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[发明专利]快速检测LED老化寿命的快重离子辐照方法-CN202110928544.4在审
发明人：缑洁;张崇宏;宋银;杨义涛;杨华;段利敏;谭继廉;王柱生 -专利权人：中国科学院近代物理研究所
申请日： 2021-08-13 - 公布日： 2021-11-16 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：本发明公开了快速检测LED老化寿命的快重离子辐照方法。本发明快速检测LED老化寿命的快重离子辐照方法，包括如下步骤：(1)用不同辐照剂量的快重离子辐照LED芯片使其内部形成不同程度的损伤；(2)对辐照后的LED芯片进行封装，检测不同辐照剂量的LED芯片在同一激发电流下的发光强度；(3)对发光强度与辐照剂量或发光强度与辐照损伤程度的关系进行拟合，得到拟合曲线和/或拟合方程；根据所述拟合曲线和/或拟合方程预测LED器件的老化寿命；所述辐照损伤程度为原子的平均离位次数。本发明采用快重离子辐照技术，在发光活性层只沉积能量且损伤程度可控，可在几分钟之内完成LED的老化实验，克服了传统应力老化试验耗时长、能耗高及实验过程复杂的缺点。
快速检测 led 老化寿命离子辐照方法

[实用新型]硅多条探测器信号引出装置-CN200420086216.6无效
发明人： 谭继廉;靳根明;田大宇;宁宝俊;王小兵;王宏伟;段利敏;袁小华;李松林;卢子伟;马连荣;徐瑚珊 -专利权人：中国科学院近代物理研究所
申请日： 2004-11-11 - 公布日： 2006-07-05 - 主分类号： G01T1/00 文献下载
摘要：本实用新型主要涉及一种核辐射探测器的结构，尤其涉及在高能物理和核物理中使用的位置灵敏探测器的信号引出装置的结构。一种硅多条探测器信号引出装置，包括有在电路板(1)上设有多个独立的正电极(4)及负电极(2)，其主要特点是还包括有在电路板(1)设有镂空的窗口(3)，硅多条探测器(5)设于窗口(3)之上，芯片(5)的正输出端连线与正电极(4)连接；硅多条探测器(5)的背面负输出端通过导电橡胶(6)与负电极(2)相联。本实用新型的有益效果是设计合理，信号引出可靠，损失小，具有优良的电特性和探测特性。
硅多条探测器信号引出装置

[发明专利]核辐射探测器及其制作工艺-CN200410073283.9无效
发明人： 谭继廉;靳根明;田大宇;宁宝俊;王小兵;王宏伟;段利敏;袁小华;李松林;卢子伟;马连荣;徐瑚珊 -专利权人：中国科学院近代物理研究所
申请日： 2004-11-11 - 公布日： 2006-05-17 - 主分类号： G01T1/29 文献下载
摘要：本发明主要涉及一种核辐射探测器，尤其涉及在高能物理和核物理中使用的位置灵敏探测器及其制作工艺。一种核辐射探测器，包括有硅基片，N型，其主要特点是还包括有探测窗口(1)由相互平行的多个探测窗口(1)组成，有B⁺掺杂区(3)，形成PN结，其上有Al层(2)，并设有引线(7)；两探测窗口(1)之间设有绝缘分割区(4)；硅基片背面有P^－掺杂区(5)，形成N⁺欧姆接触，其上复有Al层(6)，形成背电极。本发明的核辐射探测器具有优良的电特性和探测特性。在核物理实验中能同时测量核反应产物的能量和位置(角分布)信息，在得到非常好的位置分辨的同时得到相当好的能量分辨率。由于在工艺流程中严格控制和严格操作，采取特殊Cl离子处理，减少了SiO₂层中的正电荷。并减少了SiO₂－Si界面附近的表面态，使探测器的反向漏电流比其他工艺例如面垒工艺制备的探测器下降1～2个量级，达到nA量级。
核辐射探测器及其制作工艺