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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]一种双向半导体放电管及其制备方法-CN201910838119.9有效
发明人：郑庭坚;张潘德;赖首雄;蓝浩涛 -专利权人：深圳市德芯半导体技术有限公司
申请日： 2019-09-05 - 公布日： 2023-08-11 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明属于半导体器件技术领域，提供了一种双向半导体放电管及其制备方法，所述双向半导体放电管包括衬底层以及分别设于衬底层两侧的第一器件层和第二器件层，第一器件层和第二器件层的结构呈对称设置，其中，第一器件层包括：具有第二导电类型的扩散层；用于将扩散层分割为有效阳极区和无效阳极区的隔离层；金属层；具有第一导电类型的多个阴极区；设置于有效阳极区与隔离层之间，且具有第一导电类型的重掺杂区，通过在有效阳极区域隔离层之间设置掺杂浓度大于衬底层的掺杂浓度的重掺杂区，使得双向半导体放电管在满足击穿电压时依然具有低电容的能力，解决了TSS器件在通讯线路中由于其高电容容易导致信号失真的问题。
一种双向半导体放电及其制备方法

[发明专利]一种可控硅器件及其制备方法-CN201910849675.6有效
发明人：张潘德;赖首雄;蓝浩涛 -专利权人：深圳市德芯半导体技术有限公司
申请日： 2019-09-09 - 公布日： 2022-08-12 - 主分类号： H01L29/74 文献下载
摘要：本发明属于半导体器件技术领域，提供了一种可控硅器件及其制备方法，通过将衬底层第一侧的正面阳极层以及衬底层第二侧的背面阳极层设置成“凸”形，且正面阳极层的凸起部位于所述正面阳极层的基部与所述衬底层之间，背面阳极层的凸起部位于所述背面阳极层的基部与所述衬底层之间，使得正面隔离层与所述正面阳极层的凸起部之间设有正面衬底隔离区，背面隔离层与所述背面阳极层的凸起部之间设有背面衬底隔离区，从而可以通过调节正面衬底隔离区和背面衬底隔离区的宽度对可控硅器件的击穿电压进行调节，避免了在制备过程中需要针对击穿电压的不同更换不同的硅基材，导致的制造成本增加、工艺复杂等问题。
一种可控硅器件及其制备方法

[实用新型]一种可控硅驱动电路及可控硅芯片-CN202020686206.5有效
发明人：蓝浩涛;张潘德;赖首雄 -专利权人：深圳市德芯半导体技术有限公司
申请日： 2020-04-28 - 公布日： 2020-11-13 - 主分类号： H03K17/72 文献下载
摘要：本实用新型属于半导体器件技术领域，提供了一种可控硅驱动电路及可控硅芯片中，通过可控硅器件的控制极可控硅驱动电路的控制端，可控硅器件的第一电极作为可控硅驱动电路的输出端，可控硅器件的第二电极与齐纳二极管的阴极共接作为可控硅驱动电路的电源输入端，齐纳二极管的阳极与二极管的阴极共接作为可控硅驱动电路的补偿信号端，二极管的阳极作为可控硅驱动电路的接地端，从而提供一种自带直流功能的可控硅驱动电路，解决当前的可控硅器件功能单一的问题。
一种可控硅驱动电路芯片

[发明专利]一种可控硅驱动电路及可控硅芯片-CN202010350307.X在审
发明人：蓝浩涛;张潘德;赖首雄 -专利权人：深圳市德芯半导体技术有限公司
申请日： 2020-04-28 - 公布日： 2020-07-28 - 主分类号： H03K17/72 文献下载
摘要：本发明属于半导体器件技术领域，提供了一种可控硅驱动电路及可控硅芯片中，通过可控硅器件的控制极可控硅驱动电路的控制端，可控硅器件的第一电极作为可控硅驱动电路的输出端，可控硅器件的第二电极与齐纳二极管的阴极共接作为可控硅驱动电路的电源输入端，齐纳二极管的阳极与二极管的阴极共接作为可控硅驱动电路的补偿信号端，二极管的阳极作为可控硅驱动电路的接地端，从而提供一种自带直流功能的可控硅驱动电路，解决当前的可控硅器件功能单一的问题。
一种可控硅驱动电路芯片

[实用新型]一种双向半导体放电管-CN201921475518.5有效
发明人：张潘德;赖首雄;蓝浩涛 -专利权人：深圳市德芯半导体技术有限公司
申请日： 2019-09-05 - 公布日： 2020-06-02 - 主分类号： H01L29/74 文献下载
摘要：本实用新型属于半导体器件技术领域，提供了一种双向半导体放电管，所述双向半导体放电管包括衬底层以及分别设于衬底层两侧的第一器件层和第二器件层，第一器件层和第二器件层的结构呈对称设置，其中，第一器件层包括：具有第二导电类型的扩散层；用于将扩散层分割为有效阳极区和无效阳极区的隔离区；金属层；具有第一导电类型的多个阴极区；设置于有效阳极区与隔离区之间，且具有第一导电类型的重掺杂区，通过在有效阳极区域隔离区之间设置掺杂浓度大于衬底层的掺杂浓度的重掺杂区，使得双向半导体放电管在满足击穿电压时依然具有低电容的能力，解决了TSS器件在通讯线路中由于其高电容容易导致信号失真的问题。
一种双向半导体放电

