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[发明专利]一种基准电流源-CN201310408172.8无效
发明人：方健;李源;赵前利;谷洪波;潘华;贾姚瑶 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2013-09-09 - 公布日： 2013-12-25 - 主分类号： G05F1/56 文献下载
摘要：本发明涉及集成电路技术，具体的说是涉及一种基准电流源。本发明所述的一种基准电流源，其特征在于，包括相连接的基准电流产生电路和启动偏置电路，所述基准电流产生电路包括第一至第三PMOS管、第一至第四三极管、第六三极管、第一至第二电阻，所述启动偏置电路包括第五三极管和第三至第四电阻。本发明的有益效果为，具有结构简单、启动电压低以及易于集成的优点，同时还具有较高的精度和较低的启动电压，并降低了生产成本。本发明尤其适用于基准电流源。
一种基准电流

[发明专利]一种电压峰值锁定电路-CN201310301536.2有效
发明人：方健;谷洪波;王贺龙;彭宜建;贾姚瑶;程春云 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2013-07-18 - 公布日： 2013-11-27 - 主分类号： H02M1/32 文献下载
摘要：本发明涉及集成电路技术，具体的说是涉及一种带去除电压初始尖峰的电压峰值锁定保存电路。本发明所述的一种电压峰值锁定电路，其特征在于，包括延时电路、控制电路和电压锁定电路，所述延时电路包括两个输入端并分别与第一输入信号Vin和第二输入信号Vcontrol连接、输出端与控制电路的第一输入端连接，所述控制电路的第二输入端与第二输入信号Vcontrol连接、输出端与电压锁定电路的输入端连接，所述电压锁定电路的输出端输出电压峰值锁定电路的输出信号Vout。本发明的有益效果为，能有效的去除开关电路开关初始时刻的尖峰电压，提高系统响应速度，锁定输出电压恒定。本发明尤其适用于电压峰值锁定保存电路。
一种电压峰值锁定电路

[发明专利]一种带隙基准电路-CN201310301533.9有效
发明人：方健;潘华;谷洪波;王贺龙;袁同伟;贾姚瑶 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2013-07-18 - 公布日： 2013-11-27 - 主分类号： G05F1/567 文献下载
摘要：本发明涉及集成电路技术，具体的说是涉及一种带隙基准电路。本发明所述的一种带隙基准电路，其特征在于，包括第一电流基准单元、第二电流基准单元、最大电流选择电路和基准电压输出单元，所述第一电流基准单元的输出端与所述最大电流选择电路第一输入端连接，所述第二电流基准单元的输出端与所述最大电流选择电路第二输入端连接，所述最大电流选择电路的输出端与基准电压输出单元连接，所述基准电压输出单元的输出端为带隙基准电路的输出端。本发明的有益效果为，相对于传统的方案，具有输出电压的温度系数更好的优点，相对于高阶补偿电路，具有电路结构简单并且可靠性好的优点。本发明尤其适用于电压基准电路。
一种基准电路

[发明专利]一种基准电压源-CN201310301186.X无效
发明人：方健;彭宜建;王贺龙;谷洪波;贾姚瑶;程春云 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2013-07-18 - 公布日： 2013-11-27 - 主分类号： G05F1/56 文献下载
摘要：本发明涉及模拟集成电路技术，具体的说是涉及一种基准电压源。本发明所述的一种基准电压源，其特征在于，包括输入偏置和启动电路、开关电容电路和运算放大器和基准产生电路，所述输入偏置和启动电路与所述开关电容电路连接，所述开关电容电路与运算放大器和基准产生电路连接。本发明的有益效果为，解决了由晶体管失配以及电阻的偏差对于基准电压精度的影响，运用开关电容技术，基准电压源电路全由MOSFET构成，避免使用大电阻和寄生双极晶体管，提高了基准电压的精度，减小了版图面积，降低了电路噪声，且使得输出基准电压可以根据实际的需要进行调整，适用于标准的CMOS工艺。本发明尤其适用于基准电压源。
一种基准电压

[发明专利]一种用于PFC的模拟乘法器-CN201310080944.X无效
发明人：方健;谷洪波;彭宜建;王贺龙;贾姚瑶;赵前利;张波 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2013-03-14 - 公布日： 2013-07-10 - 主分类号： H03K19/094 文献下载
摘要：一种用于FPC的模拟乘法器，属于电子技术领域。包括前级差动放大器、有源衰减器、第二级差动放大器和电流信号转化为电压信号的输出电路四个模块。相比于传统PFC乘法器电路，本发明采用有源衰减器，并且在有源衰减器中引入负反馈，在第二级差动放大器中P型三极管射极分别引入电阻，并且采用βhelper结构，上述结构极大的减小了乘法器的非线性误差。
一种用于 pfc 模拟乘法器

[发明专利]一种超低功耗电平位移电路-CN201310028242.7无效
发明人：方健;贾姚瑶;黄帅;谷洪波;赵前利;潘华;袁同伟;彭宜建 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2013-01-25 - 公布日： 2013-06-05 - 主分类号： H03K19/0185 文献下载
摘要：一种超低功耗电平位移电路，属于集成电路技术领域。由三级PMOS管和一级NMOS管构成的两个支路形成对称结构；两支路中第一级PMOS管漏极接第二级PMOS管源极，第二级PMOS管漏极接第三级PMOS管源极，第三级PMOS管漏极接第一级NMOS管漏极；第一级PMOS管源极接VDDH，第三级PMOS管栅极接VDDL，第一级NMOS管源极接地；两支路中，一个支路的第二级PMOS管栅极接另一支路的第二级PMOS管漏极，一个支路的第一级PMOS管栅极通过一个电阻接另一支路的第二级PMOS管漏极。本发明通过引入延迟使得PMOS管的开启/关断速度不一样来减少穿通电流，显著降低了功耗，更适合于低压低功耗的应用。
一种功耗电平位移电路

