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专利名称

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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]一种用于痛风的中药组合物及其制备方法和应用-CN202211434331.7在审
发明人：文岚;陈锐;程斯文;许圣贤;张鑫;齐昊天;温晓娟 -专利权人：长春中医药大学
申请日： 2022-11-16 - 公布日： 2023-05-16 - 主分类号： A61K36/85 文献下载
摘要：本发明涉及中药技术领域，具体涉及一种用于痛风的中药组合物及其制备方法和应用，包括以下质量份数的原料：豨莶草10‑20份、赤苍藤12‑14份、桂枝14‑16份、川芎10‑20份、侧柏叶12‑14份、羌活10‑12份、辣椒8‑10份、蔓荆子6‑8份；本发明以豨莶草、赤苍藤、桂枝、川芎、侧柏叶、羌活、辣椒以及蔓荆子为原料，从中提取活性成分，用于治疗痛风症状，所制备的中药组合物，不仅能够有效缓解疼痛，而且还能够治疗痛风，具有较好的经济效益。
一种用于痛风中药组合及其制备方法应用

[发明专利]发光二极管及其制作方法-CN202111094317.2在审
发明人：林素慧;王锋;洪灵愿;许圣贤;陈思河;陈大钟;彭康伟;张家宏 -专利权人：厦门市三安光电科技有限公司
申请日： 2018-01-19 - 公布日： 2021-12-28 - 主分类号： H01L33/14 文献下载
摘要：本发明公开了一种发光二极管及其制作方法，在一些实施例中，所述发光二极管，包括：发光外延层，自上而下依次包括第一半导体层、发光层和第二半导体层，其上表面设有第一电极区，其包含焊盘区和扩展区；绝缘层，形成于所述第一半导体层的扩展区之上；透明导电层，形成于所述第一半导体层的表面之上，并覆盖所述绝缘层；保护层，形成于所述透明导电层的表面上，在所述扩展区形成第一开口，露出所述扩展区的透明导电层之部分表面；第一电极，形成于所述保护层上，包括焊盘部和扩展部，所述扩展部通过所述第一开口与所述扩展区的透明导电层形成电性连接。
发光二极管及其制作方法

[发明专利]一种发光二极管及其制作方法-CN202010355351.X有效
发明人：王绘凝;夏宏伟;栗伟;许圣贤;洪灵愿;彭康伟;林素慧 -专利权人：厦门三安光电有限公司
申请日： 2020-04-29 - 公布日： 2021-11-12 - 主分类号： H01L33/42 文献下载
摘要：本发明涉及一种发光二极管及其制作方法，其在透明电流扩展层的生长过程中，先沉积一层第一透明电流扩展层，并通过低温退火，形成具有固定晶格取向的晶体薄层，然后以此结晶好的晶体薄层为生长基板，继续生长第二透明电流扩展层，并再次进行高温退火，最终形成高结晶质量的透明导电薄膜，与现有技术相比，该透明导电薄膜具有更大的晶粒尺寸，并具有更好的透光性以及电流扩展性。
一种发光二极管及其制作方法

[发明专利]发光二极管及其制作方法-CN201880003521.9有效
发明人：林素慧;王锋;洪灵愿;许圣贤;陈思河;陈大钟;彭康伟;张家宏 -专利权人：厦门市三安光电科技有限公司
申请日： 2018-01-19 - 公布日： 2021-10-19 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种发光二极管及其制作方法，在一些实施例中，所述发光二极管，包括：发光外延层，自上而下依次包括第一半导体层、发光层和第二半导体层，其上表面设有第一电极区，其包含焊盘区和扩展区；绝缘层，形成于所述第一半导体层的扩展区之上；透明导电层，形成于所述第一半导体层的表面之上，并覆盖所述绝缘层；保护层，形成于所述透明导电层的表面上，在所述扩展区形成第一开口，露出所述扩展区的透明导电层之部分表面；第一电极，形成于所述保护层上，包括焊盘部和扩展部，所述扩展部通过所述第一开口与所述扩展区的透明导电层形成电性连接。
发光二极管及其制作方法

[实用新型]一种成衣压烫模具-CN202022652178.8有效
发明人：石峤;王刚;刘敬超;许圣贤;张玉刚 -专利权人：鲁泰纺织股份有限公司
申请日： 2020-11-17 - 公布日： 2021-08-20 - 主分类号： D06C15/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种成衣压烫模具，包括模块一，所述模块一上端面设有模块二、所述模块二上设有凹槽二，所述凹槽二中设有模块三和模块四，两者相邻，所述模块四上设有凹槽四，所述凹槽四中设有模块五。其优点在于，解决成衣多款式压烫，同时提高生产效率。
一种成衣模具