[实用新型]一种可控硅器件-CN201921815377.7有效
发明人： 赖首雄;张潘德;蓝浩涛 -专利权人：深圳市德芯半导体技术有限公司
申请日： 2019-10-25 - 公布日： 2020-05-19 - 主分类号： H01L29/74 文献下载
摘要：本申请属于半导体器件技术领域，提供了一种可控硅器件，其中，衬底层的第一侧设有正面阳极发射区、阴极发射区、绝缘介质层，衬底层的第二侧设有背面阳极发射区，通过在衬底层掺杂铂元素的方式对其少数载流子的寿命进行调节，从而在不改变衬底层的掺杂浓度情况下降低可控硅器件的关断时间，解决了现有的可控硅器件关断时间较长，应用在中高频的开关电路中时存在的关断异常的问题。
一种可控硅器件

[实用新型]一种可控硅器件-CN201921851170.5有效
发明人： 赖首雄;张潘德;蓝浩涛 -专利权人：深圳市德芯半导体技术有限公司
申请日： 2019-10-30 - 公布日： 2020-05-15 - 主分类号： H01L29/08 文献下载
摘要：本申请属于半导体器件技术领域，提供了一种可控硅器件，其中，衬底层的第一侧设有正面阳极发射区、阴极发射区、绝缘介质层，衬底层的第二侧设有背面阳极发射区，通过在正面阳极发射区上设置深入至第一侧表面区域中的阳极隔离区，对可控硅器件的击穿电压进行调节，从而提升可控硅器件在高温环境下的击穿电压，解决了现有的可控硅器件在高温工作环境下的击穿电压较低的问题。
一种可控硅器件

[实用新型]一种可控硅器件-CN201921496834.0有效
发明人：张潘德;赖首雄;蓝浩涛 -专利权人：深圳市德芯半导体技术有限公司
申请日： 2019-09-09 - 公布日： 2020-04-24 - 主分类号： H01L29/417 文献下载
摘要：本实用新型属于半导体器件技术领域，提供了一种可控硅器件，通过将衬底层第一侧的正面阳极层以及衬底层第二侧的背面阳极层设置成“凸”形，且正面阳极层的凸起部位于所述正面阳极层的基部与所述衬底层之间，背面阳极层的凸起部位于所述背面阳极层的基部与所述衬底层之间，使得正面隔离层与所述正面阳极层的凸起部之间设有正面衬底隔离区，背面隔离层与所述背面阳极层的凸起部之间设有背面衬底隔离区，从而可以通过调节正面衬底隔离区和背面衬底隔离区的宽度对可控硅器件的击穿电压进行调节，避免了在制备过程中需要针对击穿电压的不同更换不同的硅基材，导致的制造成本增加、工艺复杂等问题。
一种可控硅器件

[发明专利]一种可控硅器件及其制备方法-CN201911025815.4在审
发明人： 赖首雄;张潘德;蓝浩涛 -专利权人：深圳市德芯半导体技术有限公司
申请日： 2019-10-25 - 公布日： 2020-02-21 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本申请属于半导体器件技术领域，提供了一种可控硅器件及其制备方法，其中，衬底层的第一侧设有正面阳极发射区、阴极发射区、绝缘介质层，衬底层的第二侧设有背面阳极发射区，通过在衬底层掺杂铂元素的方式对其少数载流子的寿命进行调节，从而在不改变衬底层的掺杂浓度情况下降低可控硅器件的关断时间，解决了现有的可控硅器件关断时间较长，应用在中高频的开关电路中时存在的关断异常的问题。
一种可控硅器件及其制备方法

[发明专利]一种可控硅器件及其制备方法-CN201911046753.5在审
发明人： 赖首雄;张潘德;蓝浩涛 -专利权人：深圳市德芯半导体技术有限公司
申请日： 2019-10-30 - 公布日： 2020-02-21 - 主分类号： H01L21/332 文献下载
摘要：本申请属于半导体器件技术领域，提供了一种可控硅器件及其制备方法，其中，衬底层的第一侧设有正面阳极发射区、阴极发射区、绝缘介质层，衬底层的第二侧设有背面阳极发射区，通过在正面阳极发射区上设置深入至第一侧表面区域中的阳极隔离区，对可控硅器件的击穿电压进行调节，从而提升可控硅器件在高温环境下的击穿电压，解决了现有的可控硅器件在高温工作环境下的击穿电压较低的问题。
一种可控硅器件及其制备方法

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