[发明专利]一种用于电荷泵锁相环的电荷泵电路-CN201210534844.5无效
发明人：方健;贾姚瑶;袁同伟;潘华;黄帅;王贺龙 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2012-12-12 - 公布日： 2013-04-10 - 主分类号： H02M3/07 文献下载
摘要：一种用于电荷泵锁相环的电荷泵电路，属于电子技术领域。包括充放电单元、第一互补电路单元、第一运放单元、反相器单元、第二互补电路单元、电流镜单元和第二运放单元。本发明不仅解决了现有电荷泵电路存在的充、放电电流匹配问题和电荷共享问题；同时采用两个互补电路单元和两个运放单元，两个互补电路单元对充放电单元进行正反两种补偿，这样对电容的充、放电电流能够恒流，从而解决了充、放电电流变化的问题，使得电荷泵电容电压线性变化，可更精确的控制对电容的充、放电。本发明具有电路结构简单，易于集成，且充放电电流源匹配精度高，适合于低压低功耗应用。
一种用于电荷泵锁相环电路

[发明专利]一种用于锁相环的电荷泵电路-CN201210535135.9无效
发明人：方健;潘华;贾姚瑶;彭宜建;赵前利;程春云;李源 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2012-12-12 - 公布日： 2013-04-10 - 主分类号： H02M3/07 文献下载
摘要：一种用于锁相环的电荷泵电路，属于电子技术领域。包括充放电单元、第一运放单元、第二运放单元、第一电流镜单元和第二电流镜单元。本发明不仅解决了现有电荷泵电路存在的充、放电电流匹配问题和电荷共享问题；同时采用两个运放单元，两个电流镜单元对充放电单元进行调节和补偿，使充、放电电流相等并且在很高的电压变化范围内保持恒定，从而解决了充、放电电流变化的问题。本发明的电荷泵电路结构简单，易于集成，且充放电电流源匹配精度高，适合于低压低功耗应用。
一种用于锁相环电荷电路

[发明专利]垂直双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管器件制造方法-CN201210344327.1无效
发明人：方健;贾姚瑶;李源;袁同伟;黄帅;张波 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2012-09-17 - 公布日： 2013-01-23 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明涉及半导器件和体集成电路。本发明针对现有技术VDMOSFET器件工艺，用外延层作高压器件漂移区存在的问题，公开了一种VDMOSFET器件制造方法，既可用于制造VDMOSFET分离器件，更适用于BCD和COM集成电路工艺中制作高压器件。本发明的垂直双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管器件制造方法，在传统的半导体工艺中，采用合适掺杂浓度的衬底制材料，直接以衬底材料作为器件的漂移区，不需要制作很厚的外延层，降低了工艺的复杂性，而且大大提高了器件的耐压。本发明只需要在衬底正面形成一层很薄的外延层，满足器件功能区制作就可以了。在器件功能区和注入区之间的衬底材料作为器件的漂移区直接承受高压。
垂直扩散金属氧化物半导体场效应晶体管器件制造方法

[发明专利]电荷泵电路-CN201210201376.X无效
发明人：方健;贾姚瑶;陶垠波;杨毓俊;臧凯旋;袁同伟;李源;彭宜建;谷洪波 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2012-06-19 - 公布日： 2012-10-17 - 主分类号： H02M3/07 文献下载
摘要：本发明公开了一种电荷泵电路，具体包括：启动单元、阈值基准单元、电流镜单元和运算放大器，具体连接关系是：所述启动单元为阈值基准单元和电流镜单元提供启动电压，所述运算放大器的输出端分别与阈值基准单元的输入端和电流镜单元的第一输入端相连；所述阈值基准单元的输出端与运算放大器的正向输入端相连，所述电流镜单元的输出端与运算放大器的负向输入端相连并作为所述电荷泵电路的输出端，所述电流镜单元的第二输入端作为所述电荷泵电路的输入端。本发明的电路直接将运算放大器用在阈值基准单元和电流镜单元之间，而不是将运算放大器用两个电流镜单元之间，保持了电容的充、放电电流的恒定，使得电荷泵电容电压线性变化。
电荷电路

[发明专利]一种电荷泵电路-CN201210201457.X有效
发明人：方健;黎俐;贾姚瑶;唐莉芳;潘福跃;吴杰;潘华;黄帅;赵前利 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2012-06-19 - 公布日： 2012-10-03 - 主分类号： H02M3/07 文献下载
摘要：本发明公开了一种电荷泵电路，包括：偏置单元、第一充放电单元、第一互补电路单元和第一运放单元，其特征在于，还包括，第二充放电单元、第二互补电路单元和第二运放单元。本发明的电荷泵电路通过第一互补电路单元和第二互补电路单元以及第一运放单元、第二运放单元对充放电电流进行调节和补偿，使充放电电流严格相等，并且在很高的电压范围内保持恒定。通过增加电荷调节管，降低电荷注入效应，有效提高了电荷泵充放电电流精度；同时本发明的电荷泵电路结构简单，易于集成，且充放电电流源匹配精度高，尤其适合低压低功耗应用。
一种电荷电路

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