专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]改进L型降压变换器的拓扑结构-CN200810224476.8有效
  • 郑琼林;贺明智;郝瑞祥;杨中平;孙湖;张立伟;游小杰;林飞;黄先进;王琛琛 - 北京交通大学
  • 2008-12-11 - 2009-07-22 - H02M3/07
  • 本发明公开了改进L型降压变换器的拓扑结构,通过k个开关器件,二极管SD11、SD21……SDk1串联构成L型变换器的横轴;通过k个电容C1、C2……Ck串联构成L型变换器的纵轴;横轴上开关SDi1、SD(i-1)1间的节点与纵轴上电容C(i-1)、Ci间的节点有从纵轴流向横轴的单向开关,其中i=2……k;开关SDk1的阴极通过电感LA与负载RL一端相连,负载的另外一端与可控开关S(k-1)2的一端相连;可控开关S(k-1)2的另一端与二极管SD(k-1)2及可控开关S(k-2)2的交点相连;二极管SDk2的阴极与二极管SDk1、SD(k-1)1间的节点相连;可控开关S12、S22……S(k-2)2的顺序串联结构与可控开关S(k-1)2相连;可控开关Si2、S(i+1)2的节点与二极管SDi1、SD(i+1)1间的节点之间有二极管SD(i+1)2,其阳极接可控开关Si2、S(i+1)2间的节点;i为大于或等于1的正整数;通过扩展L型结构的横、纵轴及单向可控开关支路,扩展变换器的级数。
  • 改进降压变换器拓扑结构
  • [发明专利]改进L型升压变换器的拓扑结构-CN200810224475.3无效
  • 郑琼林;贺明智;孙湖;杨中平;郝瑞祥;张立伟;游小杰;林飞;黄先进;王琛琛 - 北京交通大学
  • 2008-12-11 - 2009-07-22 - H02M3/07
  • 本发明公开了L型升压变换器的拓扑结构,其特征在于:通过可控开关S11、S21……Sk1共k个器件串联构成L型变换器的横轴;通过电容C1、C2……Ck共k个电容串联构成L型变换器的纵轴;可控开关Sk1的一端经电感LA与电源V正极相连,电容Ci与C(i+1),i=1,2……k-1,之间的节点和横轴上可控开关Si1与S(i+1)1的节点之间是由可控开关S12、S22……S(k-1)2和二极管Sk2分别构成的支路,电源V的负极与二极管D(k-1)4的阴极及可控开关Sk3相连;二极管D(k-2)4的阴极与二极管D(k-1)4的阳极、可控开关S(k-1)3的一端相连,可控开关S(k-1)3的另一端与可控开关S(k-1)1、S(k-2)1的交点相连;按此方式延伸,二极管D14的阳极与横轴及纵轴交点相连;k为正整数,且k≥1;通过扩展T型结构的横、纵轴以及开关支路,拓展变换器的级数。
  • 改进升压变换器拓扑结构
  • [发明专利]多电平T型变换器拓扑结构的简化方法-CN200810247558.4有效
  • 郑琼林;贺明智;孙湖;杨中平;张立伟;郝瑞祥;游小杰;林飞;黄先进;王琛琛 - 北京交通大学
  • 2008-12-30 - 2009-06-10 - H02M7/72
  • 本发明公开了电路设计技术领域中的一种多电平T型变换器拓扑结构的简化方法。技术方案是,对拥有k层可控支路的多电平T型变换器的拓扑结构,从第k层向第1层的方向上,依次对m层通过加上很少的元器件和去掉支路中间段的方法进行化简,第i层的可控支路是在第i+1层的基础上从两端各向中间移两个可控开关位置,并加上可控开关形成反向阻断电路,去掉第i层可控支路中间部分的可控开关,其中k-m+1≤i≤k;各层可控支路简化完成后,以横轴为对称轴,可得到横轴下半部分的镜像电路,最终形成简化的多电平T型变换器拓扑结构,其中k为一个正整数常数。本发明通过对多电平T型变换器的拓扑结构进行优化,节省了T型变换器电路的元器件,降低电路成本。
  • 电平变换器拓扑结构简化方法
  • [发明专利]T型升压变换器的拓扑结构-CN200810222284.3有效
  • 郑琼林;贺明智;郝瑞祥;杨中平;孙湖;游小杰;林飞;张立伟;黄先进;王琛琛 - 北京交通大学
  • 2008-09-16 - 2009-06-10 - H02M3/07
  • 本发明公开了T型升压变换器的拓扑结构,其特征在于:通过开关(S11、S21…Sk1、SD12、SD22…SD(k-1)2),共2k个开关器件串联构成T型变换器的横轴;通过电容(C1、C2……Ck)共k个电容串联构成T型变换器的纵轴;开关(Sk1)通过电感L与直流输入电源的高电位端相连,直流输入电源的另一端与开关(SD(k-1)2)相连;其中开关(Si1)、(S(i+1)1),i=1.2…k-1,之间的节点和电容(Ci)、(C(i+1))的节点之间有单向从横轴流向纵轴整流支路,在电容(Ci)、(C(i+1))的节点和开关(SDi2)、(SD(i+1)2)之间的节点之间有从纵轴流向横轴的单向可控开关支路,k为大于或等于1的正整数。通过扩展T型结构的横、纵轴以及单向整流支路、单向可控开关支路,可以拓展变换器。
