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- [发明专利]半导体超结功率器件-CN202210281110.4在审
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王鹏飞;刘磊;袁愿林;王睿
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苏州东微半导体股份有限公司
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2022-03-21
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2023-09-29
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H01L29/423
- 本发明实施例提供的一种半导体超结功率器件，包括：n型漏区；位于所述n型漏区之上的n型漂移区；若干个p型柱，所述p型柱与所述n型漂移区之间形成电荷平衡结构；所述p型柱顶部设有第一p型体区，所述第一p型体区内设有第一n型源区；部分相邻的所述第一p型体区之间设有一个第一栅沟槽，所述第一栅沟槽内设有第一栅介质层和第一栅极；剩余的相邻的所述第一p型体区之间设有至少两个第二栅沟槽，所述第二栅沟槽内均设有第二栅介质层和第二栅极。本发明可以调节半导体超结功率器件的栅漏电容的变化曲线，降低由栅漏电容突变引起的栅极电压震荡。
- 半导体功率器件
- [发明专利]IGBT器件及其制造方法-CN202111576883.7在审
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林敏之;刘伟;刘磊;袁愿林
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苏州东微半导体股份有限公司
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2021-12-22
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2023-06-27
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H01L29/06
- 本发明属于半导体功率器件技术领域，具体公开了一种IGBT器件及其制造方法，IGBT器件包括元胞区和终端区，元胞区包括：p型集电极区；位于p型集电极区之上的n型半导体层；位于n型半导体层内的若干个栅沟槽；位于栅沟槽的下部内的屏蔽栅和位于栅沟槽的上部内的栅极，栅极、屏蔽栅与所述n型半导体层之间互相绝缘隔离；位于所述n型半导体层内且介于相邻的所述栅沟槽之间的p型体区，所述p型体区内设有n型发射极区；位于所述n型半导体层内且介于相邻的所述屏蔽栅之间的n型电荷存储区，其中部分所述屏蔽栅之间设有n型电荷存储区，n型电荷存储区设置于p型体区邻近p型集电极区的一侧，且部分屏蔽栅之间未设有n型电荷存储区。
- igbt器件及其制造方法
- [发明专利]IGBT器件-CN202111534459.6在审
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林敏之;刘磊;刘伟;袁愿林
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苏州东微半导体股份有限公司
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2021-12-15
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2023-06-16
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H01L29/06
- 本发明属于半导体功率器件技术领域，具体公开了一种IGBT器件，包括n型半导体层；位于n型半导体层内的若干个p型体区，位于n型半导体层内且介于相邻的p型体区之间的栅沟槽，位于栅沟槽的下部内的屏蔽栅，位于栅沟槽的上部内的栅极，所述栅极、屏蔽栅与n型半导体层之间互相绝缘隔离；若干个p型体区中，至少有一个p型体区具有第一掺杂浓度并定义为第一p型体区，且至少有一个p型体区具有第二掺杂浓度并定义为第二p型体区，第一p型体区的第一掺杂浓度小于第二p型体区的第二掺杂浓度；至少有一个与第一p型体区相邻的栅沟槽内的屏蔽栅外接栅极电压，剩余的栅沟槽内的屏蔽栅外接发射极电压。
- igbt器件
- [发明专利]IGBT器件-CN202111561080.4在审
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刘伟;林敏之;袁愿林;王睿
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苏州东微半导体股份有限公司
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2021-12-15
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2023-06-16
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H01L29/06
- 本发明属于半导体功率器件技术领域，具体公开了一种IGBT器件，n型半导体层内的若干个栅沟槽，位于栅沟槽的下部内的屏蔽栅，位于栅沟槽的上部内的栅极，栅极、屏蔽栅与n型半导体层之间互相绝缘隔离；部分屏蔽栅外接栅极电压并定义为第一屏蔽栅，剩余的屏蔽栅外接发射极电压并定义为第二屏蔽栅，第一屏蔽栅与第二屏蔽栅交替间隔设置；位于n型半导体层内且介于相邻的栅沟槽之间的p型体区，p型体区包括第一p型体区和第二p型体区两部分，第一p型体区位于靠近相邻的第一屏蔽栅的一侧，第二p型体区位于靠近相邻的第二屏蔽栅的一侧，第一p型体区的掺杂浓度小于第二p型体区的掺杂浓度。
- igbt器件
- [发明专利]半导体超结功率器件-CN202111359631.9在审
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刘伟;刘磊;袁愿林;王睿
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苏州东微半导体股份有限公司
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2021-11-17
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2023-05-19
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H01L29/06
- 本发明实施例提供的一种半导体超结功率器件，包括n型漏区、n型漂移区、多个p型柱，所述多个p型柱中的每个p型柱的宽度相等，且相邻的两个所述p型柱之间的间距相等；所述p型柱的顶部设有与所述p型柱一一对应的p型体区，所述p型体区内设有n型源区，所述p型体区的宽度均相等；介于相邻两个所述p型体区之间的两个栅沟槽，所述栅沟槽的宽度均相等；至少有部分p型体区的对称轴线与其对应的p型柱的对称轴线产生偏移，使得相邻两个所述p型体区之间的两个栅沟槽之间的间距具有至少两种不同的间距值。本发明可以使得半导体超结功率器件在开启或关断时的栅漏电容突变速度降低，减小半导体超结功率器件的栅极电压震荡。
