）有限公司
申请日： 2023-05-24 - 公布日： 2023-08-18 - 主分类号： B81C1/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种MEMS传感器的制备方法及传感器，属于传感器技术领域。方法包括：提供一第三晶圆层，第三晶圆层上具有垂直于第三晶圆层的至少一个第二功能电极，第三晶圆层的用于与第二晶圆层键合的一面上具有第一凹槽；在第一凹槽内形成至少一个凸起支撑结构；在第三晶圆层和至少一个凸起支撑结构的用于与第二晶圆层键合的一面上分别形成第二绝缘层和第三绝缘层。通过在第一凹槽内形成凸起支撑结构可以起到加强第二晶圆层和第三晶圆层之间的结构强度的作用。且第三晶圆层上形成有至少一个第二功能电极，可以充分利用第三晶圆层的空间，满足MEMS传感器对功能电极的设置需求。
mems 传感器制备方法

[发明专利]光刻胶刻蚀液、微同轴光刻胶牺牲层释放方法及相关设备-CN202211600688.8在审
发明人：王荣栋;杨云春;陆原;张拴;马诗潇 -专利权人： 赛莱克斯微系统科技（北京）有限公司
申请日： 2022-12-13 - 公布日： 2023-06-27 - 主分类号： G03F7/42 文献下载
摘要：本发明提供了光刻胶刻蚀液、微同轴光刻胶牺牲层释放方法及相关设备，该光刻胶刻蚀液包括：二甲基亚砜、四氢呋喃和异丙醇。通过二甲基亚砜作为主要的光刻胶去除剂，提高光刻胶刻蚀质量，通过四氢呋喃作为黏度调节剂和次要的光刻胶去除剂，进一步增加光刻胶刻蚀液的刻蚀能力，并提高光刻胶刻蚀液的流动性，增强光刻胶刻蚀液对于细小缝隙处的光刻胶的刻蚀能力，通过异丙醇去除已经被溶解的光刻胶和四氢呋喃及二甲基亚砜的混合溶液，提高光刻胶刻蚀液的刻蚀效率，因此，通过上述光刻胶刻蚀液可以提高光刻胶的刻蚀效率和刻蚀质量，缩短刻蚀时间，节约刻蚀成本。
光刻刻蚀同轴牺牲释放方法相关设备

[发明专利]微同轴结构和微同轴结构的制造方法-CN202310096223.1在审
发明人：赵利芳;杨云春;陆原 -专利权人： 赛莱克斯微系统科技（北京）有限公司
申请日： 2023-01-19 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： H01P3/06 文献下载
摘要：本发明涉及金属微结构制造技术领域，更具体地说，本发明涉及一种微同轴结构和微同轴结构的制作方法。其中，微同轴结构包括：衬底；底层金属层，形成于上述衬底；支撑墩，形成于上述底层金属层；中间金属层组，连接于上述底层金属层和上述支撑墩；顶层金属层，连接于上述中间金属层组；其中，上述底层金属层、上述金属层组和上述顶层金属层围设形成非矩形空腔结构。具体的，非矩形空腔为多边形结构，趋近于圆形。从而减少微波信号传输过程中的损耗，降低信号传输过程中受到的干扰，提高微同轴结构的信号传输频率。
同轴结构制造方法

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