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[发明专利]顺磁材料在医药上的应用-CN02114295.5无效
发明人：熊平;熊融融 -专利权人： 衡阳科晶微电子有限公司
申请日： 2002-07-24 - 公布日： 2004-01-28 - 主分类号： A61K47/02 文献下载
摘要：本发明公开的顺磁材料在医药上的应用，是将顺磁材被制成微粒状或纳米级后，具有流动性和顺磁性，交联上其它治疗疾病的药物后，因而可以在体外磁场的作用下，准确定位并聚集到病灶(肿瘤组织)区域，对病灶(肿瘤组织)进行治疗。另外这些微粒状或纳米级的顺磁材料经过原子能辐照或加速器加速电粒子用以轰击靶核引起的核反应使这些顺磁材料变成放射性微粒状或纳米级顺磁材料核素，通过体外磁场的作用下，准确定位到病灶(肿瘤组织)区域，较长时间的作用于肿瘤细胞或肿瘤组织，将肿瘤细胞杀伤在生长分裂的敏感期。因此本发明具有能够对病灶(肿瘤)组织进行定位治疗和放疗的优点，治疗和放疗效果好，治疗费用低。
材料医药应用

[发明专利]放射性纳米铁核素药物及其在医药中的应用-CN02114291.2无效
发明人：熊平;熊融融 -专利权人： 衡阳科晶微电子有限公司
申请日： 2002-07-23 - 公布日： 2004-01-28 - 主分类号： A61K51/00 文献下载
摘要：放射性纳米铁核素药物，其可以是将纳米铁经原子能辐照，将一个中子打入铁的原子核中，或是将纳米铁放入加速器中，利用慢中子的反应，使其成为半衰期为46～48天的放射性铁纳米核素来制备而成。本发明还公开了这种放射性纳米铁核素药物在医药中的应用。这种应用包括可以采用交链剂与任何药物交链在一起来制备即可进行化疗，又可进行治疗的药物，同时可以被定位治疗。可以与胶粘剂混合来制备外用贴剂。可以与能植入人体的材料混合来制备植入性药物。这种放射性纳米铁核素药物在半衰期过后，形成的纳米铁能够被生物机体所代谢和利用，以补充人体对铁的需求，解决了现有介入疗法中所使用的放射性同位素存在的问题。
放射性纳米核素药物及其医药中的应用

[发明专利]三维立体旋转磁场定位治疗系统-CN02114289.0无效
发明人：熊平;熊融融 -专利权人： 衡阳科晶微电子有限公司
申请日： 2002-07-23 - 公布日： 2004-01-28 - 主分类号： A61M36/00 文献下载
摘要：三维立体旋转磁场定位治疗系统，其是在一个三维的球面上交错排列有多个能产生电磁场的电磁铁装置，其中上半球面上的某个电磁铁装置必定与下半球面上的某个电磁铁装置同时处于过球面中心点的直线上，电磁铁装置可以在计算机程序控制下，依次通电产生磁场，其磁力线通过球面中心点，从而在球面内形成一个三维立体旋转磁场，且这个三维立体旋转磁场的中心点与球面的中心点重合。本发明从产生磁场到磁场消失的时间可以控制，可以根据不同类型的肿瘤和大小来调节磁场大小和产生磁场的时间，或/和同时在垂直平面位置或有一定夹角平面位置产生磁场，这些磁场交汇于球面的中心点，使中心点保持恒定磁场，有效地将流经病灶中心点的具有顺磁特性的治疗性纳米材料固定和聚焦于磁场中心点。
三维立体旋转磁场定位治疗系统

[发明专利]共晶焊背面金属化工艺-CN02114199.1无效
发明人：周理明;刘谋忠;钟铂;唐慧 -专利权人： 衡阳科晶微电子有限公司
申请日： 2002-06-13 - 公布日： 2004-01-07 - 主分类号： H01L21/285 文献下载
摘要：本发明公开的共晶焊背面金属化工艺，其特征包括正面保护、背面减薄、背面抛光、清洗、蒸镀、合金等工艺步骤。本发明利用砷金与硅接触电阻小的特点，在管芯的背面蒸镀上一层砷金，解决了一般金属同硅接触呈整流特性的问题，以便在引线时能获得良好的欧姆接触。同时利用此工艺制得的芯片适合于9000系列小信号等管芯的无焊料的自动焊接工艺。
共晶焊背面金属化工艺

[发明专利]深结硼衬底扩散抛光片-CN02114202.5无效
发明人：邓建伟;蒋小兵;刘谋华;刘清 -专利权人： 衡阳科晶微电子有限公司
申请日： 2002-06-13 - 公布日： 2003-12-31 - 主分类号： H01L21/225 文献下载
摘要：本发明公开的深结硼衬底扩散抛光片，它是由硼预扩散、硼主扩散、磨片、抛光、清洗等工艺步骤制备而成的。通过上述方法制得的深结硼扩散抛光片能完全代替现有的外延片，从而大大降低了制作PNP三极管和晶闸管成本。
深结硼衬底扩散抛光

[发明专利]N＜100＞衬底扩散、抛光工艺-CN02114201.7无效
发明人：刘桂芝;符孝权;梁晓玲;邓泳梅 -专利权人： 衡阳科晶微电子有限公司
申请日： 2002-06-13 - 公布日： 2003-12-31 - 主分类号： H01L21/225 文献下载
摘要：本发明公开的N衬底扩散、抛光工艺，其包括磷预扩散、磷主扩散、磨片、抛光、清洗等步骤。本发明采用N单晶片来制做VDMOS管，提高了产品的性能同时也降低了成本，且所采用的扩散、抛光工艺简单可行。
100 衬底扩散抛光工艺