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[发明专利]制造辐射检测结构-CN201580034377.1在审
发明人：拉金德拉·P·达哈尔;伊瑟拉·B·比哈特;亚龙·达农;詹姆斯·建强·鲁 -专利权人：伦斯勒理工学院
申请日： 2015-06-22 - 公布日： 2017-05-10 - 主分类号： G01T3/08 文献下载
摘要：提出用于制造辐射检测结构的方法。所述方法包括(例如)制造辐射检测结构，所述制造包括提供半导体衬底，所述半导体衬底具有从其表面延伸到所述半导体衬底中的多个凹腔；及将辐射检测材料的辐射检测粒子电泳式沉积至延伸到所述半导体衬底中的所述多个凹腔中，其中所述电泳式沉积用所述辐射检测粒子填充所述多个凹腔。在一个实施例中，所述提供可包括电化学蚀刻所述半导体衬底以形成延伸到所述半导体衬底中的所述多个凹腔。另外，所述提供可进一步包括用多个表面缺陷区域图案化所述半导体衬底的所述表面，且所述电化学蚀刻可包括使用所述多个表面缺陷区域来便于穿过所述多个表面缺陷区域电化学蚀刻到所述半导体衬底中，以形成所述多个凹腔。
制造辐射检测结构

[发明专利]辐射检测结构及其制造方法-CN201580034428.0在审
发明人：拉金德拉·P·达哈尔;伊瑟拉·B·比哈特;亚龙·达农;詹姆斯·建强·鲁 -专利权人：伦斯勒理工学院
申请日： 2015-06-22 - 公布日： 2017-02-22 - 主分类号： G01T3/08 文献下载
摘要：本发明呈现辐射检测结构及其制造方法。所述方法包含(例如)：提供衬底，所述衬底包含从其上表面延伸到所述衬底中的至少一个沟槽；以及从所述衬底的所述至少一个沟槽的一或多个侧壁外延地形成辐射响应性半导体材料层，所述辐射响应性半导体材料层通过在其中产生电荷载流子来响应于入射辐射。在一个实施例中，所述衬底的所述至少一个沟槽的所述侧壁包含所述衬底的(111)表面，其促进外延地形成所述辐射响应性半导体材料层。在另一实施例中，所述辐射响应性半导体材料层包含六方氮化硼，且所述外延地形成包含利用a轴线来提供所述六方氮化硼，所述a轴线平行于所述沟槽的所述侧壁。
辐射检测结构及其制造方法