“贲建伟”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果48个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]一种AlScN薄膜的处理方法、改性AlScN薄膜及氮化物铁电体-CN202310834469.4在审
发明人：刘明睿;孙晓娟;黎大兵;贲建伟;蒋科;吕顺鹏;臧行;贾玉萍 -专利权人：中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
申请日： 2023-07-07 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： H01L21/324 文献下载
摘要：本申请提供的AlScN薄膜的处理方法、改性AlScN薄膜及氮化物铁电体，在氮气氛围下，对AlScN薄膜进行热退火处理，通过在氮气氛围下的热退火处理后的AlScN薄膜结晶质量有所提升，漏电流相比于退火之前降低了4个数量级，铁电性能得到明显增强。该方法退火温度低、操作流程简单，具有广阔应用前景，对基于AlScN的半导体器件性能提升及大规模应用具有重要意义。
一种 alscn 薄膜处理方法改性氮化物铁电体

[发明专利]一种AlScN/nGaN异质结忆阻器及制备方法-CN202310834481.5在审
发明人：孙晓娟;刘明睿;黎大兵;吕顺鹏;蒋科;臧行;贾玉萍;贲建伟 -专利权人：中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
申请日： 2023-07-07 - 公布日： 2023-09-01 - 主分类号： H10N70/20 文献下载
摘要：本申请提供的AlScN/nGaN异质结忆阻器及其制备方法，包括自下至上依次设置的衬底、氮化物成核层、氮化物外延层、n型氮化物底电极、AlScN铁电层及顶电极，以及与所述n型氮化物底电极接触的金属电极，AlScN作为一种新型氮化物铁电材料，兼具优异的铁电性能以及宽禁带半导体特性，结合AlScN材料的铁电极化对铁电/半导体异质结界面势垒的调控以及氮化物半导体中陷阱辅助的导电机制，在不改变AlScN铁电极化方向的基础上实现忆阻功能，实现非破坏性读取，并通过调控铁电极化的大小实现多级存储，且该忆阻器具有典型的双极性阻抗开关特性，开关比大于103，符合忆阻器的应用需求。该两端器件结构制备方法简单、性能稳定、且与主流的CMOS工艺具有更大的兼容性。
一种 alscn ngan 异质结忆阻器制备方法

[发明专利]晶体管的凹槽制作方法及晶体管-CN202010642467.1有效
发明人：刘新科;贲建伟;利健;罗江流;王磊;贺威;林峰;黎晓华;朱德亮;吕有明 -专利权人：深圳市红与蓝企业管理中心（有限合伙）
申请日： 2020-07-06 - 公布日： 2023-07-04 - 主分类号： H01L21/335 文献下载
摘要：本发明提出了一种晶体管的凹槽制作方法及晶体管，该方法包括：在衬底的上方外延生长外延层；在外延层的上方转移二维材料层，并继续外延生长外延层，二维材料层和外延层形成第一凹槽；在外延层的上方、第一凹槽的两侧外延生长第一势垒层和第二势垒层；在二维材料层的上方、第一势垒层的上方和第二势垒层的上方沉积介电质层，形成第二凹槽。通过该方法制作得到的晶体管的凹槽制，其凹槽表面更光滑，表面态密度更低。
晶体管凹槽制作方法

[发明专利]一种同质集成器件及制备方法-CN202211725754.4在审
发明人：吕顺鹏;黎大兵;孙晓娟;蒋科;贲建伟;石芝铭 -专利权人：中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
申请日： 2022-12-30 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：本申请提供的同质集成器件，包括衬底(1)、非特异掺杂层(2)、n型掺杂层(3)、多量子阱层(5)、p型掺杂层(6)、n型接触电极(4)、p型接触电极(7)及光波导结构(30)，本申请提供的同质集成器件，得益于激光蚀刻蓝宝石结合金属掩膜保护工艺，可以高效制备空气/氮化物/空气光波导结构，其介电常数差异大，光耦合效率更高；得益于p型接触电极中的Ag/Al材料，可有效反射p面出射的可见光/紫外光，可提高探测器接收到的光强；得益于n型接触电极中的Ag/Al材料，可有效从侧面反射可见光/紫外光，并将光集中到光波导结构中，提高光耦合效率。另外，本申请还提供了同质集成器件制备方法。
一种同质集成器件制备方法

