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[发明专利]接合和释放层转移工艺-CN201680035760.3在审
发明人：弗兰乔斯·J·亨利;西恩·康;钟明宇;李明航 -专利权人： QMAT股份有限公司
申请日： 2016-06-17 - 公布日： 2018-03-02 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：实施方式将电子器件(例如，用于光电子器件的GaN)中所利用的薄层材料从施主转移到柄部衬底。某些实施方式使用接合‑释放系统，其中释放沿着通过将粒子注入施主中形成的切割平面而发生。一些实施方式可依赖于在谨慎控制的热条件下(例如，基于焊料的材料和/或含铟材料的热分解)通过将组分从固体转化为液体来释放。一些实施方式利用使用外延生长或注入区域作为光学吸收区域的激光诱导膜释放工艺。单一的接合‑释放序列可涉及加工GaN材料外露的N面。可连续使用多个接合‑释放序列(涉及加工外露的GaN材料的Ga面)，例如利用临时柄部衬底作为中间体。特定实施方式形成适合于制造高亮度发光二极管(HB‑LED)器件的高质量GaN的模板坯。
接合释放转移工艺

[发明专利]用于形成光电器件的技术-CN201480016417.5在审
发明人：弗兰乔斯·J·亨利;西恩·康;艾伯特·拉姆 -专利权人： QMAT股份有限公司
申请日： 2014-01-15 - 公布日： 2015-11-11 - 主分类号： H01L33/02 文献下载
摘要：实施方式涉及使用粒子加速器束流以从块状衬底形成材料的薄膜。在具体实施方式中，具有顶表面的块状衬底(例如，施体衬底)暴露于加速粒子的射束。在某些实施方式中，该块状衬底可包括GaN；在其他实施方式中，该块状衬底可包括Si、SiC、或者其他材料。然后，通过沿着通过从射束注入的粒子形成的裂化区域执行受控裂化处理使材料的薄膜或者晶片与块状衬底分开。在某些实施方式中，该分开的材料直接结合到光电器件中，例如从GaN块状材料裂化的GaN膜。在一些实施方式中，该分开的材料可以采用作为用于对光电器件有用的半导体材料(例如，GaN)的进一步生长的模板。
用于形成光电器件技术

[发明专利]用于形成光电子装置的技术-CN201380023625.3在审
发明人：弗兰乔斯·J·亨利;西恩·康;艾伯特·拉姆 -专利权人：硅源公司
申请日： 2013-05-03 - 公布日： 2015-01-07 - 主分类号： H01L21/30 文献下载
摘要：描述了涉及使用粒子加速器光束来从大块基板形成材料的薄膜的实施方式。在具体实施方式中，具有顶表面的大块基板被暴露到加速粒子的光束中。在某些实施方式中，该大块基板可包括GaN；在其他实施方式中，该大块基板可包括(111)单晶硅。然后，通过沿着由从光束灌输的颗粒形成的劈裂区域进行受控劈裂过程将薄膜或薄片材料与所述大块基板分离。在某些实施方式中，该分离的材料被直接结合在光电子装置内，例如，与从GaN大块材料劈裂的GaN薄膜。在一些实施方式中，该分离的材料可被用作模板，用于对光电子装置有用的的半导体材料(例如，GaN)的进一步生长。
用于形成光电子装置技术