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[发明专利]电力用半导体装置-CN201680083795.4在审
发明人：井上敦文;冈诚次;川上刚史;古川彰彦;时冈秀忠;津田睦;藤冈靖 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2016-12-21 - 公布日： 2018-12-21 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明的目的在于提供能够提高散热性及紧密接合性的电力用半导体装置。根据本发明的电力用半导体装置(1)具备形成在半导体基板(2)上的供主电流流动的发射极(3)；形成在发射极(3)上的非烧结体的导电层(5)；以及形成在导电层(5)上的作为烧结体的烧结金属层(7)，烧结金属层(7)具有在俯视时将发射极(3)的整体覆盖的大小，并且导热性比导电层(5)高。
电力用半导体装置导电层发射极烧结金属层烧结体导热性半导体基板紧密接合性整体覆盖散热性主电流俯视流动

[发明专利]硅薄膜太阳能电池的制造方法-CN200410055617.X无效
发明人： 藤冈靖;清水彰;福田浩幸;野元克彦 -专利权人：夏普株式会社
申请日： 2004-07-30 - 公布日： 2005-02-09 - 主分类号： H01L31/04 文献下载
摘要：为了在大面积的基板上均匀地形成具有由结晶性硅形成的i层(94)的、用于太阳能电池的硅薄膜以提供高功率太阳能电池，在硅薄膜太阳能电池的制造方法中，具有i层(94)被夹在p层(93)和n层(95)之间的结构的硅薄膜利用高频等离子体CVD方法形成在基板上，其中所述i层(94)使用经过脉冲调制的高频功率的等离子体由结晶性硅形成，一个脉冲调制周期包括输出高频功率的接通状态和不输出的关闭状态，输出波形被调制成矩形，接通状态时间为1－100微秒，且所述关闭状态时间为5微秒以上。
薄膜太阳能电池制造方法

[发明专利]半导体层制造方法和制造设备、光生伏打电池的制造方法-CN99111914.2无效
发明人： 藤冈靖;冈部正太郎;金井正博;酒井明;泽山忠志;幸田勇藏;矢岛孝博 -专利权人：佳能株式会社
申请日： 1999-07-30 - 公布日： 2004-08-11 - 主分类号： H01L21/205 文献下载
摘要：本发明提供一种制造半导体层的方法，将原料气体引入放电室中，对该室施加高频功率，通过放电分解原料气体，在室中的衬底上形成半导体层，它包括步骤：提供至少是甚高频(VHF)的高频功率作为高频功率；对放电室施加直流功率的偏置功率和/或射频(RF)的高频功率同时还施加VHF高频功率；和控制流进对其施加偏置功率的电极中的电流的直流分量，使放电室内壁面积上的电流密度处于0.1A/m²至10A/m²的范围内。高质量的半导体层可大面积高速地淀积。
半导体制造方法设备光生伏打电池

[发明专利]光生伏打元件及其制造法-CN97122850.7有效
发明人：冈部正太郎;藤冈靖;金井正博;酒井明;泽山忠志;幸田勇藏;芳里直;矢岛孝博 -专利权人：佳能株式会社
申请日： 1997-09-05 - 公布日： 2004-06-30 - 主分类号： H01L31/04 文献下载
摘要：由半导体结型元件组成的光生伏打元件，其特征是，该元件包括第1导电类型半导体层，非晶i型半导体层，微晶第2导电类型半导体层，这是pin结合的。制造光生伏打元件的方法和设备，其特征是，有效地而连续地大量生产光生伏打元件，它具有优良的电流电压特性，和优良的光电转换效率。光生伏打元件，在非晶i型层和微晶导电层之间有良好的晶格连续性，该方法和设备用于连续地大批量地生产光生伏打元件。
光生伏打元件及其制造

[发明专利]光生伏打元件及其制造法和制造设备-CN200310116461.7无效
发明人：冈部正太郎;藤冈靖;金井正博;酒井明;泽山忠志;幸田勇藏;芳里直;矢岛孝博 -专利权人：佳能株式会社
申请日： 1997-09-05 - 公布日： 2004-06-23 - 主分类号： H01L21/205 文献下载
摘要：一种堆积膜形成设备，利用等离子体化学汽相淀积方法，在长的衬底上连续堆积多个半导体层，其特征是，至少第1堆积室具有使原材料气体沿着所述长衬底移动方向，从上部流入下部的装置，第2堆积室具有使原材料气体沿所述长衬底移动方向从下部流向上部的装置，所述第1堆积室和所述第2堆积室由分开的通路相互连接在一起。
光生伏打元件及其制造设备