[发明专利]一种反应腔系统及其实现AlGaN组分调制的方法-CN202210025979.2有效
发明人：黎大兵;张恩韬;孙晓娟;贲建伟;蒋科;张山丽;陈洋 -专利权人：中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
申请日： 2022-01-11 - 公布日： 2023-05-16 - 主分类号： C30B29/40 文献下载
摘要：本发明公开了一种反应腔系统，其包括反应腔本体，旋转系统，激光系统以及控制系统。旋转系统，激光系统以及控制系统可相互配合，控制系统接收旋转系统转速信息，并通过激光控制模组控制所述激光器及第一扫描器和第二扫描器，使所述工件在特定区域曝光。通过该系统可实现在工件平面内存在人为设置温度差异的功能，进而实现在平面内AlGaN材料组分调制。本发明还公开了一种上述反应腔系统来实现AlGaN组分调制的方法。
一种反应系统及其实现 algan 组分调制方法

[发明专利]一种长程铁磁性GaN材料及其制备方法和应用-CN202310064004.5在审
发明人：孙晓娟;臧行;黎大兵;石芝铭;蒋科;贲建伟;吕顺鹏;刘明睿 -专利权人：中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
申请日： 2023-01-14 - 公布日： 2023-05-09 - 主分类号： H10N50/01 文献下载
摘要：本发明提供了一种长程铁磁性GaN材料及其制备方法和应用。本发明的制备方法，方波脉冲温度对应的低温为500～700℃，在低温沉积时在衬底形成堆垛失配闪锌矿GaN结构层，方波脉冲温度对应的高温为800～1000℃，在高温沉积时在堆垛失配闪锌矿GaN结构层上沉积形成纤锌矿结构的GaN层，并掩埋堆垛失配闪锌矿GaN结构层。本发明通过控制温度呈周期性方波脉冲变化，在GaN中形成具有长程铁磁序的堆垛失配晶界，不引入其它磁性杂质，对反应腔室不存在污染；对堆垛失配闪锌矿GaN结构的能带进行模拟，确认自旋极化性质存在，在此基础上，根据平均场近似，预测居里温度，确认在温度高于室温条件下，长程磁序仍能保持。
一种长程铁磁性 gan 材料及其制备方法应用

[发明专利]一种MOCVD反应腔及材料生长的方法-CN202310064077.4在审
发明人：张山丽;黎大兵;孙晓娟;吕顺鹏;贲建伟;蒋科;石芝铭;刘明睿 -专利权人：中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
申请日： 2023-01-14 - 公布日： 2023-05-05 - 主分类号： C30B25/08 文献下载
摘要：本申请提供的MOCVD反应腔及材料生长的方法，包括：反应腔本体、设置于所述反应腔本体内的排气环、激光单元及激光控制单元，所述排气环包括外排气环及套设所述外排气环的内排气环，所述内排气环的内表面上安装有所述激光单元，所述外排气环的内部安装有所述激光控制单元，所述激光单元的激光有紫外和红外两个波段，所述激光控制单元用于控制所述激光的开关、激光功率、及光斑大小，上述MOCVD反应腔及材料生长的方法，通过探测衬底表面温度，同时，将该温度信号反馈给激光控制单元，激光控制单元根据分析结果，改变激光光斑的大小和激光功率的大小，进而实现提高反应室的生长温度和温场的均匀性的目的，最终提高外延材料的晶体质量，不但可以实现高效的p型掺杂，同时还可以实现精准控温，提高设备的温场均匀性和材料的生长温度。
一种 mocvd 反应材料生长方法

[发明专利]一种非晶衬底上高质量AlGaN材料的范德华外延方法-CN202211646481.4在审
发明人：孙晓娟;吕炳辰;陈洋;张山丽;贲建伟;蒋科;黎大兵 -专利权人：中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
申请日： 2022-12-21 - 公布日： 2023-04-18 - 主分类号： C30B29/40 文献下载
摘要：本发明提供一种非晶衬底上高质量AlGaN材料的范德华外延方法，属于半导体技术领域。本发明的方法包括以下步骤：在非晶衬底上转移第一二维材料层并进行处理；在处理后的第一二维材料层上转移第二二维材料层并进行氢化钝化处理；通过范德华外延生长在第一二维材料层和第二二维材料层之间形成二维AlGaN材料预制层；通过同质范德华外延生长，采用两步法生长在第二二维材料层上形成三维AlGaN材料薄膜。本发明采用两层二维材料进一步缓解非晶衬底对外延层的影响，大幅降低应力与位错，提高晶体质量，为AlGaN基光电器件的大面积应用提供了帮助，具有工艺简单，效果显著，应用前景广阔等优点。
一种衬底质量 algan 材料范德华外延方法

