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专利名称

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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]透明导电性薄膜的制造方法-CN202280011990.1在审
发明人：鸦田泰介;藤野望;鹰尾宽行 -专利权人：日东电工株式会社
申请日： 2022-09-14 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H01B13/00 文献下载
摘要：透明导电性薄膜(3)的制造方法具备：第1工序，准备长条的基材(1)；第2工序，在真空气氛下在基材(1)的厚度方向一个面形成透明导电层(3)；和第3工序，在真空气氛下对透明导电层(2)进行加热。在第2工序中不卷取前述基材，而连续实施第3工序。
透明导电性薄膜制造方法

[发明专利]透明导电性薄膜的制造方法-CN202280011988.4在审
发明人：鸦田泰介;藤野望;鹰尾宽行 -专利权人：日东电工株式会社
申请日： 2022-09-14 - 公布日： 2023-10-10 - 主分类号： H01B13/00 文献下载
摘要：透明导电性薄膜(3)的制造方法具备：第1工序，准备长条的基材(1)；第2工序，在真空气氛下在基材(1)的厚度方向一个面形成透明导电层(2)；和第3工序，在真空气氛下，使用加热辊(22)对透明导电层2进行加热。
透明导电性薄膜制造方法

[发明专利]透明导电性薄膜-CN202280014562.4在审
发明人： 藤野望;鸦田泰介 -专利权人：日东电工株式会社
申请日： 2022-09-14 - 公布日： 2023-10-03 - 主分类号： H01B5/14 文献下载
摘要：本发明的透明导电性薄膜(X)在厚度方向(D)依次具备透明树脂基材(10)和结晶质的透明导电层(20)。透明导电层(20)含有原子序数比氩大的稀有气体原子。透明导电层(20)具有第1电阻值R1(Ω/□)，且在160℃且30分钟的加热条件下的加热处理后具有第2电阻值R2(Ω/□)。第2电阻值R2相对于第1电阻值R1的比率为0.650以上且0.990以下。
透明导电性薄膜

[发明专利]透明导电层、透明导电性薄膜及物品-CN202280013108.7在审
发明人： 藤野望;鸦田泰介 -专利权人：日东电工株式会社
申请日： 2022-09-14 - 公布日： 2023-10-03 - 主分类号： H01B1/20 文献下载
摘要：透明导电层(1A)含有原子序数比氩大的稀有气体。透明导电层(1B)的厚度超过40nm。对透明导电层(1A、1B)进行X射线衍射时的(440)面的峰的半值宽度超过0.27度。
透明导电导电性薄膜物品

[发明专利]透明导电性薄膜以及透明导电性薄膜的制造方法-CN202180074002.3在审
发明人：鸦田泰介;藤野望;鹰尾宽行 -专利权人：日东电工株式会社
申请日： 2021-10-28 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： H01B13/00 文献下载
摘要：本发明的透明导电性薄膜(X)沿厚度方向(T)依次具备透明树脂基材(10)和透明导电层(20)。透明导电性薄膜(X)在与厚度方向(T)正交的面内方向上具有由165℃和60分钟的加热条件下的加热处理引起的热收缩率最大的第1方向、以及与该第1方向正交的第2方向。透明导电性薄膜(X)的由前述加热条件下的加热处理引起的第2方向的第1热收缩率T1以及透明树脂基材(10)的由前述加热条件下的加热处理引起的第2方向的第2热收缩率T2满足|T1‑T2|0.12％。
透明导电性薄膜以及制造方法

[发明专利]透明导电性薄膜-CN202280007620.0在审
发明人： 藤野望;鸦田泰介 -专利权人：日东电工株式会社
申请日： 2022-09-14 - 公布日： 2023-08-04 - 主分类号： B32B7/023 文献下载
摘要：本发明的透明导电性薄膜(X)在厚度方向(D)依次具备透明树脂基材(10)和结晶质的透明导电层(20)。透明导电层(20)包含氧化锡比例不足10质量％的铟锡复合氧化物层。透明导电层(20)具有第1电阻值R1(Ω/□)，在160℃且30分钟的加热条件下的加热处理后具有第2电阻值R2(Ω/□)。第1电阻值R1与第2电阻值R2的差R1‑R2为1.5Ω/□以上。
透明导电性薄膜

