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专利名称

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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]雾发生装置以及雾成膜方法和雾成膜装置-CN201980063513.8有效
发明人： 西康孝 -专利权人：株式会社尼康
申请日： 2019-07-18 - 公布日： 2023-07-14 - 主分类号： B05B17/04 文献下载
摘要：一种雾发生装置，为了在被处理物(P)的表面堆积由材料物质构成的层，将包含含有材料物质的微粒或分子的溶液的雾(Mst)的载气(CGS)喷雾至被处理物(P)的表面。雾发生装置具备：雾发生部(14)，将溶液雾化，送出包含雾(Mst)的载气(CGS)；以及紫外线照射部(20B)，在直至来自雾发生部(14)的载气(CGS)被喷雾至被处理物(P)的表面为止的流路中，对通过载气(CGS)而悬浮的雾(Mst)照射波长400nm以下的紫外线光。
发生装置以及雾成膜方法

[发明专利]元件制造方法及转印基板-CN201911389514.X有效
发明人：奈良圭;中积诚;西康孝 -专利权人：株式会社尼康
申请日： 2015-08-24 - 公布日： 2023-06-16 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：能减轻电子元件制造业者的负担，且制造高精度电子元件。将构成电子元件的至少一部分积层构造体形成于转印基板即第1基板上后，将积层构造体(52)转印至第2基板(P2)上的元件制造方法，具备：第1步骤，借由于第1基板(P1)上形成第1导电层(52a)，于第1导电层(52a)上形成功能层(52b)，于功能层(52b)上形成第2导电层(52c)，以形成积层构造体(52)；以及第2步骤，以第2导电层(52c)位于第2基板(P2)侧的方式使第1基板(P1)与第2基板(P2)暂时紧贴，以将积层构造体(52)转印至第2基板(P2)。
元件制造方法转印基板

[发明专利]ITO颗粒、分散液和ITO膜的制造方法-CN201880086445.2有效
发明人：村松淳司;蟹江澄志;铃木涼子;西康孝;中积诚 -专利权人：国立大学法人东北大学;株式会社尼康
申请日： 2018-11-27 - 公布日： 2023-03-28 - 主分类号： C01G19/00 文献下载
摘要：本发明提供一种ITO颗粒，其满足下述式(1)所示的关系。16×S/P2≤0.330···(1)(式中，S表示TEM拍摄照片中的颗粒面积，P表示该颗粒的外周长度)。
ito 颗粒分散制造方法

[发明专利]雾产生装置、薄膜制造装置以及薄膜制造方法-CN202180038566.1在审
发明人：铃木涼子;西康孝;奥井公太郎 -专利权人：株式会社尼康
申请日： 2021-05-28 - 公布日： 2023-02-03 - 主分类号： B05B17/04 文献下载
摘要：雾产生装置，具备：容器，该容器收纳液体；气体供给部，该气体供给部将气体供给至所述容器内；和电极，使该电极与所述液体之间产生所述气体的等离子体，从所述气体供给部的气体供给口供给的所述气体的供给方向与重力作用的方向不同。
产生装置薄膜制造以及方法

[发明专利]半导体装置、pH传感器、生物传感器以及半导体装置的制造方法-CN201780036095.4有效
发明人：中积诚;西康孝 -专利权人：株式会社尼康
申请日： 2017-07-20 - 公布日： 2022-12-27 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体装置，其特征在于，该半导体装置具有第1电极、第2电极、以及与第1电极和第2电极相接的半导体层，半导体层为包含锌(Zn)和镓(Ga)的尖晶石型的氧化物。
半导体装置 ph 传感器生物以及制造方法

[发明专利]雾成膜装置和雾成膜方法-CN202180010123.1在审
发明人：鬼头义昭;梶山比吕志;西康孝;奥井公太郎 -专利权人：株式会社尼康
申请日： 2021-01-20 - 公布日： 2022-09-02 - 主分类号： B05B5/057 文献下载
摘要：一种成膜装置，其将包含微粒的雾供给至基板，在基板的表面形成包含微粒的膜，该成膜装置具备：覆盖基板的表面的至少一部分的导风部件；以及将雾供给至基板的表面与导风部件之间的空间的雾供给部。雾供给部包括使雾带正电或带负电的带电赋予部；以及将通过带电赋予部而带电的雾向空间内喷出的雾喷出部。导风部件具有与基板的表面对置的壁面，包括使壁面产生与通过带电赋予部带电的雾相同符号的电位的静电场发生部。
雾成膜装置方法