  • 升压变换器拓扑结构
  • [发明专利]多电平整流的T型变换器拓扑结构-CN200810118835.1无效
  • 郑琼林;贺明智;游小杰;林飞;孙湖;黄先进;张立伟 - 北京交通大学
  • 2008-08-25 - 2009-05-06 - H02M7/217
  • 本发明公开了一种可实现整流变换的多电平T型变换器的拓扑结构,其特征在于:通过电容CT1、CT2……CTk-1、CTk,CB1、CB2……CBk-1、CBk共2k个电容构成T型变换器的纵轴;通过S1、S2……Sk-1、Sk共k个双向可控开关构成T型变换器的横轴;Si、Si+1(i=1,2……k-1)之间的节点Di和CTi、CTi+1(i=1,2……k-1)的节点DTi之间是有一条支路,是由STk1,STk2……STk(2k)构成从横轴流向纵轴的单向整流支路,在节点Di和CBi与CBi+1(i=1,2……k-1)间的节点DBi之间有另一支路,该支路是由SBk1,SBk2……SBk(2k)构成从纵轴流向横轴的单向整流支路,其方向与前述的支路相反;横轴的双向可控开关S1的一端与纵轴电容的中点相连。扩展开关管、电容及整流支路可增加电平数;通过单相电路组合,可应用于多相的系统。本发明容易提高变换器的电平数,克服现有方案的电容不均压及器件数量大的缺点。
  • 电平整流变换器拓扑结构
  • [发明专利]电容自平衡T型多电平整流器的拓扑结构-CN200810227505.6有效
  • 郑琼林;贺明智;张立伟;杨中平;孙湖;郝瑞祥;游小杰;林飞;黄先进;王琛琛 - 北京交通大学
  • 2008-11-28 - 2009-04-22 - H02M7/12
  • 本发明公开了一种电容自平衡T型多电平整流器的拓扑结构,其特征在于:通过2k个电容,电容CT1、CT2……CT(k-1)、CTk及CB1、CB2……CB(k-1)、CBk,串联构成T型变换器的纵轴;双向开关S1、S2……Sk-1、Sk、S1b、S2b……Skb构成T型变换器的横轴;双向开关Si、Si+1之间的节点和各个对应级数的电容的节点之间是由单向开关STi1,STi2……STi(2i)或SBi1,SBi2……SBi(2i)构成的可控支路,而STk1,STk2……STk(2k)或SBk1,SBk2……SBk(2k)是二极管构成的单向整流支路。Sk是T型横轴上级数最高的开关这一,其一端与Sk-1相连,另一端是交流端,通过电感接到交流电源的输出端,交流电源的另一输出端与另一个T型横轴上级数最高的开关Skb的一端相连。其中,k为正整数,i为小于k的正整数。
  • 电容平衡电平整流器拓扑结构
  • [发明专利]多电平整流的T型变换器拓扑结构-CN200810227504.1有效
  • 郑琼林;贺明智;游小杰;林飞;孙湖;黄先进;张立伟 - 北京交通大学
  • 2008-11-28 - 2009-04-15 - H02M7/12
  • 本发明公开了一种可实现整流变换的多电平T型变换器的拓扑结构,其特征在于:通过电容CT1、CT2……CTk-1、CTk,CB1、CB2……CBk-1、CBk共2k个电容构成T型变换器的纵轴;通过S1、S2……Sk-1、Sk共k个双向可控开关构成T型变换器的横轴;Si、Si+1(i=1,2……k-1)之间的节点Di和CTi、CTi+1(i=1,2……k-1)的节点DTi之间是有一条支路,是由STk1,STk2……STk(2k)构成从横轴流向纵轴的单向整流支路,在节点Di和CBi与CBi+1(i=1,2……k-1)间的节点DBi之间有另一支路,该支路是由SBk1,SBk2……SBk(2k)构成从纵轴流向横轴的单向整流支路,其方向与前述的支路相反;横轴的双向可控开关S1的一端与纵轴电容的中点相连。扩展开关管、电容及整流支路可增加电平数;通过单相电路组合,可应用于多相的系统。本发明容易提高变换器的电平数,克服现有方案的电容不均压及器件数量大的缺点。
  • 电平整流变换器拓扑结构
  • [发明专利]T型变换器横轴的无损缓冲电路-CN200810222695.2有效
  • 郑琼林;贺明智;郝瑞祥;杨中平;孙湖;游小杰;林飞;张立伟;黄先进;王琛琛 - 北京交通大学
  • 2008-09-23 - 2009-01-28 - H02M1/34
