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[发明专利]高抗闩锁能力的IGBT器件-CN201810993150.5有效
发明人： 许生根;杨晓鸾;张金平;姜梅 -专利权人：江苏中科君芯科技有限公司
申请日： 2018-08-29 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： H01L29/417 文献下载
摘要：本发明涉及一种IGBT器件，尤其是一种高抗闩锁能力的IGBT器件，属于IGBT器件的技术领域。元胞沟槽呈倒T字型，源极接触孔呈T字型，在源极接触孔的第二孔区内设置接触孔电介质层，从而能对第一导电类型漂移区内的载流子流通路径进行引导，即使得空穴载流子绕开元胞沟槽的槽底向元胞区集中，在T字型源极接触孔的作用下，可以使得空穴在有源区零电位的吸引下，绕开第一导电类型源区，并能竖直向上集中流向第一孔区，从而使得IGBT器件中寄生晶闸管更难达到闩锁条件，提高IGBT器件的抗闩锁能力，安全可靠。
高抗闩锁能力 igbt 器件

[发明专利]能降低导通压降和关断损耗的沟槽栅IGBT器件-CN201810993078.6有效
发明人：杨晓鸾;许生根;张金平;姜梅 -专利权人：江苏中科君芯科技有限公司
申请日： 2018-08-29 - 公布日： 2023-08-15 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本发明涉及一种能降低导通压降和关断损耗的沟槽栅IGBT器件，其在第二导电类型基区内设置第一导电类型源区，所述第一导电类型源区与第一导电类型杂质区分别位于元胞沟槽的两侧，元胞沟槽内填充有栅极导电多晶硅，所述栅极导电多晶硅通过元胞沟槽内的绝缘栅氧化层与元胞沟槽的侧壁、底壁绝缘隔离；在第一导电类型漂移区的上方设置源极金属以及栅极金属，所述源极金属与第一导电类型源区、第二导电类型基区以及第二导电类型杂质区欧姆接触，栅极金属与栅极导电多晶硅以及第一导电类型杂质区欧姆接触。本发明结构紧凑，能同时降低导通压降和关断损耗，优化IGBT器件的折衷特性，安全可靠。
降低导通压降损耗沟槽 igbt 器件

[发明专利]提升抗闩锁能力的低通态压降IGBT-CN201711442489.8有效
发明人：杨珏林;姜梅;许生根;杨晓鸾 -专利权人：江苏中科君芯科技有限公司
申请日： 2017-12-27 - 公布日： 2023-08-15 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本发明涉及一种IGBT器件，尤其是一种提升抗闩锁能力的低通态IGBT，属于IGBT器件的技术领域。在所述第一导电类型漂移区内还设有第一导电类型的载流子引导体，所述载流子引导体包括位于元胞沟槽正下方的第一导电类型第一载流子引导层以及位于第二导电类型基区下方的第一导电类型第二载流子引导层；第一导电类型第二载流子引导层在第二导电类型基区下方呈对称分布，第一导电类型第二载流子引导层的上部与第二导电类型基区以及相邻元胞沟槽的外壁接触，第一导电类型第二载流子引导层的下端与第一导电类型第一载流子引导层接触。本发明结构紧凑，能在不影响IGBT正常工作特性的情况下，提高IGBT的抗闩锁能力，实现低通态压降，安全可靠。
提升抗闩锁能力低通态压降 igbt

[发明专利]具有屏蔽栅的沟槽型IGBT器件-CN201810962076.0有效
发明人：李哲锋;许生根;姜梅 -专利权人：江苏中科君芯科技有限公司
申请日： 2018-08-22 - 公布日： 2023-08-15 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明涉及一种具有屏蔽栅的沟槽型IGBT器件，其在所述IGBT器件的截面上，元胞内的两个元胞沟槽之间设置第二导电类型注入区；在第一导电类型外延层的上方设置场氧化层以及包裹于所述场氧化层内的屏蔽栅多晶硅，所述屏蔽栅多晶硅位于第二导电类型注入区的正上方，屏蔽栅多晶硅通过场氧化层与第二导电类型注入区绝缘隔离；在元胞沟槽内填充有控制栅多晶硅，所述控制栅多晶硅通过元胞沟槽内的控制栅氧化层与元胞沟槽的侧壁、底壁绝缘隔离，所述控制栅多晶硅还覆盖在场氧化层上，且控制栅多晶硅与场氧化层内的屏蔽栅多晶硅交叠。本发明结构紧凑，提高器件耐压，降低器件的寄生电容，减少开关损耗，安全可靠。
具有屏蔽沟槽 igbt 器件