[发明专利]淀积膜形成工艺-CN98109428.7有效
发明人：矢岛孝博;藤冈靖;冈部正太郎;金开正博;大利博和;酒井明;泽山忠志;幸田勇藏 -专利权人：佳能株式会社
申请日： 1998-03-09 - 公布日： 2002-12-25 - 主分类号： H01L21/20 文献下载
摘要：形成淀积膜、半导体元件和光电转换元件的工艺，在基片上形成包括非单晶半导体的第一导电类型半导体层；在第一导电类型半导体层上形成包括非晶半导体的基本上为i型半导体层；在其上形成包括微晶半导体的基本上为i型半导体层，同时降低它的膜形成速度；以及在包括微晶半导体的基本上为i型半导体层上形成包括非单晶半导体的第二导电类型半导体层。由此，可以得到具有高光电转换效率高生产率的光电转换元件。
淀积膜形成工艺

[发明专利]光电池的制造方法和由此方法制得的光电元件-CN94120757.9无效
发明人： 藤冈靖;冈部正太郎;金井正博;田村秀男;保野笃司;酒井明;芳里直 -专利权人：佳能株式会社
申请日： 1994-12-20 - 公布日： 2000-08-30 - 主分类号： H01L31/075 文献下载
摘要：本发明公开了一种制造光电池的方法及由该方法制得的光电池。在基片上形成包括硅基非晶或微晶半导体层的步骤包括用高频等离子ＣＶＤ法分别形成第一导电类型半导体区和在其上形成ｉ－型半导体区的步骤；用等离子掺杂法在所述ｉ－型半导体区上形成导电类型与所述第一导电类型相反的第二导电类型半导体区的步骤。本发明的光电池能控制特性变化并可提供高光电转换效率和高输出电压，其特性不变而且均匀。
光电池制造方法由此法制光电元件

[发明专利]采用微波等离子法连续制成大面积功能淀积薄膜的方法以及适用该方法的设备-CN90106809.8无效
发明人：金井正博;松山深照;中川克已;狩谷俊光;藤冈靖;武井哲也;越前裕 -专利权人：佳能株式会社
申请日： 1990-06-28 - 公布日： 1995-10-11 - 主分类号： C23C16/48 文献下载
摘要：一种采用微波等离子CVD工艺连续形成大面积功能性淀积薄膜的方法，所述方法包括按纵向连续移动的基片带；在基片移动过程中通过弯曲和凸起所述移动基片带以形成所述成膜室圆周壁的圆筒形部分从而建立具有成膜空间的基本封闭的成膜室；通过气体输送装置将成膜原材料气体导入所述成膜空间；同时，通过采用微波施加装置将微波能辐射或传播到所述成膜空间，其中微波施加装置能够以垂直于微波能传播方向具有方向性地辐射或传播所述微波能以便在所述成膜空间产生微波等离子区，由此在暴露于所述微波等离子区的所述连续移动圆周壁的内表面上连续形成功能性淀积薄膜。一种适用于实际所述方法的装置。
采用微波等离子连续制成大面积功能薄膜方法以及适用设备

[发明专利]用在电子摄影术中的光接收元件-CN87101639.7无效
发明人：白井茂;齐藤惠志;新井孝至;加藤富;藤冈靖 -专利权人：佳能株式会社
申请日： 1987-03-03 - 公布日： 1991-10-02 - 主分类号： G03G5/08 文献下载
摘要：提供一个改进的电子摄影术用光接收元件包括一层为电子摄影术用的基底和一光接收层，后者由含硅原子锗原子的多晶材料形成的长波长光吸收层构成；一层由含硅原子作为主要原子成分的非晶材料形成的光电导层；及一层由含硅原子、碳原子和氢原子的非晶材料形成的表面层，表面层中氢原子含量为1×10-3至40原子百分比。光接收层可具有一层电荷注入阻挡层或/和一层接触层。
电子摄影术中的接收元件

[发明专利]电子照相用的光接收元件-CN87102172.2无效
发明人：白井茂;齐藤惠志;新井孝;加藤富;藤冈靖 -专利权人：佳能株式会社
申请日： 1987-01-23 - 公布日： 1991-10-02 - 主分类号： G03G5/082 文献下载
摘要：用于电子照相技术中的光接收元件，包括复印用基体和由电荷注入阻挡层、光导层和表面层组成的光接收层。其中电荷注入阻挡层由含硅原子作为主要成分的非晶态材料和一种电导率控制元素组成；光导层由含硅原子作为主要成分的非晶态材料和选自氢原子和卤素原子的至少一种元素组成；表面层由含硅原子、碳原子和卤素原子的非晶态材料组成，且表面层中氢原子的含量在(41-70)原子％范围之内。
电子照相接收元件

