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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

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B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]光电转换器件及其制造方法、以及半导体器件-CN201110080669.2有效
发明人： 西和夫;菅原裕辅;高桥宽畅;荒尾达也 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2006-02-17 - 公布日： 2013-04-03 - 主分类号： H01L31/113 文献下载
摘要：本发明的目的是提供一种具有可以抑制静电放电损害的结构的光传感器。通常，在光接收区的整个表面上形成透明电极，然而，在本发明中，不形成透明电极，而是将光电转换层中的p型半导体层和n型半导体层用作电极。因此，在根据本发明的光传感器中，电阻增加且可以抑制静电放电损害。此外，将用作电极的p型半导体层和n型半导体层的位置分离开，且由此，增加电阻并且可以提高耐压。
光电转换器件及其制造方法以及半导体器件

[发明专利]太阳电池和半导体器件以及其制造方法-CN201210008282.0有效
发明人： 西和夫;青木智幸;伊佐敏行;藤井严 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2006-01-12 - 公布日： 2012-06-27 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明涉及太阳电池和半导体器件以及其制造方法，目的是通过使形成在太阳电池中的电极微细化，以实现太阳电池的微细化。本发明的太阳电池的制造方法，包括以下步骤：在衬底上形成第一电极层；在所述第一电极层上形成光电转换层；在所述光电转换层上形成有机材料层；在所述光电转换层中形成到达所述第一电极层的开口；在所述开口中填充导电膏以形成第二电极层，其中，所述有机材料层改变所述光电转换层的表面性质，因而增大所述导电膏和所述光电转换层的接触角。根据本发明，通过在光电转换层的表面上形成有机材料层，可以降低光电转换层的润湿性。从而，可以使电极层和绝缘分离层的形状变细。
太阳电池半导体器件及其制造方法

[发明专利]光电转换装置及其制造方法-CN201080025869.1有效
发明人：山崎舜平;铃木幸惠;西和夫 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2010-05-21 - 公布日： 2012-05-16 - 主分类号： H01L31/04 文献下载
摘要：本发明提供一种可以用简单的方法制造的多结光电转换装置。此外，提供一种不使制造工序复杂化而提高机械强度的光电转换装置。本发明的一种光电转换装置，包括：具备光电转换功能的第一单元；具备光电转换功能的第二单元；具备将第一单元及第二单元彼此牢固地接合并电连接的纤维体的结构体。其结果，可以提供一种确保pin结和pin结之间的充分的电连接并使半导体结串联连接的多结光电转换装置。
光电转换装置及其制造方法

[发明专利]光电转换装置及其制造方法-CN201080025840.3有效
发明人：山崎舜平;铃木幸惠;西和夫;荒井康行 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2010-05-18 - 公布日： 2012-05-16 - 主分类号： H01L31/04 文献下载
摘要：本发明的目的在于提供一种不使制造工序复杂化而提高机械强度的光电转换装置。所述光电转换装置包括：具备光电转换功能的第一单元；具备光电转换功能的第二单元；将第一单元及第二单元牢固接合的包括纤维体的结构体。其结果，pin结与其中使纤维体浸渍有机树脂的结构体即所谓的预浸料贴合，所以可以在抑制制造成本的同时实现提高机械强度的光电转换装置。
光电转换装置及其制造方法

[发明专利]光电转换装置-CN200680043181.X有效
发明人：荒尾达也;楠本直人;山田大干;高桥秀和;西和夫;菅原裕辅;高桥宽畅;深井修次 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2006-11-08 - 公布日： 2008-11-26 - 主分类号： H01L31/10 文献下载
摘要：形成一种光电转换装置，所述光电转换装置在第一电极和第二电极之间被提供有光电转换层。第一电极部分地与光电转换层接触，并且在接触部分中第一电极的截面形状是锥形形状。在这种情形下，具有一个电导率类型的第一半导体层的一部分与第一电极接触。在第一电极的边缘部分中的平面(planer)形状优选是无角度的，即，其中边缘是平面或曲面形状的形状。通过这种结构，可以抑制电场的集中和应力的集中，由此可以减小光电转换装置的特性退化。
光电转换装置

