|
钻瓜专利网为您找到相关结果 15个,建议您 升级VIP下载更多相关专利
- [发明专利]光学器件的制造方法-CN202211330344.X在审
-
杉本达哉;铃木智史;港谷恭辅;藏本丰;铃木大几
-
浜松光子学株式会社
-
2018-08-02
-
2023-01-31
-
G02B26/08
- 本发明的目的是提供一种能够高精度地形成梁部的光学器件的制造方法。本发明的光学器件的制造方法包括:第1步骤,准备具有与基底、可动部和弹性支承部对应的部分的半导体基板(100);第2步骤,在第1半导体层(101)的与绝缘层(103)相反侧的表面中与基底对应的区域形成第1抗蚀层(104);第3步骤,通过将第1抗蚀层(104)用作掩模对第1半导体层进行蚀刻直至厚度方向上的中间部,而在第1半导体层形成凹部(105);第4步骤,在凹部(105)的底面(105a)中与梁部对应的区域、凹部的侧面(105b)和第1半导体层的与绝缘层(103)相反侧的表面(101a)形成第2抗蚀层(106);第5步骤,通过将第2抗蚀层(106)用作掩模对第1半导体层(101)进行蚀刻直至绝缘层(103),而形成梁部(224)。
- 光学器件制造方法
- [发明专利]光学器件的制造方法-CN202211330346.9在审
-
杉本达哉;铃木智史;港谷恭辅;藏本丰;铃木大几
-
浜松光子学株式会社
-
2018-08-02
-
2023-01-31
-
G02B26/08
- 本发明的目的是提供一种能够高精度地形成梁部的光学器件的制造方法。本发明的光学器件的制造方法包括:第1步骤,准备具有与基底、可动部和弹性支承部对应的部分的半导体基板(100);第2步骤,在第1半导体层(101)的与绝缘层(103)相反侧的表面中与基底对应的区域形成第1抗蚀层(104);第3步骤,通过将第1抗蚀层(104)用作掩模对第1半导体层进行蚀刻直至厚度方向上的中间部,而在第1半导体层形成凹部(105);第4步骤,在凹部(105)的底面(105a)中与梁部对应的区域、凹部的侧面(105b)和第1半导体层的与绝缘层(103)相反侧的表面(101a)形成第2抗蚀层(106);第5步骤,通过将第2抗蚀层(106)用作掩模对第1半导体层(101)进行蚀刻直至绝缘层(103),而形成梁部(224)。
- 光学器件制造方法
- [发明专利]光学组件-CN201880043521.1有效
-
铃木智史;港谷恭辅;杉本达哉;藏本丰;柴山胜己;细川畅郎
-
浜松光子学株式会社
-
2018-07-06
-
2022-04-19
-
G02B26/08
- 光学组件(1A)包括包含可动反射镜(22)和固定反射镜(16)的反射镜单元(2)、分束器单元(3)、光入射部(4)、第1光检测器(6)、第2光源(7)、第2光检测器(8)、保持单元(130)、第1反射镜(51)、第2反射镜(52)和第3反射镜(53),保持单元(130)以使得第1光检测器(6)、第2光检测器(8)和第2光源(7)朝向同一侧且按第1光检测器(6)、第2光检测器(8)、第2光源(7)的顺序排列的方式保持第1光检测器(6)、第2光检测器(8)和第2光源(7),分束器单元(3)与第1光检测器(6)之间的光路的长度比分束器单元(3)与第2光检测器(8)之间的光路的长度短,且比分束器单元(3)与第2光源(7)之间的光路的长度短。
- 光学组件
- [发明专利]光学组件-CN201880043079.2有效
-
铃木智史;港谷恭辅;杉本达哉;藏本丰
-
浜松光子学株式会社
-
2018-07-06
-
2022-03-01
-
G01J3/02
- 本发明的光学组件(1)包括:包括基体(21)、可动反射镜(22)和固定反射镜(16)的反射镜单元(2);配置在Z轴方向上的反射镜单元(2)的一侧的分束器单元(3);使检测光(L0)入射至分束器单元(3)的光入射部(4);配置在Z轴方向上的分束器单元(3)的一侧,检测从分束器单元(3)出射的检测光的干涉光(L1)的第1光检测器(6);用于安装反射镜单元(2)的支承体(9);用于支承分束器单元(3)的第1支承结构(11);和安装于支承体(9)的、支承第1光检测器(6)的第2支承结构(12)。
- 光学组件
- [发明专利]光学器件的制造方法-CN201880073320.6在审
-
杉本达哉;铃木智史;港谷恭辅;藏本丰;铃木大几
-
浜松光子学株式会社
-
2018-08-02
-
2020-06-26
-
G02B26/08
- 本发明的目的是提供一种能够高精度地形成梁部的光学器件的制造方法。本发明的光学器件的制造方法包括:第1步骤,准备具有与基底、可动部和弹性支承部对应的部分的半导体基板(100);第2步骤,在第1半导体层(101)的与绝缘层(103)相反侧的表面中与基底对应的区域形成第1抗蚀层(104);第3步骤,通过将第1抗蚀层(104)用作掩模对第1半导体层进行蚀刻直至厚度方向上的中间部,而在第1半导体层形成凹部(105);第4步骤,在凹部(105)的底面(105a)中与梁部对应的区域、凹部的侧面(105b)和第1半导体层的与绝缘层(103)相反侧的表面(101a)形成第2抗蚀层(106);第5步骤,通过将第2抗蚀层(106)用作掩模对第1半导体层(101)进行蚀刻直至绝缘层(103),而形成梁部(224)。
- 光学器件制造方法
|