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[发明专利]工业化自动控制的等离子体源渗氮装置及其工艺-CN201210334758.X无效
发明人：雷明凯;李广宇;朱小鹏;李昱鹏;袁力江 -专利权人：大连理工大学
申请日： 2012-09-12 - 公布日： 2012-12-05 - 主分类号： C23C8/36 文献下载
摘要：一种工业化自动控制的等离子体源渗氮装置及其工艺，属于材料表面工程领域。这种工业化自动控制的等离子体源渗氮装置采用计算机自动监控渗氮系统分别与热电偶、电容薄膜式绝对压力真空计、直流脉冲电源、气体质量流量控制器相连，对等离子体源渗氮工艺多参数进行实时记录与自动控制。实现了等离子体源渗氮工艺过程的全自动化及对工件单位表面积渗氮剂量的精确控制，简化工艺流程，降低劳动强度，提高生产效率，并且，计算机控制过程中反馈相应快，控制精度高，保证工艺的可重复性和工件渗层质量。
工业化自动控制等离子体源渗氮装置及其工艺

[发明专利]大面积直流脉冲等离子体基低能离子注入装置-CN200710101587.5有效
发明人：雷明凯;郭甲;高峰;袁力江;张仲麟 -专利权人：大连理工大学
申请日： 2007-04-30 - 公布日： 2007-10-03 - 主分类号： C23C14/48 文献下载
摘要：材料表面工程领域中，大面积直流脉冲等离子体基低能离子注入装置，包括金属真空室[5]，低能离子注入电源[14]和真空系统，特征：取消由外界输运等离子体的独立等离子体源，在真空室内安置一金属网罩[6]，等离子体源电源[8]向网罩施加直流脉冲负偏压，在炉体[2]内壁和网罩之间形成等离子体，或者增加提供放电辅助作用的热阴极灯丝[9]降低放电电压，将直流脉冲等离子体源和低能离子注入装置组合在真空室内，在网罩与样品台[11]上分别施加的直流脉冲负偏压交替发生，保证了直流脉冲等离子体的产生和低能离子注入交替不间断的进行。优点：成本低；能实现大面积的均匀等离子体基低能离子注入。
大面积直流脉冲等离子体低能离子注入装置