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[发明专利]互感器更换及装运辅助装置-CN201710711323.5有效
发明人：张家海;梅正南;吴应华;赵军;洪磊;骆小军;黄寅;吴璇;许修文;赵守信;李晓龙;钟永 -专利权人：国网安徽省电力公司滁州供电公司;国家电网公司
申请日： 2017-08-18 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： H02B3/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种互感器更换及装运辅助装置，包括升降推车和位置微调器；所述升降推车包括推车本体、载物平台、主剪叉式升降架以及用于驱动所述主剪叉式升降架升降的驱动机构，所述主剪叉式升降架的下端连接在所述推车本体上、上端连接在所述载物平台上；所述位置微调器设置在所述载物平台的顶面，所述位置微调器包括作业平台、升降平台等。本发明可用于运输互感器，并辅助互感器的拆装，本发明可将互感器直接送进开关柜出线仓，并可上、下粗调，前、后、左、右、上、下微调互感器的位置，实现了安全、方便、省时省力地实施互感器拆装、转运、装卸车工作，降低了劳动强度，并保证电气设备和检修人员人身安全，具有较高的推广应用价值。
互感器更换装运辅助装置

[发明专利]芯片封装结构-CN201811395162.4有效
发明人：谢智正;许修文 -专利权人：无锡超钰微电子有限公司
申请日： 2015-05-15 - 公布日： 2023-08-18 - 主分类号： H01L23/495 文献下载
摘要：本发明公开一种芯片封装结构，其可设置于一电路板上。芯片封装结构包括导电架及芯片。导电架具有一底部与凸出于底部的分隔板，且分隔板与底部电性连接。芯片设置于底部，且芯片与分隔板位于底部相同侧。芯片的背面具有一朝向底部设置的电极，且电极电性连接底部。芯片封装结构具有位于分隔板与芯片之间的一空隙。
芯片封装结构

[发明专利]沟槽式功率半导体元件及其制造方法-CN202111418264.5在审
发明人： 许修文 -专利权人：帅群微电子股份有限公司
申请日： 2021-11-26 - 公布日： 2023-05-30 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明提供一种沟槽式功率半导体元件及其制造方法。半导体元件包括外延层、底部绝缘层、栅绝缘层、遮蔽电极、栅极及隔离结构。外延层具有至少一沟槽，底部绝缘层与栅绝缘层分别覆盖沟槽的下方内壁面与上方内壁面。遮蔽电极设置于至少一沟槽内，底部绝缘层围绕遮蔽电极。栅极设置于遮蔽电极上，并通过栅绝缘层与外延层隔离。隔离结构位于栅极与遮蔽电极之间，包括覆盖部及间隔部分。覆盖部覆盖遮蔽电极的顶部以及底部绝缘层，定义出至少一凹陷区，间隔部分位于至少一凹陷区内。间隔部分包括第一阻隔部分以及填充主体部。第一阻隔部分夹设于填充主体部与覆盖部之间。填充主体部封闭至少一凹陷区，且填充主体部与第一阻隔部分分别由不同材料构成。
沟槽功率半导体元件及其制造方法

[实用新型]一种车场轨道-CN202222766125.8有效
发明人：黄英豪;芦翰林;曹建;姚德里;穆松;许修文;李翔 -专利权人：淮南矿业（集团）有限责任公司
申请日： 2022-10-18 - 公布日： 2023-01-31 - 主分类号： E01B23/02 文献下载
摘要：本实用新型提供一种车场轨道，括主轨道、多个分支轨道、道岔；车场轨道进车侧由主轨道分成多个分支轨道；多个分支轨道为并列相接设置；分支轨道相接点靠近主轨道的一侧转动连接有道岔；道岔能够沿轨道宽度方向移动。本实用新型在车场轨道中设置有主轨道、多个分支轨道、道岔，通过可移动道岔的设置，能够保证推车机能够在轨道内持续移动，进而保证推车机能够持续推车，一直将车辆推到指定位置，提高打运效率。
一种车场轨道

