专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]半导体器件及其制备方法-CN202310487378.8在审
  • 史航;谢岩;宋保英 - 武汉新芯集成电路制造有限公司
  • 2023-04-28 - 2023-08-22 - H01L21/28
  • 本申请提供一种半导体器件及其制备方法。该方法包括提供半导体基体;半导体基体包括衬底、介质层以及半导体材料层;其中,衬底上开设有沟槽,介质层包括第一介质部和第二介质部;第一介质部覆盖在沟槽的内壁面上,并界定形成第一开口;第二介质部覆盖在衬底的上表面,并界定形成第二开口;第二开口的宽度小于第一开口的宽度;半导体材料层覆盖介质层,并在对应第二开口的位置界定形成第三开口;去除半导体材料层位于第二介质部表面上的部分;在剩余在沟槽内的半导体材料层表面形成钝化层;以及通过第二开口去除沟槽的底壁上的半导体材料层。该方法能防止半导体材料层出现侧向刻蚀的现象,保证了后续工艺的正常进行。
  • 半导体器件及其制备方法

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