专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]工艺推定方法以及装置-CN202310178097.4在审
  • 西内武司;谷奥泰明 - 株式会社博迈立铖
  • 2023-02-28 - 2023-09-05 - G05B19/418
  • 本发明涉及推定材料制造时的工艺的工艺推定方法和装置,即使是不同的制造装置也能够再现性良好地制造材料。对第一工艺数据(411)与从第一制造装置(210)中的对象工序后的样品得到的组织数据(412)的关系进行机器学习,生成表示它们的相关性的第一回归模型(451),并且对第二工艺数据(431)与从第二制造装置中的对象工序后的样品得到的组织数据(432)的关系进行机器学习,生成表示它们的相关性的第二回归模型(452),基于第一回归模型(451)和第二回归模型(452),生成表示第一工艺数据(411)与第二工艺数据(431)的相关性的第三回归模型(453),使用第三回归模型(453),推定与推定源第一工艺数据(420)对应的推定第二工艺数据(440)。
  • 工艺推定方法以及装置
  • [发明专利]R-T-B系烧结磁体的制造方法-CN201880053770.9有效
  • 野泽宣介;重本恭孝;西内武司 - 日立金属株式会社
  • 2018-09-21 - 2021-08-27 - H01F41/02
  • 本发明的R-T-B系烧结磁体的制造方法包括:准备R1-T1-B系烧结体的工序;准备R2-Ga-Cu-Co系合金的工序;使上述合金的至少一部分与上述烧结体的表面的至少一部分接触,在真空或不活泼气体气氛中以700℃以上1100℃以下的温度实施第一热处理的工序;和对实施第一热处理后的R1-T1-B系烧结体在真空或不活泼气体气氛中以450℃以上600℃以下的温度实施第二热处理的工序。R1、R2为稀土元素中的至少一种且必须包含Nd和Pr的至少一者。T1相对于B的mol比([T1]/[B])超过14.0且为15.0以下。
  • 烧结磁体制造方法
  • [发明专利]R-T-B系烧结磁体及其制造方法-CN201780074435.2有效
  • 野泽宣介;重本恭孝;西内武司 - 日立金属株式会社
  • 2017-11-30 - 2020-03-03 - H01F41/02
  • 本发明的R-T-B系烧结磁体在实施方式中具有R:27mass%以上37mass%以下(R为稀土元素中的至少一种,必须含有Nd和Pr中的至少一方)、B:0.75mass%以上0.97mass%以下、Ga:0.1mass%以上1.0mass%以下、Cu:0mass%以上1.0mass%以下、T:61.03mass%以上(T为选自Fe、Co、Al、Mn和Si中的至少一种,必须含有Fe,Fe的含量相对于T整体为80mass%以上)的组成。T相对于B的摩尔比([T]/[B])超过14.0。磁体表面部的R量比磁体中央部的R量多,磁体表面部的Ga量比磁体中央部的Ga量多。磁体表面部的T相对于B的摩尔比([T]/[B])比磁体中央部的T相对于B的摩尔比([T]/[B])高。
  • 烧结磁体及其制造方法
  • [发明专利]R-T-B系烧结磁体-CN201610117968.1有效
  • 野泽宣介;古泽大介;西内武司;深川智机 - 日立金属株式会社
  • 2016-03-02 - 2020-01-17 - H01F1/057
  • 提供一种R-T-B系烧结磁体,其特征在于,下述式(1)所示的组成满足下述式(2)~(10),uRwBaCxGazAlvCoqTigFejM(1)29.0≤u≤34.0(2)、0.80≤w≤0.92(3)、0.10≤a≤0.20(4)、0.3≤x≤0.8(5)、0.05≤z≤0.5(6)、0≤v≤3.0(7)、0.15≤q≤0.29(8)、58.29≤g≤69.60(9)、0≤j≤2.0(10),在将g除以Fe的原子量而得的值设为g’、将v除以Co的原子量而得的值设为v’、将z除以Al的原子量而得的值设为z’、将w除以B的原子量而得的值设为w’、将a除以C的原子量而得的值设为a’、将q除以Ti的原子量而得的值设为q’时,满足下述式(A)及(B)。-0.02≤(g’+v’+z’)-(14×(w’+a’-2×q’))(A),0.02≥(g’+v’+z’)-(14×(w’+a’-q’))(B)。
  • 烧结磁体
  • [发明专利]R-T-B系烧结磁体的制造方法-CN201680010761.2有效
  • 西内武司;重本恭孝;野泽宣介 - 日立金属株式会社
  • 2016-02-16 - 2019-06-28 - H01F41/02