[发明专利]一种汽车自动加油设备及自动加油系统-CN202010348741.4有效
发明人：张翔;王洪波;李建英;徐博懿;王军伟;许修文;蒋序立 -专利权人：哈工大机器人（中山）有限公司
申请日： 2020-04-28 - 公布日： 2022-09-23 - 主分类号： B67D7/04 文献下载
摘要：本申请通过设置协同工作的油盖开启机构和加油机构，油盖开启机构能够自动开启汽车的油盖，加油机构能够自动向开启油盖后的油箱中注入汽油，加油过程全程实现自动化，免去了人工手动加油的繁琐过程，低了工作人员的劳动强度；通过六轴机器人对油箱进行开盖，六轴机器人灵活性高，可以对不同品牌、不同型号的车辆的油箱进行开盖，通用性强；通过设置X轴滑动模组、Z轴滑动模组、第一转动支架和Y轴滑动模组可以精准的的带动油枪进行多方向移动，避免油枪插入油箱的动作不精准损坏枪头，可适配不同品牌和型号的车辆；加油机构中还设置了内盖夹持机构，与第二开盖组件进行对接夹住油箱内盖，避免内盖阻碍加油。
一种汽车自动加油设备系统

[实用新型]一种立井式罐道喷油防腐装置-CN202220921750.2有效
发明人：黄英豪;许修文;朱广辉;曹建;姚德里;赵攀;贾淼 -专利权人：淮南矿业（集团）有限责任公司
申请日： 2022-04-20 - 公布日： 2022-08-26 - 主分类号： B05B13/02 文献下载
摘要：本实用新型公开一种立井式罐道喷油防腐装置，包括内部具有压力气体的第一压力罐和第二压力罐、油罐、多个雾化喷头、支撑架，所述第一压力罐连接所述油罐，所述油罐的油管组件连接多个所述雾化喷头，所述雾化喷头连接所述支撑架，所述第二压力罐的气管组件连接多个所述雾化喷头。本实用新型的有益效果：通过立井式罐道喷油装置的应用，大大减小了罐道锈蚀易磨损的问题，使罐道使用寿命增大，增大了矿井提升系统的安全系数，适应性强。
一种立井式罐道喷油防腐装置

[发明专利]一种用于隔离开关不停电检修的装置-CN202210604801.3在审
发明人：张家海;李志飞;骆小军;李赟;曹海;严广;姜淮;赵军;郭杰;黄强;许修文;洪磊 -专利权人：国网安徽省电力有限公司滁州供电公司;国家电网有限公司
申请日： 2022-05-31 - 公布日： 2022-08-16 - 主分类号： H02B3/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于隔离开关不停电检修的装置，其包括：垂直连杆限位装置、分合闸操作装置和锁定装置；垂直连杆限位装置包括用于套接在构架上的构架抱箍、用于套接在垂直连杆上的垂直连杆抱箍，在构架抱箍的两侧挂耳上、垂直连杆抱箍的中部设有轴座，各转轴座内设有转轴；并设置第一连接臂和第二连接臂，两个连接臂的一端连接在转轴上，两个连接臂的另一端分别连接在另一轴座内的转轴上；且两个连接臂均能伸缩并能锁定；可实现隔离开关无机构分合闸操作以及禁动，从而实现在机构故障或传动机构卡涩时分合闸操作和不停电下检修隔离开关的功能；同时本装置结构简单，安装操作便捷，并大大提高了工作效率，可重复利用，经济实用。
一种用于隔离开关不停检修装置

[发明专利]制作半导体元件的方法-CN201711190564.6有效
发明人：唐松年;陈和泰;许修文 -专利权人：帅群微电子股份有限公司
申请日： 2017-11-24 - 公布日： 2022-04-15 - 主分类号： H01L21/331 文献下载
摘要：制作半导体元件的方法包含以下操作：提供一基材；形成图案化遮罩层于基材上，图案化遮罩层具有第一开口，第一开口暴露出基材的一部分；移除暴露的基材部分，以在基材中形成凹槽，凹槽具有底部和侧壁；经由第一开口在凹槽的底部和侧壁掺杂第一n型掺杂剂，以形成空穴阻隔层包围凹槽的底部和侧壁；以及形成p型磊晶层于凹槽中。本揭露提供的半导体元件的制作方法，可以简化制程，提高生产效率以及合格率。
制作半导体元件方法

