“西嶋佳孝”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网_中国专利网

首页在售求购查询申请展会资讯专利榜企服商城升级VIP

立即登录免费注册

在售专利
求购专利
查询专利
新闻资讯
技术展会
招商加盟
专利榜

本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247

本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247

专利名称

专利名称
专利号码
专利分类
申请人
公布日期

农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

专利下载VIP

公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

钻瓜专利网为您找到相关结果8个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]光致抗蚀剂剥离剂组合物-CN200880016012.6有效
发明人：山边崇史;西嶋佳孝;安江秀国 -专利权人：长瀬化成株式会社
申请日： 2008-05-13 - 公布日： 2010-03-24 - 主分类号： G03F7/42 文献下载
摘要：本发明提供FPD制造用光致抗蚀剂剥离剂组合物，其能够在FPD制造工序中剥离光致抗蚀剂，而不会腐蚀Al或Al合金导线，而且也不会腐蚀Cu或Cu合金导线。本发明的光致抗蚀剂剥离剂组合物含有：选自由麦芽酚、2，6-二甲基-γ-吡喃酮、4-羟基-6-甲基-2-吡喃酮、4-羟基香豆素、2，4-二羟基喹啉、2-氨基-4，6-二羟基嘧啶、2，4-二氨基-6-羟基嘧啶、2-氨基-4-羟基-6-甲基嘧啶、4，6-二甲基-2-羟基嘧啶、尿嘧啶和6-甲基尿嘧啶组成的组中的至少一种杂环式化合物0.05～10重量％；烷醇伯胺或仲胺或者烷基伯胺或仲胺5～45重量％；极性有机溶剂30～94.85重量％；糖醇0.1～10重量％。
光致抗蚀剂剥离组合

[发明专利]溶解变形用药液及溶解变形处理方法-CN200910165973.X有效
发明人：城户秀作;安江秀国;西嶋佳孝 -专利权人： NEC液晶技术株式会社
申请日： 2009-08-20 - 公布日： 2010-02-24 - 主分类号： C09K13/00 文献下载
摘要：本发明的目的在于提供溶解变形用药液及溶解变形处理方法。其中，所述溶解变形用药液可以对有机膜图案进行均匀的溶解变形处理。本发明为一种溶解变形用药液，用于有机膜图案的溶解变形处理，其中，含有酰胺类及腈类中的至少任一种。另外，本发明为一种溶解变形用药液，用于有机膜图案的溶解变形处理，其中，至少含有含氮的碱成分和溶解变形用溶剂。
溶解变形用药处理方法

[发明专利]蚀刻液组合物-CN200780034013.9无效
发明人：山边崇史;西嶋佳孝;安江秀国;向喜广 -专利权人：长瀬化成株式会社
申请日： 2007-09-12 - 公布日： 2009-08-26 - 主分类号： H01L21/308 文献下载
摘要：本发明涉及一种蚀刻液组合物，该蚀刻液组合物含有草酸，萘磺酸缩合物或其盐，盐酸、硫酸和水溶性胺之中的至少一种物质，以及水，并且其是氧化铟锡透明导电膜用的蚀刻液组合物。该蚀刻液组合物不仅对形成在不具有底层膜的基板上的透明导电膜，而且还对在基板上的底层膜上形成的透明导电膜，均具有优异的蚀刻残渣除去能力，并能够抑制起泡，此外还无固体物质的析出，因而该蚀刻液组合物的寿命比现有产品更长。
蚀刻组合

[发明专利]蚀刻组合物-CN200810148933.X无效
发明人： 西嶋佳孝;安江秀国;山边崇史;向喜广;村田英夫 -专利权人：长瀬化成株式会社;日立金属株式会社
申请日： 2008-09-17 - 公布日： 2009-03-25 - 主分类号： C23F1/34 文献下载
摘要：本发明提供一种蚀刻组合物，该组合物在蚀刻含有Cu或Cu合金和Mo或Mo合金的层积金属层时，能够不发生侧蚀而得到具有令人满意的锥角的蚀刻截面形状，而这在以往的技术中是难以实现的。作为本发明的组合物的必要成分，含有选自由水溶液为碱性的磷酸盐和水溶液为碱性的羧酸盐组成的组中的至少一种盐、过氧化氢和水，所述蚀刻组合物用于同时蚀刻2层以上层积金属层的Cu或Cu合金以及Mo或Mo合金，所述2层以上层积金属层是由1层或2层以上Cu或Cu合金以及1层或2层以上Mo或Mo合金形成的。
蚀刻组合