[实用新型]自压式填料截止阀-CN202320092886.1有效
发明人：瞿涛;胡晟;许生根;杨峰;郭强;刘彬斌;廖岗平;陈芳;王学芹 -专利权人：新余钢铁股份有限公司
申请日： 2023-01-31 - 公布日： 2023-07-28 - 主分类号： F16K41/02 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种自压式填料截止阀，包括阀体、与阀体连接的阀盖、阀杆、设置于阀盖内部且套设于阀杆上的填料以及设置于所述阀盖内部且套设于所述阀杆上的第一弹性元件和第二弹性元件，所述填料位于第一弹性元件和第二弹性元件之间。本实用新型的自压式填料截止阀，通过设置弹性元件压紧填料，弹性元件可以时时刻刻对填料进行挤压，可以提高填料的密封性。
填料截止阀

[发明专利]一种脱硫脱硝副产物SO2-CN202310329014.7在审
发明人：胡晟;洪洲;许生根;郭强;陈永宏;高飞;王学芹;伍林从;胡振华;彭亚涛 -专利权人：新余钢铁股份有限公司
申请日： 2023-03-30 - 公布日： 2023-06-30 - 主分类号： F23G7/06 文献下载
摘要：本发明的实施例提供了一种脱硫脱硝副产物SO2制酸装置及制酸工艺，涉及制酸领域。该脱硫脱硝副产物SO2制酸装置包括焚烧炉、废热锅炉、酸气酸性除尘器以及混合器，焚烧炉用于对脱硫产生的酸性气体进行焚烧，废热锅炉的入口和焚烧炉的出口连接，酸性气体经过焚烧炉进入废热锅炉，酸气酸性除尘器用于对解析气体进行除尘处理混合器的入口和酸气酸性除尘器的出口连接，混合器的出口和废热锅炉的出口连接，且混合器连接有热空气，解析气体和热空气在混合器内进行混合，混合形成的气体从混合器的出口喷出并与从废热锅炉的出口流出的酸性气体进行混合。该脱硫脱硝副产物SO2制酸装置在使用时不会影响制酸过程的完成，提高了制酸效率。
一种脱硫副产物 so base sub

[发明专利]用于快速评估快恢复二极管性能的基座-CN201611240234.9有效
发明人：程炜涛;许生根;王海军;叶甜春 -专利权人：江苏中科君芯科技有限公司
申请日： 2016-12-29 - 公布日： 2023-06-27 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于快速评估快恢复二极管性能的基座，其特征是：包括耐高温硬质绝缘固定框架，在耐高温硬质绝缘固定框架中嵌入阳极金属引线框架和阴极金属引线框架，阳极金属引线框架和阴极金属引线框架之间保持一定的距离；所述阳极金属引线框架的部分表面、阴极金属引线框架的部分表面以及耐高温硬质绝缘固定框架的部分表面在同一平面上，该平面为二极管芯片的贴片平面；所述阳极金属引线框架和阴极金属引线框架各有部分露出与耐高温硬质绝缘固定框架之外，分别形成相互平行的阳极管脚和阴极管脚，阳极管脚和阴极管脚所形成的平行平面与贴片平面平行。本发明所述基座可以对快恢复二极管芯片直接贴片和打线后直接进行静态和动态性能评估。
用于快速评估恢复二极管性能基座