[发明专利]沟槽式功率半导体元件及其制造方法-CN201710908789.4有效
发明人： 许修文 -专利权人：帅群微电子股份有限公司
申请日： 2017-09-29 - 公布日： 2022-02-08 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明公开一种沟槽式功率半导体元件及其制造方法。沟槽式功率半导体元件的沟槽栅极结构包括一遮蔽电极、一位于遮蔽电极上方的栅极以及一位于遮蔽电极与栅极之间的极间介电层。在形成极间介电层之前，形成沟槽栅极结构的步骤至少包括：形成一叠层结构覆盖元件沟槽的内壁面，其中，叠层结构至少包括一半导体材料层以及一覆盖半导体材料层的初始内介电层；形成一重掺杂半导体材料于元件沟槽的下半部；以及去除一部分位于元件沟槽的上半部的初始内介电层，以裸露出半导体材料层的一上半部以及重掺杂半导体材料的顶部。如此，可以避免在后续制作过程中所形成的栅极的底部具有尖角。
沟槽功率半导体元件及其制造方法

[发明专利]沟槽式功率半导体元件及其制造方法-CN201710358757.1有效
发明人： 许修文;叶俊莹;倪君伟 -专利权人：帅群微电子股份有限公司
申请日： 2017-05-19 - 公布日： 2021-12-21 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明公开一种沟槽式功率半导体元件及其制造方法。沟槽式功率半导体元件的沟槽栅极结构位于一磊晶层的元件沟槽内，并至少包括遮蔽电极、栅极、绝缘层、中间介电层以及一内介电层。遮蔽电极设置于至少一元件沟槽的底部，栅极设置于遮蔽电极上并与遮蔽电极隔离。绝缘层覆盖元件沟槽的内壁面，而中间介电层位于绝缘层与遮蔽电极之间，并具有一底部开口。内介电层位于中间介电层与遮蔽电极之间，其中，构成中间介电层的材料与构成内介电层的材料相异，且内介电层填入底部开口内，以使沟槽栅极结构在遮蔽电极正下方的材料相同。
沟槽功率半导体元件及其制造方法

[发明专利]沟槽式功率半导体元件的制造方法-CN201710523935.1有效
发明人： 许修文;叶俊莹;倪君伟;李元铭 -专利权人：帅群微电子股份有限公司
申请日： 2017-06-30 - 公布日： 2021-11-30 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：一种沟槽式功率半导体元件的制造方法，以形成沟槽内具有遮蔽电极以及栅极电极的沟槽式功率半导体元件。沟槽式功率半导体元件的制造方法中至少包括形成沟槽栅极结构于外延层的沟槽内。沟槽栅极结构具有遮蔽电极、位于遮蔽电极上方的栅极以及一位于遮蔽电极与栅极之间的极间介电层，且形成沟槽栅极结构的步骤至少包括：形成一覆盖所述沟槽的内壁面的绝缘层；以及在形成极间介电层的步骤之前，形成初始间隔层，其中，初始间隔层具有分别覆盖绝缘层的两个内侧壁面的第一侧壁部以及第二侧壁部，第一侧壁部的底端与第二侧壁部的底端彼此分离，且第一侧壁部以及第二侧壁部都具有凸出于所述外延层的延伸部。
沟槽功率半导体元件制造方法