[发明专利]包括半导体的光电转换元件以及使用其的半导体装置-CN200810088343.2有效
发明人：楠本直人;西和夫;菅原裕辅 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2008-03-26 - 公布日： 2008-10-22 - 主分类号： H01L27/144 文献下载
摘要：本发明的目的为如下：在将光电转换元件安装在布线衬底等时，提高其固定强度，来解决接触不良及剥离等的问题。本发明涉及一种半导体装置，其中，在第一衬底上包括：光电转换层；包括至少两个薄膜晶体管的放大电路，该放大电路放大光电转换层的输出电流；以及供应高电位电源的第一电极及供应低电位电源的第二电极，该第一电极和第二电极电连接到所述光电转换层及所述放大电路，并且，在所述第一衬底的最上层包括：与导电材料形成合金的固定层，并且，在第二衬底上包括：第三电极和第四电极；以及固定所述第一电极和所述第三电极并固定所述第二电极和所述第四电极的所述导电材料。
包括半导体光电转换元件以及使用装置

[发明专利]光电转换装置、电子设备、以及光电转换装置的制造方法-CN200810009974.0有效
发明人：楠本直人;西和夫;菅原裕辅 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2008-02-15 - 公布日： 2008-08-20 - 主分类号： H01L27/144 文献下载
摘要：本发明的目的在于使光电转换装置和安装光电转换装置的构件之间的粘着强度增大且抑制光电转换装置和构件的剥离。本发明涉及一种光电转换装置，包括：其端部被削去为倾斜或者槽状的第一衬底；在第一衬底上的光电二极管以及放大光电二极管的输出电流的放大电路；设置在第一衬底的一个端部上的电连接到光电二极管的第一电极；设置在第一衬底的另一个端部上的电连接到放大电路的第二电极；包括第三电极以及第四电极的第二衬底。第一电极以及第三电极、和第二电极以及第四电极由导电材料粘结，该导电材料设置在彼此相对的第一、第二、第三以及第四电极的表面上以及第一以及第二电极的侧面上。
光电转换装置电子设备以及制造方法

[发明专利]半导体装置-CN200680027408.1有效
发明人： 西和夫;荒尾达也;广濑笃志;菅原裕辅;楠本直人;山田大干;高桥秀和 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2006-07-20 - 公布日： 2008-07-30 - 主分类号： G01J1/44 文献下载
摘要：本发明提供了一种能够探测从弱光到强光的光的光电转换器件，并且涉及一种光电转换器件，其具有：具有光电转换层的光电二极管；包括晶体管的放大器电路；以及开关，其中，当入射光的强度低于预定强度时，通过所述开关使所述光电二极管和所述放大器电路相互电连接，从而通过所述放大器电路将光电电流放大，以供输出，并且可以通过所述开关使所述光电二极管和部分或全部所述放大器电路电断开，从而按照放大系数降低光电电流，以供输出。根据这样的光电转换器件，能够探测从弱光到强光的光。
半导体装置

[发明专利]半导体装置-CN200710086231.9有效
发明人：荒尾达也;山田大干;高桥秀和;楠本直人;西和夫;菅原裕辅;高桥宽畅 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2007-03-09 - 公布日： 2007-09-12 - 主分类号： H01L31/101 文献下载
摘要：本发明的目的在于获得一种可防止污染物质混入到光电转换层、分光感度特性良好、并输出电流的偏差小的光电转换装置。在包括光电转换装置的半导体装置中，获得一种可靠性高的半导体装置。本发明提供一种半导体装置，其在绝缘表面上包括：第一电极；第二电极；在所述第一电极和第二电极之间的彩色滤光片；覆盖所述彩色滤光片的覆盖层；以及在所述覆盖层上的、包括p型半导体层、i型半导体层及n型半导体层的光电转换层，其中所述光电转换层的一个端部与所述第一电极接触，并且所述彩色滤光片的端部位于所述光电转换层的另一个端部的内侧。
半导体装置

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN200580024505.0有效
发明人： 西和夫;丸山纯矢;楠本直人;菅原裕辅 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2005-05-16 - 公布日： 2007-06-27 - 主分类号： H01L31/02 文献下载
摘要：本发明的目的是提供一种通过并行地执行形成薄膜晶体管的步骤和形成光电变换层的步骤在短时间内制造的半导体器件，以及提供其制造工艺。根据本发明，以如下方式制造一种半导体器件，其中在第一衬底上方形成薄膜晶体管，在第二衬底上方形成光电变换元件，以及通过在彼此相对的第一衬底和第二衬底之间夹置导电层电连接薄膜晶体管和光电变换元件，以使薄膜晶体管和光电变换元件位于第一和第二衬底之间。因此，可以提供一种半导体器件的制造方法，其抑制了步骤数增加并增加了生产量。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]光电转换装置及其制造方法-CN200610084883.4有效
发明人：荒尾达也;广濑笃志;西和夫;菅原裕辅 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2006-05-23 - 公布日： 2006-12-13 - 主分类号： G01J1/44 文献下载
摘要：本发明的一个目标是提供一种检测从弱光到强光范围的光的光电转换装置。本发明涉及一种光电转换装置，它包括具有光电转换层的光电二极管、包括薄膜晶体管的放大器电路以及偏置切换装置，其中当入射光的强度超过预定强度时，通过偏置切换装置切换与光电二极管和放大器电路相连的偏置，因此，小于预定强度的光被光电二极管检测而大于预定强度的光被放大器电路的薄膜晶体管检测。通过本发明，可以检测从弱光到强光范围的光。
光电转换装置及其制造方法