- 半导体功率器件
- [发明专利]半导体超结功率器件-CN202111359635.7在审
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刘伟;刘磊;袁愿林;王睿
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苏州东微半导体股份有限公司
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2021-11-17
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2023-05-19
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H01L29/06
- 本发明实施例提供的一种半导体超结功率器件，包括n型漏区、n型漂移区、多个p型柱；所述多个p型柱中的每个p型柱的宽度相等，且相邻的两个所述p型柱之间的间距相等；所述多个p型柱中的每个所述p型柱的顶部分别设有与所述p型柱一一对应的p型体区，所述p型体区的宽度均相等；所述p型体区内设有n型源区，控制所述n型源区与所述n型漂移区之间的电流沟道的开启和关断的栅极结构；位于所述n型漂移区上方且介于相邻的所述p型体区之间的JFET区，所述JFET区设有两种或两种以上的不同宽度。本发明可以使得半导体超结功率器件在开启或关断时的栅漏电容突变速度降低，减小半导体超结功率器件的栅极电压震荡。
- 半导体功率器件
- [发明专利]半导体超结功率器件-CN202111359722.2在审
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刘磊;刘伟;袁愿林;王睿
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苏州东微半导体股份有限公司
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2021-11-17
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2023-05-19
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H01L29/423
- 本发明实施例提供的一种半导体超结功率器件，包括：n型漏区；位于所述n型漏区之上的n型漂移区；若干个宽度相同的p型柱，相邻的两个所述p型柱之间的间距相同；所述p型柱顶部设有第一p型体区，所述第一p型体区的宽度相同，所述第一p型体区内设有第一n型源区；介于相邻两个所述第一p型体区之间的两个栅沟槽，所述栅沟槽内设有栅介质层和栅极；所述栅沟槽设有至少两种不同的宽度，使得相邻两个所述第一p型体区之间的两个所述栅沟槽之间的间距具有至少两种不同的间距值。本发明可以调节半导体超结功率器件的栅漏电容的变化曲线，并降低导通电阻。
- 半导体功率器件
- [发明专利]半导体功率器件-CN202111170049.8在审
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刘磊;刘伟;袁愿林;王睿
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苏州东微半导体股份有限公司
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2021-10-08
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2023-04-14
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H01L29/06
- 本发明实施例提供的一种半导体功率器件，包括：n型漏区以及位于所述n型漏区之上的n型漂移区；若干个p型柱，所述p型柱与相邻的所述n型漂移区形成pn结结构；所述p型柱顶部设有第一p型体区，所述第一p型体区内设有第一n型源区；介于相邻两个所述第一p型体区之间的两个栅极结构，所述栅极结构包括栅沟槽以及位于所述栅沟槽内的栅介质层和栅极，所述栅沟槽内设有栅介质层和栅极；介于所述两个栅极结构之间的导电层，所述导电层与所述n型漂移区接触形成肖特基二极管。本发明能够提高半导体功率器件的反向恢复速度，并降低半导体功率器件反偏时的漏电流。
- 半导体功率器件
- [发明专利]IGBT功率器件-CN202111129891.7在审
-
林敏之;刘伟;袁愿林;刘磊
-
苏州东微半导体股份有限公司
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2021-09-26
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2023-03-31
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H01L29/06
- 本发明属于半导体功率器件技术领域，具体公开了一种IGBT功率器件，包括由若干个元胞结构周期性排列组成的元胞区，所述元胞结构包括：n型外延层；位于所述n型外延层内的两个第一沟槽以及介于两个所述第一沟槽之间的至少三个栅沟槽，所述栅沟槽的深度小于所述第一沟槽的深度；位于所述n型外延层内的n型电荷存储区，每个所述栅沟槽的底部均设有一个所述n型电荷存储区；所述第一沟槽内设有绝缘层和导电层，所述栅沟槽内设有栅介质层和栅极；位于所述n型外延层内且介于相邻两个所述栅沟槽之间的p型体区，所述p型体区内设有n型发射极区。
- igbt功率器件
- [发明专利]半导体器件-CN202110191691.8在审
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龚轶;刘磊;刘伟;袁愿林
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苏州东微半导体股份有限公司
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2021-02-19
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2022-08-30
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H01L29/06
- 本发明公开了一种半导体器件，包括：半导体衬底；位于所述半导体衬底内的p型体区，所述p型体区与源极金属层接触；位于所述半导体衬底内且位于所述p型体区下方的p型柱；所述半导体衬底包括至少一个第一区域，所述第一区域外的区域为第二区域；所述第一区域内的所述p型体区内设有第一p型体区接触区，所述源极金属层与所述第一p型体区接触区接触并形成欧姆接触；所述第二区域内的所述p型体区与所述源极金属层未形成欧姆接触。本发明可以改善半导体器件在应用时产生的电压震荡、电流震荡和EMI问题。
- 半导体器件
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