  • 本发明提供一种R-T-B系烧结磁体的制造方法,该R-T-B系烧结磁体直至磁体内部的二颗粒晶界能够变厚,即使进行表面研削、矫顽力提高效果也不会大幅受损,即使不使用重稀土元素也具有高的矫顽力。[解决手段]该制造方法包括:准备以Ti/(X-2A)的mol比为13以上作为主要特征的R1-T1-A-X(R1主要为Nd,T1主要为Fe,A为Ga、Ti、Zr、Hf、V、Nb和Mo中的至少一种,X主要为B)系合金烧结体的工序;准备R2-Ga-Cu(R2主要为Pr和/或Nd且R2为65mol%以上95mol%以下,Cu/(Ga+Cu)以mol比计为0.1以上0.9以下)系合金的工序;和使R2-Ga-Cu系合金的至少一部分与R1-T1-A-X系合金烧结体表面的至少一部分接触,在450℃~600℃的温度进行热处理的工序。
  • 烧结磁体制造方法
  • [发明专利]R-T-B系烧结磁体及其制造方法-CN201580007076.X有效
  • 深川智机;野泽宣介;西内武司;古泽大介;坂下信一郎 - 日立金属株式会社
  • 2015-02-27 - 2018-10-23 - H01F41/02
  • 一种R‑T‑B系烧结磁体,其特征在于,下述式(1)所示的组成满足下述式(2)~(9),uRwBxGazAlvCoqTigFejM(1)(R为稀土类元素中的至少一种且必须包含Nd,M为R、B、Ga、Al、Co、Ti和Fe以外的元素,u、w、x、z、v、q、g、j表示质量%);29.0≤u≤32.0(2)(其中,重稀土类元素RH为R‑T‑B系烧结磁体的10质量%以下);0.93≤w≤1.00(3)0.3≤x≤0.8(4);0.05≤z≤0.5(5);0≤v≤3.0(6);0.15≤q≤0.28(7);60.42≤g≤69.57(8);0≤j≤2.0(9);并且g除以Fe的原子量所得的值设为g’,v除以Co的原子量所得的值设为v’,z除以Al的原子量所得的值设为z’,w除以B的原子量所得的值设为w’,q除以Ti的原子量所得的值设为q’时,满足下述式(A)和(B)。0.06≤(g’+v’+z’)‑(14×(w’‑2×q’))(A)0.10≥(g’+v’+z’)‑(14×(w’‑q’))(B)。
  • 烧结磁体及其制造方法
  • [发明专利]R-T-B系烧结磁体-CN201480043012.0有效
  • 西内武司;神田乔之;石井伦太郎;国吉太;佐藤铁兵 - 日立金属株式会社
  • 2014-08-11 - 2018-10-16 - H01F1/057
  • 提供一种抑制Dy的含量且具有高Br和高HcJ的R-T-B系烧结磁体。一种R-T-B系烧结磁体,其用式uRwBxGayCuzAlqM余量T(R包含RL和RH,RL为Nd和/或Pr,RH为Dy和/或Tb、T为Fe,可以用Co置换10质量%以下的Fe,M为Nb和/或Zr,且包含不可避免的杂质,u、w、x、y、z、q表示质量%)表示,RH为R-T-B系烧结磁体的5质量%以下,0.4≤x≤1.0,0.07≤y≤1.0,0.05≤z≤0.5,0≤q≤0.1,0.100≤y/(x+y)≤0.340,在将氧量(质量%)设为α、将氮量(质量%)设为β、将碳量(质量%)设为γ时,v=u-(6α+10β+8γ),v、w满足v≤32.0、0.84≤w≤0.93、-12.5w+38.75≤v≤-62.5w+86.125。
  • 烧结磁体氮量碳量置换
  • [发明专利]R-T-B系烧结磁体-CN201480017376.1有效
  • 西内武司;国吉太;石井伦太郎;川田常宏 - 日立金属株式会社
  • 2014-03-27 - 2018-07-24 - H01F1/08
  • 为了解决B浓度降低所导致的Br大幅降低、以及HcJ不能充分满足近年来的要求的问题,本发明提供一种不使用Dy、且具有较高的Br和较高的HcJ的R‑T‑B系烧结磁体。该R‑T‑B系烧结磁体以Nd2Fe14B型化合物作为主相,且具有所述主相、存在于两个主相间的第一晶界以及存在于三个以上主相间的第二晶界,在R‑T‑B系烧结磁体中存在有厚度为5nm以上且30nm以下的所述第一晶界。
  • 烧结磁体
  • [发明专利]R-T-B系烧结磁体-CN201480017399.2有效
  • 国吉太;石井伦太郎;西内武司;川田常宏 - 日立金属株式会社
  • 2014-03-27 - 2018-05-18 - H01F1/08
  • 本发明提供一种不使用Dy、且具有较高的Br和较高的HcJ的R‑T‑B系烧结磁体。该R‑T‑B系烧结磁体以Nd2Fe14B型化合物作为主相,且具有所述主相、存在于两个主相间的第一晶界以及存在于三个以上主相间的第二晶界,其中,R:29.0质量%以上且31.5质量%以下;B:0.86质量%以上且0.90质量%以下;Ga:0.4质量%以上且0.6质量%以下;Al:0.5质量%以下(包含0质量%);余量由T和不可避免的杂质构成。
  • 烧结磁体

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