[发明专利]光电转换装置及其制造方法和半导体装置-CN200610082461.3有效
发明人：菅原裕辅;西和夫;荒尾达也;山田大干;高桥秀和;楠本直人 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2006-05-22 - 公布日： 2006-11-22 - 主分类号： H01L31/08 文献下载
摘要：本发明提供一种光电转换装置，其中漏电流得到抑制。本发明的光电转换装置包括：衬底上的第一电极；第一电极上的光电转换层，该光电转换层包括具有一种导电性的第一导电层、第二半导体层以及具有与第一半导体层的导电性相反导电性的第三半导体层，其中第一电极的末端部分覆盖有第一半导体层；在第三半导体层之上提供绝缘薄膜，在该绝缘薄膜之上提供与第三半导体薄膜电连接的第二电极，该绝缘薄膜位于第三半导体薄膜和第二电极之间，且其中位于光电转换层区域中的第二半导体层的一部分和第三半导体层的一部分被去除，该区域没有覆盖绝缘薄膜。
光电转换装置及其制造方法半导体

[发明专利]太阳能电池及其色调节方法-CN200610073777.6有效
发明人：师冈久雄;越前谷刚;藤冈裕一;高桥沙希;西和夫 -专利权人： TDK株式会社;株式会社半导体能源研究所
申请日： 2006-03-30 - 公布日： 2006-10-04 - 主分类号： H01L31/042 文献下载
摘要：本发明提供可抑制红色地调节外观色的太阳能电池。当光电转换层(4)包含非晶硅时，在该光电转换层(4)与反射电极层(2)之间设置光吸收层(3)。光电转换层(4)(非晶硅)主要对短中波段具有有选择地光吸收特性，而该光吸收层(3)主要对长波段具有光吸收特性。经由光电转换层(4)的入射光(太阳光)(L)再经过光吸收层(3)后在反射电极层(2)上反射，即入射光(L)中在光电转换层(4)和光吸收层(3)上被吸收后的残余光在反射电极层(2)反射，因此与在光电转换层(4)与反射电极层(2)之间不设光吸收层(3)的情况相比，抑制了反射光(R)的红色。
太阳能电池及其色调方法

[发明专利]光电转换器件及其制造方法、以及半导体器件-CN200610009063.9有效
发明人： 西和夫;菅原裕辅;高桥宽畅;荒尾达也 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2006-02-17 - 公布日： 2006-09-13 - 主分类号： H01L31/04 文献下载
摘要：本发明的目的是提供一种具有可以抑制静电放电损害的结构的光传感器。通常，在光接收区的整个表面上形成透明电极，然而，在本发明中，不形成透明电极，而是将光电转换层中的p型半导体层和n型半导体层用作电极。因此，在根据本发明的光传感器中，电阻增加且可以抑制静电放电损害。此外，将用作电极的p型半导体层和n型半导体层的位置分离开，且由此，增加电阻并且可以提高耐压。
光电转换器件及其制造方法以及半导体器件

[发明专利]太阳电池和半导体器件以及其制造方法-CN200610005127.8有效
发明人： 西和夫;青木智幸;伊佐敏行;藤井严 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2006-01-12 - 公布日： 2006-08-30 - 主分类号： H01L51/48 文献下载
摘要：本发明的目的是通过使形成在太阳电池中的电极微细化，以实现太阳电池的微细化。本发明的太阳电池的制造方法，包括以下步骤：在衬底上形成第一电极层；在所述第一电极层上形成光电转换层；在所述光电转换层上形成有机材料层；在所述光电转换层中形成到达所述第一电极层的开口；在所述开口中填充导电膏以形成第二电极层，其中，所述有机材料层改变所述光电转换层的表面性质，因而增大所述导电膏和所述光电转换层的接触角。根据本发明，通过在光电转换层的表面上形成有机材料层，可以降低光电转换层的润湿性。从而，可以使电极层和绝缘分离层的形状变细。
太阳电池半导体器件及其制造方法

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