[发明专利]具备多重调控的沟槽型IGBT器件-CN202211564953.1在审
发明人：杨晓鸾;许生根;李哲锋;李磊;孔凡标 -专利权人：江苏中科君芯科技有限公司
申请日： 2022-12-07 - 公布日： 2023-05-30 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明涉及一种具备多重调控的沟槽型IGBT器件。其包括半导体基板以及元胞区；对任一元胞，包括元胞第一沟槽以及元胞第二沟槽，其中，在所述元胞第一沟槽与元胞第二沟槽之间设置多重调控区，多重调控区与元胞第一沟槽、元胞第二沟槽相应的外壁接触，且多重调控区与用于形成IGBT器件发射极的发射极金属适配连接；所述沟槽型IGBT器件处于正向导通状态时，利用多重调控区对空穴载流子存储，以调控空穴载流子的分布，并利用所调控空穴载流子的分布降低导通压降；所述沟槽型IGBT器件处于反向关断状态时，利用多重调控区抽取空穴载流子。本发明可以实现对空穴载流子积累和抽取的多重调控，进一步实现优化导通压降和开通损耗之间的折中。
具备多重调控沟槽 igbt 器件

[发明专利]双多晶硅栅的载流子存储型IGBT器件-CN201910773365.0有效
发明人：史志扬;许生根;姜梅 -专利权人：江苏中科君芯科技有限公司
申请日： 2019-08-21 - 公布日： 2023-05-12 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本发明涉及一种IGBT器件，尤其是一种双多晶硅栅的载流子存储型IGBT器件，属于IGBT器件的技术领域。在元胞沟槽内填充沟槽内栅极多晶硅，在元胞沟槽的槽口外设置沟槽外栅极多晶硅，沟槽内栅极多晶硅通过沟槽内绝缘氧化层与元胞沟槽的侧壁以及底壁绝缘隔离，通过槽口绝缘氧化层能实现沟槽内栅极多晶硅与沟槽外栅极多晶硅的绝缘隔离，沟槽外栅极多晶硅的横向宽度大于沟槽内栅极多晶硅的横向宽度，能降低对载流子存储层的浓度影响，降低载流子存储层高能注入时对绝缘栅氧化层的影响，降低元胞沟槽的电场峰值，提高了IGBT器件的击穿电压，提高了IGBT器件漏电的控制能力。
多晶载流子存储 igbt 器件

[发明专利]双面肖特基控制的快恢复二极管器件及制备方法-CN201910773796.7有效
发明人：李磊;许生根;张金平;姜梅 -专利权人：江苏中科君芯科技有限公司
申请日： 2019-08-21 - 公布日： 2023-05-05 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：本发明涉及一种双面肖特基控制的快恢复二极管器件及制备方法，其包括半导体基板，所述半导体基板包括N型衬底以及与N型缓冲层，在N型衬底的中心区设置有源区；在二极管器件的截面上，有源区内包括若干呈交替分布的有源P柱与有源N柱，在N型衬底上设置阳极金属，所述有源P柱与N型衬底上的阳极金属欧姆接触，有源N柱与N型衬底上的阳极金属肖特基接触；在N型缓冲层上设置若干交替分布的阴极P‑区以及阴极N+区，所述阴极N+区与阴极金属欧姆接触，阴极P‑区与阴极金属肖特基接触。本发明能获得较快的反向恢复时间，减少动态损耗，提高优软度，可靠性高。
双面肖特基控制恢复二极管器件制备方法

[发明专利]功率器件用终端结构及制备方法-CN202211661729.4在审
发明人：李哲锋;许生根;杨晓鸾;孔凡标;李磊 -专利权人：江苏中科君芯科技有限公司
申请日： 2022-12-23 - 公布日： 2023-04-18 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明涉及一种功率器件用终端结构及制备方法。其在终端区域内，沿主结指向第二导电类型VLD区域的方向上，包括耗尽截止环，其中，耗尽截止环在终端区域内至少分布于第二导电类型VLD区域；对任一耗尽截止环，包括若干间隔分布的耗尽截止槽，耗尽截止槽的槽底位于第二导电类型VLD区域的下方；对任一耗尽截止槽，包括填充于所述耗尽截止槽内的槽内导电多晶硅以及覆盖耗尽截止槽内壁的槽内低介电绝缘体，槽内导电多晶硅通过槽内低介电绝缘体与所在耗尽截止槽的内壁绝缘隔离。本发明能有效避免VLD区域的表面击穿，消除主结外围以及由于受产线机台注入剂量的偏差对击穿电压的影响，提高终端的可靠性。
功率器件终端结构制备方法