[发明专利]化学溶液和使用它处理衬底的方法-CN200710154296.2有效
发明人：城户秀作;铃木圣二;安江秀国;西嶋佳孝 -专利权人： NLT科技股份有限公司
申请日： 2007-09-17 - 公布日： 2008-03-19 - 主分类号： G03F7/32 文献下载
摘要：提供一种用于至少去除在衬底上形成的有机膜图案的表面上形成的阻止层的化学溶液，阻止层由所述有机膜图案表面变质而形成的变质层和在所述有机膜图案表面上沉积沉积物而形成的沉积层中的至少一种构成。化学溶液由含有第一组分和第二组分的水溶液组成，所述第一组分由羟胺衍生物和肼衍生物中的至少一种组成，所述第二组分具有显影功能。
化学溶液使用处理衬底方法

[发明专利]处理液配制和供给方法及装置-CN03101512.3无效
发明人：中川俊元;片桐优子;小川修;小早川泰之;菊川诚;斋藤丰;西嶋佳孝 -专利权人：株式会社平间理化研究所;长濑产业株式会社;长濑CMS科学技术株式会社
申请日： 2003-01-16 - 公布日： 2003-07-30 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：处理液配制及供给装置，包括溶解配制池，向所述溶解配制池供给原料粉末和超纯水。该溶解配制池通过管子与基片处理装置相连，并将由原料粉末配制的处理液原位供给所述处理装置。为了降低超纯水中微生物浓度的增加，该超纯水基本上是不断循环的。在将该处理液供给使用方时，这样会抑制用于处理半导体基片的处理液的变质及浓度波动。这样还会减少颗粒并且提高经济效率。
处理配制供给方法装置

[发明专利]抗蚀剂剥离液控制装置-CN98108312.9无效
发明人：中川俊元;中川光元;小川修;西嶋佳孝;宝山隆博 -专利权人：株式会社平间理化研究所;长濑产业株式会社
申请日： 1998-05-12 - 公布日： 2003-05-14 - 主分类号： G03F7/42 文献下载
摘要：一种在半导体制造工艺或液晶基板制造工艺中对用于剥离抗蚀剂的抗蚀剂剥离液进行控制的装置，其目的是将抗蚀剂剥离液的质量控制恒定，而且削减溶液使用量，减少停机时间并降低成本。该控制装置具有一个用于通过吸光光度计16测定抗蚀剂剥离液中溶解的抗蚀剂浓度并补给抗蚀剂剥离原液、羟胺溶液、纯水以及预先调配好的抗蚀剂剥离新液中至少一种的抗蚀剂浓度测定·液体补给装置；以及一个用于通过吸光光度计15测定抗蚀剂剥离液中的羟胺浓度并补给抗蚀剂剥离原液、羟胺溶液和纯水中至少一种的羟胺浓度测定·液体补给装置。
抗蚀剂剥离控制装置

[发明专利]光刻胶剥离液管理装置-CN97110797.1无效
发明人：中川俊元;塚田光三;小川修;宝山隆博;西嶋佳孝 -专利权人：株式会社平间理化研究所;长濑产业株式会社
申请日： 1997-04-23 - 公布日： 2002-01-23 - 主分类号： G03F7/42 文献下载
摘要：光刻胶剥离液管理装置，为把光刻胶剥离液品质控制为恒定，削减液体使用量、减少工作时间和降低价格，构成为具有光刻胶剥离液排出装置，用于用吸光光度计16检测光刻胶剥离液的溶解光刻胶浓度以排出光刻胶剥离液；第1补给装置，用于用液面水平计3检测光刻胶剥离液的液面水平以补给光刻胶剥离原液和纯水；第2补给装置，用于用吸光光度计15检测光刻胶剥离液的水分浓度以补给光刻胶剥离原液和纯水中的至少一方。$#!
光刻剥离管理装置

1
共 8 条

友情链接：交换友情链接需要网站权重大于4，网站收录10W以上，如符合条件，请联系QQ：76009968。

关于我们寻求报道投稿须知广告合作版权声明网站地图友情链接企业标识联系我们

在线咨询

400-8765-105周一至周五 9:00-18:00

版权所有钻瓜科技（天津）有限公司津ICP备15000985号津公网安备 12019202000206号http://www.vipzhuanli.com/公布日期

咨询在线客服

咨询在线客服

tel code back_top