  • T型变换器横轴的无损缓冲电路,其特征在于:基于T型变换器,在T型变换器横轴的双向可控开关上的无损缓冲电路(Sni)由二极管(SniD1、SniD2、SniD3、SniD4)及电容(Cni)构成,二极管(SniD1、SniD2)阴极对接节点与电容(Cni)的一端及二极管(SniD3)的阳极相连,电容(Cni)的另一端与二极管(SniD4)的阴极相连;二极管(SniD1、SniD2)的阴极对接的节点与电容(Cni)的一端及二极管(SniD3)的阳极相连,电容(Cni)的另一端与二极管(SniD4)的阴极相连;二极管(SniD1、SniD2)的阳极分别接双向可控开关两端,缓冲电容(Cni)与二极管(SniD4)的节点与可控开关(Si)中背靠背连接的开关管中点相连,二极管(SniD3、SniD4)的阴极分别接单向整流支路上二极管(STi(2i))的阴极、二极管(SBi(2i))的阳极。通过组合可构成用于不同结构的缓冲电路。
  • 变换器横轴无损缓冲电路
  • [发明专利]T型降压变换器的拓扑结构-CN200810222283.9有效
  • 郑琼林;贺明智;杨中平;郝瑞祥;孙湖;游小杰;林飞;张立伟;黄先进;王琛琛 - 北京交通大学
  • 2008-09-16 - 2009-01-28 - H02M3/07
  • 本发明公开了T型降压变换器的拓扑结构,其特征在于:通过开关(Sk2……S32、S22、SD11、SD21、……SDk1),共2k-1个开关器件依次串联构成T型变换器的横轴;通过电容(C1、C2……Ck)串联构成T型变换器的纵轴;开关(SDk1)通过电感L与负载(RL)的一端相连,负载(RL)的另一端与开关(Sk2)的一端相连;输入电源的高电位端与电容(Ck)的高电位端相连,输入电源的低电位端与C1的低电位端相连;其中电容(Ci)与(C(i+1)),i=1,2……k-1,下同,之间的节点和开关(SDi1)与(SD(i+1)1)的节点之间有单向从纵轴流向横轴可控开关支路,在电容(Ci)与(C(i+1))的节点和开关(S(i+1)2)与(S(i+2)2)之间的节点之间有单向支路,k为不小于1的正整数。通过扩展T型结构的横、纵轴以及单向整流支路、单向可控开关支路,拓展变换器。
  • 降压变换器拓扑结构
  • [发明专利]T型变换器可控支路的无损缓冲电路-CN200810222696.7有效
  • 郑琼林;贺明智;杨中平;郝瑞祥;孙湖;游小杰;林飞;张立伟;黄先进;王琛琛 - 北京交通大学
  • 2008-09-23 - 2009-01-28 - H02M1/34
  • 本发明公开了一种T型变换器的无损缓冲电路,该电路通过2k个电容串联构成T型变换器的纵轴;k个双向可控开关单元构成T型变换器的横轴;双向开关之间的节点和对应的纵轴电容的节点之间有由单向开关构成从横轴流向纵轴的单向整流支路,且纵轴上下两部分对应的单向整流支路方向相反;k为正整数;横轴以上部分的可控支路上的缓冲单元(SnTk)由二极管(SnTD1、SnTD2)及电容(CnTk)构成,二极管(SnTD1)的阳极与二极管(SnTD2)的阴极连接,二极管(SnTD1)的阴极与可控开关(STk1)反并联二极管的阳极相连,二极管(SnTD2)的阳极与纵轴上电容(CTk、CT(k-1))的节点相连;缓冲电容中电容(CnTk)一端与二极管(SnTD1)的阳极相连,另一端与可控开关(STk1)反并联二极管的阴极相连;由对偶的方式可得到横轴以下部分的可控支路上的缓冲单元。
  • 变换器可控支路无损缓冲电路
  • [发明专利]L型升压变换器的拓扑结构-CN200810222281.X无效
  • 郑琼林;贺明智;杨中平;郝瑞祥;孙湖;张立伟;游小杰;林飞;黄先进;王琛琛 - 北京交通大学
  • 2008-09-16 - 2009-01-28 - H02M3/07
  • 本发明公开了L型升压变换器的拓扑结构,其特征在于:通过可控开关(S11、S21……Sk1)共k个器件串联构成L型变换器的横轴;通过电容(C1、C2……Ck)共k个电容串联构成L型变换器的纵轴;可控开关(Sk1)的一端经电感(LA)与电源正极相连,电源的负极与横轴各个节点之间均有由可控开关(S13、S23……Sk3)构成的支路;电容(Ci)与(C(i+1))(i=1,2……k-1,下同)之间的节点和横轴上可控开关(Si1)与(S(i+1)1)的节点之间是由可控开关(S12、S22……Sk2)构成的支路,电容(Ck)的一端通过二极管与可控开关(Sk1)和电感(LA)的节点相连,且二极管的阴极端接电容(Ck);k为正整数,且k≥1;通过扩展T型结构的横、纵轴以及开关支路,拓展变换器。
  • 升压变换器拓扑结构

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