[发明专利]一种GaN基超晶格紫外雪崩探测器及其制备方法-CN202211692951.0在审
发明人：蒋科;王炳翔;黎大兵;孙晓娟;吕顺鹏;贲建伟 -专利权人：中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
申请日： 2022-12-28 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： H01L31/0352 文献下载
摘要：本发明提供一种GaN基超晶格紫外雪崩探测器及其制备方法，属于半导体技术领域。本发明的GaN基超晶格紫外雪崩探测器，从下至上依次包括衬底，GaN缓冲层，n‑GaN层，超晶格结构层，i‑GaN层，p‑GaN层，以及位于台面上的p电极和位于刻蚀区n‑GaN层上方的n电极；载流子于超晶格内发生雪崩倍增，通过超晶格结构的带阶实现载流子的能量提升及碰撞离化，外偏压仅满足载流子可跨越带阶的需求即可，可避免由于高偏压下器件内部高场强导致的器件击穿和缺陷漏电等问题；同时可以利用通过更改超晶格的周期数来控制其雪崩倍增的次数。本发明提供的GaN基超晶格紫外雪崩探测器的制备方法，工艺简单，可批量制备，适合工业化生产。
一种 gan 晶格紫外雪崩探测器及其制备方法

[发明专利]基于双层金属微纳和石墨烯复合结构的半导体外延结构及其制备方法和应用-CN202211646640.0在审
发明人：黎大兵;蒋年磊;陈洋;孙晓娟;蒋科;贲建伟 -专利权人：中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
申请日： 2022-12-21 - 公布日： 2023-04-04 - 主分类号： H01L33/06 文献下载
摘要：本发明提供一种基于双层金属微纳和石墨烯复合结构的半导体外延结构及其制备方法和应用，属于半导体光电子器件技术领域。本发明基于双层金属微纳和石墨烯复合结构的半导体外延结构，自下而上依次包括衬底，AlN层，N‑AlGaN层，AlGaN多量子阱，P‑AlGaN电子阻挡层，P‑AlGaN层，Al金属微纳结构层，P‑GaN层，Al金属周期性结构层和石墨烯层。本发明通过在P‑GaN层的下方制备Al金属微纳结构层，在P‑GaN层的上方制备Al金属周期性结构层和石墨烯层复合微纳结构，利用表面等离激元与激发态之间的共振耦合效应，解决等离激元集肤深度不足而造成的无法与激发态能量匹配的问题，并大幅增强光提取效率。
基于双层金属石墨复合结构半导体外延及其制备方法应用

[发明专利]一种化合物半导体金属元素量子结构及其制备方法-CN202211646651.9在审
发明人：孙晓娟;贲建伟;黎大兵;张山丽;蒋科;吕顺鹏 -专利权人：中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
申请日： 2022-12-21 - 公布日： 2023-03-24 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明提供一种化合物半导体金属元素量子结构及其制备方法，属于半导体技术领域。本发明化合物半导体金属元素量子结构的制备方法，包括：在高热稳定性衬底上依次沉积低热稳定性的含有目标金属元素的化合物半导体薄膜材料，高热稳定性化合物半导体薄膜材料；将欲在其上制备目标金属元素量子结构的薄膜覆盖于高热稳定性化合物半导体薄膜上方；在常压和保护性气体的保护下，加热使低热稳定性的含有目标金属元素的化合物半导体薄膜材料分解并挥发形成目标金属元素量子结构。本发明的方法可在常压下、不含有该元素的材料上制备相应的金属量子结构，降低了金属元素量子结构制备条件，拓宽化合物半导体中金属元素应用。
一种化合物半导体金属元素量子结构及其制备方法

