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专利名称

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申请人
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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]半导体结构的制造方法-CN202111180868.0在审
发明人： 许茗舜;黄韦清;陈文吉;陈辉煌 -专利权人：力晶积成电子制造股份有限公司
申请日： 2021-10-11 - 公布日： 2023-03-03 - 主分类号： H01L21/8234 文献下载
摘要：本发明公开一种半导体结构的制造方法，包括以下步骤。提供基底。基底包括第一区与第二区。在第一区中的基底上形成第一介电层。在第二区中的基底上形成第二介电层。在第一介电层上形成第一栅极。在第二介电层上形成第二栅极。在第一栅极的侧壁上形成第一间隙壁，且同时在第二栅极的侧壁上形成第二间隙壁。形成图案化光致抗蚀剂层。图案化光致抗蚀剂层覆盖第一间隙壁且暴露出第二间隙壁。利用图案化光致抗蚀剂层作为掩模，移除第二间隙壁。在移除第二间隙壁之后，移除图案化光致抗蚀剂层。在第一间隙壁的侧壁上形成第三间隙壁，且同时在第二栅极的侧壁上形成第四间隙壁。
半导体结构制造方法

[发明专利]共振滤波器-CN201410084689.0有效
发明人： 许茗舜 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2014-03-10 - 公布日： 2019-04-23 - 主分类号： H03H9/46 文献下载
摘要：本发明公开一种共振滤波器，其包含有一基底、一设置于该基底上的下电极、一设置于该下电极上的多层膜耦合结构、一设置于该多层膜耦合结构上的上电极、一夹设于该下电极与该多层膜耦合结构之间的第一压电层、以及一夹设于该多层膜耦合结构与该上电极之间的第二压电层。该多层膜耦合结构包含至少一绝缘材料。
共振滤波器

[发明专利]晶体管装置及其制造方法-CN201210212660.7有效
发明人： 许茗舜;许文朋;林克峰;蔡明轩;王智充 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2012-06-21 - 公布日： 2017-04-12 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明公开一种晶体管装置及其制造方法。晶体管装置包括一基底、一第一阱、一第二阱、一浅沟槽隔离结构、一源极、一漏极及一栅极。第一阱设置于基底之中。第二阱设置于基底之中。浅沟槽隔离结构设置于第二阱内。浅沟槽隔离结构具有至少一悬浮岛状有源区。源极设置于第一阱内。漏极设置于第二阱内。悬浮岛状有源区与漏极的导电类型相反或相同。栅极设置于第一阱及第二阱之上并与部分的第一阱及第二阱交叠。
晶体管装置及其制造方法

[发明专利]侧向扩散式金氧半场效晶体管结构及其制造方法-CN201310729085.2在审
发明人：李秋德;陈冠宇;许茗舜;王智充;林克峰;林淑雯;黄世腾;游焜煌 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2013-12-17 - 公布日： 2015-06-17 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明公开一种侧向扩散式金氧半场效晶体管结构，其包括半导体基板、漏极区、轻掺杂漏极区、源极区以及栅极结构。其中，基板具有沟槽；漏极区形成于沟槽底部的半导体基板中；轻掺杂漏极区形成于沟槽侧壁的半导体基板中；源极区形成于半导体基板中；栅极结构形成于漏极区与源极区间以及轻掺杂漏极区上方的半导体基板表面上。本发明另提供侧向扩散式金氧半场效晶体管结构制造方法。
侧向扩散式金氧半场晶体管结构及其制造方法

[发明专利]半导体结构-CN201310593863.X在审
发明人：李秋德;许茗舜;林克峰;王智充;廖宣博;黄世腾;林淑雯;蔡素华;萧世楹 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2013-11-21 - 公布日： 2015-05-27 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：一种半导体结构，包括具有第一导电型的基板、具有第二导电型的深阱、具有第一导电型的第一阱、具有第二导电型的第二阱、栅极、第一绝缘物以及第二绝缘物。深阱形成于基板内并由基板的表面向下扩展。第一阱与第二阱由基板的表面向下扩展并形成于深阱内，第二阱与第一阱分离。栅极形成于基板上并位于第一阱和第二阱之间。第一绝缘物由基板的表面向下扩展并形成于栅极与第二阱之间。第二绝缘物由基板的表面向下扩展并邻接于第一阱。第一绝缘物的深度与第二绝缘物的深度比小于1。
半导体结构

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