[发明专利]一种发光二极管及其制备方法-CN202110238594.X在审
发明人：栗伟;陈婉君;陈思河;许圣贤;夏宏伟;王绘凝;林素慧;洪灵愿;彭康伟 -专利权人：厦门三安光电有限公司
申请日： 2021-03-04 - 公布日： 2021-07-09 - 主分类号： H01L33/10 文献下载
摘要：本发明公开了一种发光二极管及制备方法，包括：衬底，具有相对设置的第一表面和第二表面；外延层，位于衬底的第一表面上，且外延层在衬底的第一表面上依次包括第一半导体层、有源层和第二半导体层；电流阻挡层，位于外延层的第二半导体层的部分表面上，且电流阻挡层中设置有反射结构；第一电极，与电流阻挡层设置有反射结构的一面相对应，并与外延层的第二半导体层电连接。由此，本发明的发光二极管能够有利于射向金属电极的光的反射，有效提高发光二极管的外量子效率，同时还保证金属电极下方的有效散热，提高芯片的可靠性。
一种发光二极管及其制备方法

[发明专利]发光二极管结构及其制作方法-CN201810219811.9有效
发明人：彭康伟;林素慧;何安和;许圣贤 -专利权人：厦门市三安光电科技有限公司
申请日： 2018-03-16 - 公布日： 2021-06-04 - 主分类号： H01L33/10 文献下载
摘要：本发明提供一种发光二极管结构及其制作方法，结构包括：衬底；发光外延结构，位于所述衬底上，包括依次层叠的N型半导体层、发光层以及P型半导体层，发光波长设为λ；其特征在于：所述外延层和/或衬底侧面分布有柱状波导结构，所述波导结构的宽度d于1/4λ的整数倍达到反射波导效果。本发明通过在外延层和/或衬底侧面分布有柱状波导结构，波导结构的宽度d于1/4λ的整数倍达到反射波导效果，能大大提升发光层发出的光线经外延层或衬底侧面的波导结构散射/反射后，再向外出射的几率，从而增强光萃取效率，提高发光二极管的亮度。
发光二极管结构及其制作方法

[发明专利]一种半导体发光元件及其制作方法-CN202080003013.8在审
发明人：陈功;许圣贤;林素慧;彭康伟;洪灵愿;何敏游 -专利权人：厦门三安光电有限公司
申请日： 2020-03-13 - 公布日： 2021-01-15 - 主分类号： H01L33/20 文献下载
摘要：一种半导体发光元件，其包括：透光衬底，由第一材料组成，透光衬底具有第一表面，第一表面包括第一区域和第二区域；半导体发光序列，堆叠在透光衬底的第一表面的第一区域，自第一表面开始依次包括第一导电型半导体层、发光层和第二导电型半导体层；透光衬底的第一表面的第一区域具有第一表面积与第一投影面积，透光衬底的第一表面第二区域具有第二表面积与第二投影面积，第二表面积与第二投影面积的比值大于第一表面积与第一投影面积的比值。
一种半导体发光元件及其制作方法

[实用新型]半导体发光元件及发光装置-CN202020499318.X有效
发明人：林素慧;许圣贤;沈孟骏;陈思河;詹宇;黄禹杰 -专利权人：厦门三安光电有限公司
申请日： 2020-10-21 - 公布日： 2020-11-27 - 主分类号： H01L33/62 文献下载
摘要：一种半导体发光元件，包括：发光外延结构；打线电极，形成于所述发光外延结构的表面上方；钝化层，覆盖所述打线电极的侧壁、打线电极周围外延结构的所述表面；保护结构，支撑于打线电极的上表面边缘并且水平延伸出去悬空在打线电极周围发光外延结构的所述表面一定高度。
半导体发光元件装置

[实用新型]一种半导体发光元件-CN202020766610.3有效
发明人：林素慧;许圣贤;沈孟骏;陈思河;陈功;黄禹杰 -专利权人：厦门三安光电有限公司
申请日： 2020-05-11 - 公布日： 2020-11-27 - 主分类号： H01L33/14 文献下载
摘要：本实用新型公开一种半导体发光元件，其包括半导体垒晶叠层，包括第一导电类型半导体层、第二导电类型半导体层和位于第一导电类型半导体层和第二导电类型半导体层之间的活性层；电流阻挡层，位于所述第二导电类型半导体层的远离活性层的一侧；第一电极，配置于所述第一导电类型半导体层上；第二电极，包含焊盘和扩展条，配置于所述第二导电类型半导体层上；其特征在于，所述第二电极的扩展条在所述电流阻挡层之上，并且所述第二电极的扩展条的端部超出所述电流阻挡层。本实用新型第二电极的扩展条的端部超出电流阻挡层，可改善电流聚集的情况，使电流分布更均匀，提升半导体发光元件的发光均匀性。
一种半导体发光元件