[发明专利]能高精度测温的SGT功率器件-CN202211646132.2在审
发明人：孔凡标;许生根;杨晓鸾;李哲峰;李磊 -专利权人：江苏中科君芯科技有限公司
申请日： 2022-12-21 - 公布日： 2023-03-28 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明涉及一种能高精度测温的SGT功率器件。其在有源区内，包括至少一个测温单元，其中，所述测温单元包括测温单元体以及测温单元栅极导电多晶硅；在测温沟槽内，测温单元体与测温单元栅极导电多晶硅的分布状态与元胞区内任一元胞所采用的SGT结构相一致；对测温单元体，包括若干依次交替分布的测温P型导电多晶硅以及测温N型导电多晶硅，其中，测温P型导电多晶硅与邻近的测温N型导电多晶硅接触连接，且测温P型型导电多晶硅与测温N型导电多晶硅的交替排布方向与测温沟槽的长度方向相一致。本发明可实现对功率半导体器件内部温度的高精度测量，降低面积的占用，与现有工艺兼容，安全可靠。
高精度测温 sgt 功率器件

[发明专利]具有埋层的终端结构-CN201910773374.X有效
发明人：伍济;陈钱;许生根;姜梅 -专利权人：江苏中科君芯科技有限公司
申请日： 2019-08-21 - 公布日： 2023-01-03 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明涉及一种终端结构，尤其是一种具有埋层的终端结构，属于半导体器件的技术领域。按照本发明提供的技术方案，所述具有埋层的终端结构，包括具有第一导电类型的半导体漂移区以及设置于所述半导体漂移区内的场限环；在所述半导体漂移区内还设置第二导电类型埋层，所述第二导电类型埋层与半导体漂移区正面上的场氧化层间通过半导体漂移区隔离。本发明结构紧凑，利用所述终端结构能提高功率半导体器件在高温下的可靠性。
具有终端结构

[发明专利]栅极自箝位单管结构-CN202211003336.4在审
发明人：孔凡标;许生根;杨晓鸾;李哲峰 -专利权人：江苏中科君芯科技有限公司
申请日： 2022-08-19 - 公布日： 2022-11-29 - 主分类号： H01L23/62 文献下载
摘要：本发明涉及一种单管结构，尤其是一种栅极自箝位单管结构。按照本发明提供的技术方案，所述栅极自箝位单管结构，包括塑封栅控器件的单管框架；还包括用于栅极自箝位的TSV单元，所述TVS单元与塑封单管框架内栅控器件的栅极端与所述栅控器件的栅极箝位配合端适配电连接。本发明可以将单管的栅极箝位在安全电压范围内，免受静电或是电路中其他过冲电压的冲击；使得后续电路设计不用再考虑栅极保护，降低后续设计成本，继而避免栅极保护装置的使用，满足单管领域的应用需求。
栅极箝位结构

[发明专利]能降低正向导通压降的沟槽IGBT器件-CN201910773747.3有效
发明人：陈钱;许生根;张金平;姜梅 -专利权人：江苏中科君芯科技有限公司
申请日： 2019-08-21 - 公布日： 2022-11-25 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明涉及一种能降低正向导通压降的沟槽IGBT器件，其每个元胞内包括两个相邻的元胞沟槽，元胞内相邻的元胞沟槽间设置第二导电类型第二发射区以及第一导电类型载流子存贮区；在第一导电类型载流子存贮区的下方设置浮空区域，所述浮空区域的两端与元胞内两元胞沟槽的外侧壁接触，所述浮空区域包括第一导电类型浮空区以及第二导电类型浮空区，第二导电类型第二发射区、第一导电类型载流子存贮区的两端分别与两元胞沟槽的侧壁接触；发射极金属与第一导电类型发射区、第二导电类型第一发射区以及第二导电类型第二发射区欧姆接触。本发明提高载流子存贮层的掺杂浓度，能有效降低正向导通压降以及开关损耗。
降低向导通压降沟槽 igbt 器件

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