[发明专利]雾气产生装置、成膜装置、雾气产生方法、成膜方法、及元件制造方法-CN201780016625.9有效
发明人：奈良圭;西康孝;中积诚;岩堀恒一郎;山田研太郎;铃木涼子 -专利权人：株式会社尼康
申请日： 2017-03-07 - 公布日： 2022-01-21 - 主分类号： B05B17/06 文献下载
摘要：本发明的产生包含微粒子(NP)的雾气(MT)的雾气产生装置(MG1)包含：容器(30a)，其保持包含微粒子(NP)的分散液(DIL)；第1振动部(32a)，其通过对容器(30a)内的分散液(DIL)赋予第1频率的振动，而抑制微粒子(NP)于分散液(DIL)中的凝集；以及第2振动部(34a)，其对容器(30a)内的分散液(DIL)赋予高于第1频率、且用以自分散液(DIL)的表面产生包含微粒子(NP)的雾气(MT)的第2频率的振动。
雾气产生装置方法元件制造

[发明专利]薄膜的制造方法-CN201910312665.9有效
发明人： 西康孝;中积诚 -专利权人：株式会社尼康
申请日： 2014-10-22 - 公布日： 2021-12-10 - 主分类号： H01B13/00 文献下载
摘要：本发明目的在于提供一种薄膜的制造方法，其代替现有技术的薄膜制造技术。本发明的薄膜的制造方法的特征在于，其包括：在所述成膜装置的第1槽中使含有微粒的分散液雾化的工序；将经雾化的分散液沿第1方向供给至第2槽顶部的入口中，并沿与第1方向相反的第2方向从第2槽顶部的出口排出经雾化的分散液，从而将经雾化的分散液经由所述成膜装置的第2槽搬送至第3槽的工序；将经雾化的所述分散液供给至第3槽中的基板上的工序；和使供给至所述基板上的所述分散液干燥的工序。
薄膜制造方法

[发明专利]纳米颗粒集合体和纳米颗粒集合体的制造方法-CN201780046479.4有效
发明人：浪平隆男;西康孝;中积诚;岩堀恒一郎 -专利权人：国立大学法人熊本大学;株式会社尼康
申请日： 2017-07-20 - 公布日： 2021-10-29 - 主分类号： C01G19/00 文献下载
摘要：本发明的课题在于提供一种具有通用性的纳米颗粒集合体。一种纳米颗粒集合体，其由平均一次粒径为60nm以下的纳米颗粒构成，其直径超过500nm且为5μm以下。
纳米颗粒集合体制造方法

[发明专利]布线图案的制造方法、晶体管的制造方法、以及转印用部件-CN201680030165.0有效
发明人：中积诚;西康孝;奈良圭 -专利权人：株式会社尼康
申请日： 2016-06-16 - 公布日： 2021-06-22 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：目的在于提供一种代替现有技术的新方法，作为获得施加有布线图案的薄膜的技术。本发明中的布线图案的制造方法的特征在于，具备：层叠体形成工序，其中，使具有抗蚀层和形成在所述抗蚀层上的金属层的第1部件与包括衬底的第2部件接触来形成层叠体；抗蚀层构图工序，其中，对所述抗蚀层进行构图；以及蚀刻工序，其中，选择性地去除所述金属层。
布线图案制造方法晶体管以及转印用部件