[发明专利]沟槽式功率半导体元件及其制造方法-CN201710523931.3有效
发明人： 许修文;叶俊莹;李元铭 -专利权人：帅群微电子股份有限公司
申请日： 2017-06-30 - 公布日： 2021-07-30 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：一种沟槽式功率半导体元件及其制造方法。沟槽式功率半导体元件的沟槽栅极结构位于一外延层的沟槽内，并至少包括一位于所述沟槽下半部的遮蔽电极、一位于所述遮蔽电极上方的栅极、一覆盖沟槽的下方内壁面的底部绝缘层、一位于遮蔽电极与栅极之间的极间介电层以及一覆盖沟槽的上方内壁面的上绝缘层。在形成极间介电层之前，形成沟槽栅极结构的步骤至少包括：形成底部绝缘层、遮蔽电极、上绝缘层以及一保护结构，其中，保护结构至少包括分别覆盖沟槽的两相对侧壁面的第一侧壁部及第二侧壁部。
沟槽功率半导体元件及其制造方法

[实用新型]一种变压器储油及注油装置-CN202021333804.0有效
发明人：张家海;严广;汤建华;曹海;马艳;武斌;梅正南;许修文;赵军;姜淮;骆小军 -专利权人：国网安徽省电力有限公司滁州供电公司;国家电网有限公司
申请日： 2020-07-08 - 公布日： 2020-12-22 - 主分类号： H01F27/14 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种变压器储油及注油装置，通过设置储油袋进油管、储油袋、注油控制阀、油泵进油管、油泵、油泵出油管；储油袋进油管的一端与变压器油枕连接，另一端与储油袋连接；油泵进油管的一端与储油袋连接，另一端与油泵连接；油泵出油管与变压器油枕的进油管连接；注油控制阀设在油泵进油管上。本申请通过设置储油袋来代替储油罐，装置连接完成后，开启变压器油枕排油口蝶阀，待油枕内变压器油全部放入储油袋中即可进行变压器油枕检修，无需储油罐和相关操作流程，运输方便、操作便捷，大大节省了施工成本及检修时间，提高了供电可靠性；同时，待变压器油枕检修完成后，开启油泵，调节注油控制阀控制注油速度，保证注油顺利完成。
一种变压器储油注油装置

[实用新型]一种变压器油枕带电补油及故障诊断装置-CN202021333805.5有效
发明人：张家海;严广;汤建华;梅正南;许修文;赵军;姜淮;曹海;马艳;骆小军;郭杰;武斌 -专利权人：国网安徽省电力有限公司滁州供电公司;国家电网有限公司
申请日： 2020-07-08 - 公布日： 2020-12-22 - 主分类号： H01F27/14 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种变压器油枕带电补油及故障诊断装置，通过设置与变压器油枕连接的充油系统、充气系统和排气系统；充油系统的油泵和补油控制阀设在进油管上；进油管的一端与油桶连通，另一端与变压器油枕的进油口连通；充气系统的减压阀设在充气管上；充气管的一端与氮气瓶连通，另一端与变压器油枕的呼吸器口连通；排气系统的声光报警装置、流量计设在变压器油枕的排气口上。本实用新型通过在进油管上设置补油控制阀，来对变压器油枕的进有油速进行控制，实现充油油速的稳定，从而避免了主变跳闸事故；同时，通过设置减压阀、流量计和声光报警装置来实现对变压器油枕进排气的控制和故障报警，大大提高了变压器油枕在充油时的可靠性。
一种变压器带电故障诊断装置

[发明专利]沟槽式功率半导体组件及其制造方法-CN201910333698.1在审
发明人： 许修文 -专利权人：帅群微电子股份有限公司
申请日： 2019-04-24 - 公布日： 2020-10-30 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明公开一种沟槽式功率半导体组件及其制造方法。在沟槽式功率半导体组件的制造方法中，形成沟槽式栅极结构的步骤是先在沟槽内形成遮蔽电极、底部绝缘层以及上绝缘层。底部绝缘层覆盖沟槽的一下方内壁面，并围绕遮蔽电极。上绝缘层覆盖沟槽的一上方内壁面，且上绝缘层的厚度小于底部绝缘层的厚度。之后，形成层间介电层以及U型屏蔽层于沟槽内。层间介电层设置于上绝缘层与U型屏蔽层之间。之后，通过U型屏蔽层，去除位于沟槽上半部的一部分上绝缘层以及一部分层间介电层，以形成一极间介电层。
沟槽功率半导体组件及其制造方法

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