[发明专利]用于电子照相的光接收元件-CN87102296.6无效
发明人：白井茂;齐藤惠志;新井孝至;加藤实;藤冈靖 -专利权人：佳能株式会社
申请日： 1987-02-05 - 公布日： 1991-05-08 - 主分类号： G03G5/08 文献下载
摘要：一个用于电子照相的光接收元件，它由基底底和在基底上的光接收层构成，光接收层由一个显示光电导性的光电导层和一个表面层构成，光电导层由在硅原子阵列中含有氢原子和卤素原子中至少一种的非结晶材料构成，而表面层由含有硅原子，碳原子和氢原子组分的非结晶材料构成，在表面层中元素组分在层的厚度方向上的分布密度是变化的，以在与光电导层的界面上获得光学带隙的匹配。表面层中氢原子最大分布密度为41-70原子％。
用于电子照相接收元件

[发明专利]用于电子照相技术的光接收元件-CN87101883.7无效
发明人：白井茂;齐藤惠志;新井孝志;加藤実;藤冈靖 -专利权人：佳能株式会社
申请日： 1987-02-03 - 公布日： 1991-02-13 - 主分类号： G03G5/082 文献下载
摘要：一种改进的用于电子照相术的光接收元件，它包括适用于电子照相术的基底和光接收层，其中光接收层由电荷注入阻挡层、光导层、表面层等构成。电荷注入阻挡层由含有作为主要组份原子的硅原子和某种用于控制电导率并阻止从基底一侧注入电荷的元素的多晶材料形成；光导层由含有作为主要组份原子的硅原子的无定形材料形成；表面层由含有硅原子、碳原子、氢原子的无定形材料形成，且表面层中氢原子的含量为41-70atm％。光接收层中还可能包括有接触层和/或长波长光的吸收层。
用于电子照相技术接收元件

[发明专利]具有一连续渐变带隙半导体区域的半导体器件-CN87107592.X无效
发明人：斋藤惠志;藤冈靖 -专利权人：佳能株式会社
申请日： 1987-09-25 - 公布日： 1990-09-19 - 主分类号： H01L29/14 文献下载
摘要：一种改进的半导体器件、诸如改进的渐变带隙晶体管和改进的渐变带隙二极管，其特征在于该器件由含有硅原子、调节带隙的原子和降低定域能级的原子的非单晶材料构成，并且该器件至少在非结位置的一个方位上还具有一个带隙连续渐变的区域，而且只有导带和价带之一是连续渐变的，即显著地改善了频率特性，又改善了光敏效应。
具有连续渐变半导体区域半导体器件

[其他]具有一连续渐变带隙半导体区域的半导体器件-CN87107592无效
发明人：斋藤惠志;藤冈靖 -专利权人：佳能株式会社
申请日： 1987-09-25 - 公布日： 1988-10-12 - 主分类号： H01L29/14 文献下载
摘要：一种改进的半导体器件，诸如改进的渐变带隙晶体管和改进的渐变带隙二极管，其特征在于该器件由含有硅原子、调节带隙的原子和降低定域能级的原子的非单晶材料构成，并且该器件至少在非结位置的一个方位上还具有一个带隙连续渐变的区域，而且只有导带和价带之一是连续渐变的。即显著地改善了频率特性，又改善了光敏效应。
具有连续渐变半导体区域半导体器件

[其他]用于电子照相技术的光接收元件-CN87101883无效
发明人：白井茂;齐藤惠志;新井孝志;加藤;藤冈靖 -专利权人：佳能株式会社
申请日： 1987-02-03 - 公布日： 1988-04-27 - 主分类号： G03G5/085 文献下载
摘要：一种改进的用于电子照相术的光接收元件，它包括适用于电子照相术的基底和光接收层，其中光接收层由电荷注入阻挡层、光导层、表面层等构成。电荷注入阻挡层由含有作为主要组分原子的硅原子和某种用于控制电导率并阻止从基底一侧注入电荷的元素的多晶材料形成；光导层由含有作为主要组分原子的硅原子的无定形材料形成；表面层由含有硅原子、碳原子、氢原子的无定形材料形成，且表面层中氢原子的含量为41～70atm％。光接收层中还可能包括有接触层和/或长波长光的吸收层。
用于电子照相技术接收元件

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