[发明专利]层叠体-CN202280006988.5在审
发明人： 藤野望;鸦田泰介 -专利权人：日东电工株式会社
申请日： 2022-08-04 - 公布日： 2023-06-27 - 主分类号： B32B27/00 文献下载
摘要：层叠体(1)具备基底层(3)、以及与基底层(3)的厚度方向的一个面(31)邻接的结晶质的透明导电层(4)。透明导电层(4)的厚度方向的一个面(41)具备高度为3nm以上的第一隆起(42)。基底层(3)的一个面(31)任选具备高度为3nm以上的第二隆起(32)。第二隆起(32)在厚度方向上投影时不与第一隆起(42)重合。透明导电层(4)含有原子序数比氩大的稀有气体。
层叠

[发明专利]层叠体-CN202280006989.X在审
发明人： 藤野望;鸦田泰介 -专利权人：日东电工株式会社
申请日： 2022-08-04 - 公布日： 2023-06-27 - 主分类号： B32B7/025 文献下载
摘要：层叠体(1)具备基底层(3)、以及与基底层(3)的厚度方向的一个面(31)邻接的结晶质的透明导电层(4)。基底层(3)包含树脂。透明导电层(4)的厚度方向的一个面(41)具备高度为3nm以上的第一隆起(42)。基底层(3)的一个面(31)任选具备高度为3nm以上的第二隆起(32)，第二隆起(32)在厚度方向上投影时不与第一隆起(42)重合。
层叠

[发明专利]金属层、接触式传感器、调光元件、光电转换元件、热射线控制构件、天线、电磁波屏蔽构件、图像显示装置及金属层的制造方法-CN202180069697.6在审
发明人： 藤野望;鸦田泰介 -专利权人：日东电工株式会社
申请日： 2021-08-24 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： H05K9/00 文献下载
摘要：金属层包含属于第3周期和/或第4周期的金属作为主成分，并且包含氪原子和/或氙原子。
金属接触传感器调光元件光电转换射线控制构件天线电磁波屏蔽图像显示装置

[发明专利]透明导电层及具备其的构件和装置-CN202310163531.1在审
发明人： 藤野望 -专利权人：日东电工株式会社
申请日： 2021-01-29 - 公布日： 2023-06-09 - 主分类号： H01B5/14 文献下载
摘要：本发明提供透明导电层及具备其的构件和装置。透明导电层(3)具备在厚度方向彼此相对的第1主面(5)及第2主面(6)。透明导电层(3)为在与厚度方向正交的面方向延伸的单一的层。透明导电层(3)具有：多个晶粒(4)；将多个晶粒(4)分隔、且厚度方向一端缘(9)及另一端缘(10)各自在第1主面(5)及第2主面(6)各自中开放的多个第1晶界(7)；和从一个第1晶界(7A)的第1中间部(11)分支、并到达另一第1晶界(7B)的第2中间部(12)的第2晶界(8)。
透明导电具备构件装置

[发明专利]触摸面板用带有透光性导电层的薄膜、带有透光性导电层的偏光膜和触摸面板显示装置-CN201980072697.4有效
发明人： 藤野望;安藤豪彦 -专利权人：日东电工株式会社
申请日： 2019-10-31 - 公布日： 2023-05-05 - 主分类号： H01B5/14 文献下载
摘要：触摸面板用带有透光性导电层的薄膜1具备薄膜基材2和透光性导电层3。透光性导电层3和被加热透光性导电层3α均为非晶质。将透光性导电层3的载流子密度设为Xa×1019(/cm3)、将霍尔迁移率设为Ya(cm2/V·s)，且将被加热透光性导电层3α的载流子密度设为Xc×1019(/cm3)、将霍尔迁移率设为Yc(cm2/V·s)时，满足下述式(1)和式(2)这两者。0.5≤(Xc/Xa)×(Yc/Ya)≤1.8(1)、YcYa(2)。
触摸面板带有透光导电薄膜偏光显示装置