[发明专利]一种发光二极管的制作方法-CN201810079389.1有效
发明人：陈功;许圣贤;林素慧;彭康伟;洪灵愿;张家宏 -专利权人：厦门市三安光电科技有限公司
申请日： 2018-01-26 - 公布日： 2020-09-22 - 主分类号： H01L33/10 文献下载
摘要：本发明提出一种发光二极管的制作方法，包括工艺步骤：提供一衬底，并生长第一发光外延层；在第一发光外延层上形成掩膜层并进行图案化，形成图案化掩膜层；进行蚀刻工艺，使得第一发光外延层形成图案化凹凸结构；在图案化凹凸结构的凹坑中形成金属颗粒；继续生长第二发光外延层。
一种发光二极管制作方法

[实用新型]一种正装发光二极管芯片-CN201922330841.X有效
发明人：陈功;林素慧;许圣贤;何敏游;彭康伟;洪灵愿 -专利权人：厦门三安光电有限公司
申请日： 2019-12-23 - 公布日： 2020-07-28 - 主分类号： H01L33/14 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种正装发光二极管芯片，包括第二导电类型半导体层、发光层、第一导电类型半导体层和透明导电层，透明导电层开设第一开口，第一开口内设置至少一个第一电流阻挡层，第一电流阻挡层完全容纳在第一开口内；第一电流阻挡层与透明导电层之间未相互重叠且具有一定宽度的第一间隙；第一电流阻挡层上设置第一电极焊盘，第一电极焊盘具有第一表面完全覆盖第一电流阻挡层并且覆盖第一间隙以接触第一导电类型半导体层；当第一电流阻挡层为多个时，第一电流阻挡层之间留有第二间隙；本实用新型第一电流阻挡层完全内缩至第一电极焊盘下方，且第一电极焊盘与透明导电层无接触，提高了该芯片的可靠性。
一种发光二极管芯片

[发明专利]一种发光二极管的制作方法-CN201810079397.6有效
发明人：陈功;许圣贤;林素慧;彭康伟;洪灵愿;张家宏 -专利权人：厦门市三安光电科技有限公司
申请日： 2018-01-26 - 公布日： 2020-06-16 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明提出一种发光二极管的制作方法，包括工艺步骤：提供一磊晶片，包括衬底及发光外延层，并形成部分发光外延层；在部分发光外延层上形成掩膜层并进行图案化，形成图案化掩膜层；进行蚀刻工艺，使得发光外延层形成图案化凹凸结构；在图案化凹凸结构的凹坑中形成金属颗粒；进行电镀工艺，以金属颗粒作为晶种，沿着金属颗粒沉积生长，形成金属导光柱。
一种发光二极管制作方法

[发明专利]发光二极管及其制作方法-CN201980003933.7在审
发明人：王庆;陈大钟;许圣贤;洪灵愿;彭康伟;林素慧;张家宏 -专利权人：厦门市三安光电科技有限公司
申请日： 2019-03-01 - 公布日： 2020-04-10 - 主分类号： H01L33/10 文献下载
摘要：本发明公开了一种发光二极管及制备方法，该发光二极管包括:衬底，具有相对的上、下表面；DBR反射层，形成于所述衬底的上表面之上；半导体叠层，形成于所述DBR反射层之上，发射具有的第一波长的光；所述DBR反射层对于第一光波的反射率为30%以下；对于不同于第一光波的波长的第二光波的反射率为60%以上，所述第一光波为所述发光二极管发射，所述第二光波非所述发光二极管发射。
发光二极管及其制作方法

[发明专利]一种透明导电层及其制作方法、发光二极管-CN201710842710.2有效
发明人：王绘凝;许圣贤;洪灵愿;彭康伟;林素慧;徐宸科 -专利权人：厦门三安光电有限公司
申请日： 2017-09-18 - 公布日： 2019-12-17 - 主分类号： H01L33/42 文献下载
摘要：本发明公开了一种透明导电层及其制作方法、发光二极管，包括：提供一基材；在所述基材上依次形成底层透明导电层以及顶层透明导电层；在所述顶层透明导电层上形成图案化掩膜层；通过蚀刻工艺，从所述顶层透明导电层顶面朝向底层透明导电层底面方向，蚀刻形成若干个孔洞，藉由底层透明导电层的蚀刻速率大于顶层透明导电层的蚀刻速率，使得孔洞呈上窄下宽结构。
透明导电层顶层蚀刻孔洞基材上窄下宽结构图案化掩膜层发光二极管蚀刻工艺底面顶面制作

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