[实用新型]一种UV-LED消毒音乐餐具饭盒套装-CN202220576853.X有效
发明人：贾玉萍;孙晓娟;黎大兵;贲建伟;蒋科 -专利权人：中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
申请日： 2022-03-11 - 公布日： 2023-03-21 - 主分类号： A45C11/20 文献下载
摘要：本实用新型提供一种UV‑LED消毒音乐餐具饭盒套装，包括饭盒体和盖体，所述盖体包括上盖体和下盖体，在所述上盖体和下盖体包围的空间内放置餐具，在下盖体上设置支架用于放置并固定餐具；在上盖体的下表面、下盖体的上下两个表面上都均匀设置若干UV‑LED灯珠，每个UV‑LED灯珠对应设置一个线路安装底座，当盖上所述上盖体后，所有UV‑LED灯珠的供电线实现串联连通并受控于设置于所述上盖体上表面的电源开关；在上盖体的上表面还布置有内嵌若干LED灯的图案和发声器，发声器、LED灯以及UV‑LED串联受控于电源开关，在紫外消杀过程中会配合发光和发声，使饭盒既有病毒消杀效果又有娱乐效果，满足了家长对食物安全性需求，还能吸引孩子的眼球增加喜爱度。
一种 uv led 消毒音乐餐具饭盒套装

[发明专利]一种二维纳米图形化衬底及其制备方法-CN202211646649.1在审
发明人：孙晓娟;陈洋;黎大兵;蒋科;贲建伟;贾玉萍;张山丽;吕顺鹏;臧行;刘明睿 -专利权人：中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
申请日： 2022-12-21 - 公布日： 2023-03-14 - 主分类号： H01L33/22 文献下载
摘要：本申请提供的二维纳米图形化衬底及制备方法，在支撑衬底上制备石墨烯薄膜；在所述石墨烯薄膜上沉积金属薄膜；将所述金属薄膜转变为非连续的金属纳米粒子；在所述金属纳米粒子掩膜刻蚀石墨烯图形；去除纳米石墨烯图形上的金属纳粒子掩膜；在所述石墨烯图形上生长氮化物材料，上述二维纳米图形化衬底及制备方法，相较于现有的电子束曝光、纳米压印和纳米小球掩膜等方案，其工艺简单可行，成本能够得到有效控制；其次，适用于大尺寸、批量化构建，以上对应技术细节均适用于此优势；最后，纳米图形尺寸等几何参数具有高度灵活可调性，对于后续高质量氮化物材料的侧向外延具有重要促进作用。
一种二维纳米图形衬底及其制备方法

[实用新型]一种UV-LED后备箱消毒照明装置-CN202221069398.0有效
发明人：孙晓娟;贲建伟;聂子凯;蒋科;黎大兵 -专利权人：中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
申请日： 2022-05-06 - 公布日： 2023-02-10 - 主分类号： A61L2/10 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种UV‑LED后备箱消毒照明装置，包括具有UV‑LED灯珠的照明组件、后备箱和后备箱门，所述具有UV‑LED灯珠的照明组件固定在后备箱侧壁内侧和后备箱门内侧，所述后备箱包括固定底座和固定背板，所述固定背板固定安装在固定底座上；所述后备箱门的一端活动连接在固定背板上，另一端与固定底座相围合设置；所述后备箱和后备箱门关闭呈长方形柱体；本实用新型实现车辆后备箱内全方位、无死角的消毒，方便快捷又安全的方式，同时还可以设计UV‑LED灯珠与车辆后备箱门的开关监测装置联动，通过车辆设备控制系统以及人工智能算法，使UV‑LED灯在需要消毒的时候开启，提高效率。
一种 uv led 后备消毒照明装置

[实用新型]一种UV-LED消毒马桶盖-CN202220576469.X有效
发明人：孙晓娟;贾玉萍;黎大兵;蒋科;贲建伟 -专利权人：中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
申请日： 2022-03-11 - 公布日： 2022-12-20 - 主分类号： A47K13/30 文献下载
摘要：本实用新型提供一种UV‑LED消毒马桶盖，涉及UV‑LED消毒领域，包括马桶盖主体，在所述马桶盖主体上设有若干UV‑LED灯珠、光控感应开关和电源；所有UV‑LED灯珠串联连接并受控于所述光控感应开关；所述电源为所有UV‑LED灯珠和所述光控感应开关供电；当所述马桶盖主体盖合时，所述光控感应开关感应不到可见光，控制UV‑LED灯珠处于消杀工作模式；当所述马桶盖主体打开时，所述光控感应开关感应到可见光，控制UV‑LED灯珠处于非工作模式。本实用新型的UV‑LED消毒马桶盖，实现了随时、方便快捷地消毒马桶，解决公共马桶存在的卫生安全问题；可适用于各种类型的马桶，具有成本小、应用灵活的特点。
一种 uv led 消毒马桶盖

1
2
3
4
下一页»
尾页
共 48 条