[发明专利]层叠体及具备其的构件和装置-CN202211597009.6在审
发明人： 藤野望 -专利权人：日东电工株式会社
申请日： 2021-01-29 - 公布日： 2023-03-28 - 主分类号： H01B5/14 文献下载
摘要：本发明提供层叠体及具备其的构件和装置，所述层叠体朝向厚度方向一侧依次具备：基材片或功能层、以及透明导电层。透明导电层具备第1主面、及与所述第1主面在厚度方向相对且与所述基材片或所述功能层的所述厚度方向的一个面接触的第2主面。透明导电层为在与厚度方向正交的面方向延伸的单一的层。透明导电层具有：多个晶粒；将多个晶粒分隔、且厚度方向一端缘及另一端缘各自在第1主面及第2主面各自中开放的多个第1晶界；和从一个第1晶界的第1中间部分支、并到达另一第1晶界的第2中间部的第2晶界。
层叠具备构件装置

[发明专利]透明导电层、透明导电性片、接触式传感器、调光元件、光电转换元件、热射线控制构件、天线、电磁波屏蔽构件及图像显示装置-CN202180012577.2有效
发明人： 藤野望 -专利权人：日东电工株式会社
申请日： 2021-01-29 - 公布日： 2023-03-24 - 主分类号： C23C14/08 文献下载
摘要：透明导电层3具备在厚度方向彼此相对的第1主面5及第2主面6。透明导电层3为在与厚度方向正交的面方向延伸的单一的层。透明导电层3具有：多个晶粒4；将多个晶粒4分隔、且厚度方向一端缘9及另一端缘10各自在第1主面5及第2主面6各自中开放的多个第1晶界7；和从一个第1晶界7A的第1中间部11分支、并到达另一第1晶界7B的第2中间部12的第2晶界8。
透明导电导电性接触传感器调光元件光电转换射线控制构件天线电磁波屏蔽

[发明专利]透光性导电性片的制造方法-CN202180038168.X在审
发明人： 藤野望;鸦田泰介 -专利权人：日东电工株式会社
申请日： 2021-03-18 - 公布日： 2023-01-31 - 主分类号： C23C14/08 文献下载
摘要：透光性导电性片(1)的制造方法中，通过对多个靶(51)、(52)、(53)、(54)分别施加电力的多次溅射，于基材片(2)形成透光性导电层(3)。该方法具备下述工序：第一工序，对由氧化锡的含有率超过8质量％的铟‑锡复合氧化物形成的第一靶(51)施加电力，于基材片(2)形成内侧层(6)；以及，第二工序，对由铟‑锡复合氧化物形成的第二靶(52)、由铟‑锡复合氧化物形成的第三靶(53)及由铟‑锡复合氧化物形成的第四靶(54)分别施加电力，于内侧层(6)形成外侧层(22)。第一靶(51)的电力密度P1相对于第二靶(52)、第三靶(53)及第四靶(54)的总电力密度P之比(P1/P)为0.20以下。
透光导电性制造方法

[发明专利]透光性导电性片、接触式传感器、调光元件、光电转换元件、热线控制构件、天线、电磁波屏蔽构件和图像显示装置-CN202180038417.5在审
发明人： 藤野望 -专利权人：日东电工株式会社
申请日： 2021-04-28 - 公布日： 2023-01-31 - 主分类号： B32B7/025 文献下载
摘要：透光性导电性片1朝着厚度方向的一面侧依次具备基材片2和透光性导电层3。透光性导电层3朝着厚度方向的一面侧依次包含第一区域6和第二区域7。第一区域6的主要区域为非晶质。第二区域7为结晶质。第二区域7厚于第一区域6的区域。透光性导电层3的厚度超过30nm。
透光导电性接触传感器调光元件光电转换热线控制构件天线电磁波屏蔽图像

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