[发明专利]电子器件制造装置及方法、半导体装置和显示器-CN202010783480.9在审
发明人：奈良圭;中积诚;西康孝;中村有水;浪平隆男;高村纪充 -专利权人：株式会社尼康;国立大学法人熊本大学
申请日： 2016-02-17 - 公布日： 2020-11-03 - 主分类号： C23C16/448 文献下载
摘要：电子器件制造装置及方法、半导体装置和显示器。电子器件制造装置具备：输送部，其输送涂敷了感光性材料的、具有光的照射部分和未照射部分的基板；等离子体产生部，其具有配置于由所述输送部输送的所述基板的一个面侧的第1电极和第2电极，对所述第1电极与所述第2电极之间施加电压，使所述第1电极与所述第2电极之间产生等离子体；以及雾供给部，其使含有具有导电性的材料的雾通过所述第1电极与所述第2电极之间而供给至所述基板的所述一个面。
电子器件制造装置方法半导体显示器

[发明专利]薄膜制造装置和薄膜制造方法-CN201680010757.6有效
发明人：奈良圭;中积诚;西康孝;中村有水;浪平隆男;高村纪充 -专利权人：株式会社尼康;国立大学法人熊本大学
申请日： 2016-02-17 - 公布日： 2020-08-14 - 主分类号： C23C16/448 文献下载
摘要：目的在于提供一种能够进一步降低对基板的负荷的薄膜制造装置。一种薄膜制造装置，其将含有薄膜的形成材料的溶液的雾供给至基板而在所述基板上形成薄膜，其特征在于具备：等离子体产生部，其具有配置于所述基板的一个面侧的第1电极和第2电极，使所述第1电极与第2电极之间产生等离子体；和雾供给部，其使所述雾通过所述第1电极与所述第2电极之间而供给至所述基板。
薄膜制造装置方法

[发明专利]元件制造方法及转印基板-CN201580045821.X有效
发明人：奈良圭;中积诚;西康孝 -专利权人：株式会社尼康
申请日： 2015-08-24 - 公布日： 2020-01-21 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：能减轻电子元件制造业者的负担，且制造高精度电子元件。将构成电子元件的至少一部分积层构造体形成于转印基板即第1基板上后，将积层构造体(52)转印至第2基板(P2)上的元件制造方法，具备：第1步骤，藉由于第1基板(P1)上形成第1导电层(52a)，于第1导电层(52a)上形成功能层(52b)，于功能层(52b)上形成第2导电层(52c)，以形成积层构造体(52)；以及第2步骤，以第2导电层(52c)位于第2基板(P2)侧的方式使第1基板(P1)与第2基板(P2)暂时紧贴，以将积层构造体(52)转印至第2基板(P2)。
元件制造方法转印基板

[发明专利]转印基板-CN201910554294.5在审
发明人：奈良圭;中积诚;西康孝 -专利权人：株式会社尼康
申请日： 2015-08-24 - 公布日： 2019-10-25 - 主分类号： H01L21/34 文献下载
摘要：能减轻电子元件制造业者的负担，且制造高精度电子元件。将构成电子元件的至少一部分积层构造体形成于转印基板即第1基板上后，将积层构造体(52)转印至第2基板(P2)上的元件制造方法，具备：第1步骤，藉由于第1基板(P1)上形成第1导电层(52a)，于第1导电层(52a)上形成功能层(52b)，于功能层(52b)上形成第2导电层(52c)，以形成积层构造体(52)；以及第2步骤，以第2导电层(52c)位于第2基板(P2)侧的方式使第1基板(P1)与第2基板(P2)暂时紧贴，以将积层构造体(52)转印至第2基板(P2)。
第2基板导电层构造体积层第1基板转印基板功能层转印电子元件制造元件制造紧贴制造

[发明专利]金属氧化物膜的制造方法和晶体管的制造方法-CN201480042219.6有效
发明人：中积诚;西康孝 -专利权人：株式会社尼康
申请日： 2014-06-18 - 公布日： 2019-04-12 - 主分类号： C01B13/32 文献下载
摘要：本发明目的在于提供一种有效得到密合性良好的金属氧化物膜的技术。本发明中的金属氧化物膜的制造方法特征在于，其具备：将含有有机金属络合物的溶液涂布于基板上的涂布工序；将得到的涂膜暴露于臭氧的臭氧暴露工序；对所述涂膜进行加热的加热工序。
金属氧化物制造方法晶体管

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