专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]一种爬楼机器人-CN202310738133.8在审
  • 毛金城;王仲谋;任翔;蔡镇宇;汪威;周绍辉 - 武汉工程大学
  • 2023-06-20 - 2023-10-03 - B62D57/032
  • 本发明涉及一种爬楼机器人,其包括承载主体和两组轮腿升降装置;所述承载主体包括主支撑板;两组轮腿升降装置分别设置在所述主支撑板的前部和后部,每一所述轮腿升降装置均包括两个沿前后方向分布的轮腿伸缩单元,同一轮腿升降装置上的两个轮腿伸缩单元之间的间距可调,每一所述轮腿伸缩单元均具有可向下伸出或向上收回的轮腿组件;其采用了新型的轮腿升降方式,仅需要4组升降机构,有利于机器人的整体减重和体积缩小,同时也有利于电气系统的设计与布线,并且该机器人还能适应不同楼梯台阶宽度,保证了机器人在不同楼梯环境下的作业能力。
  • 一种机器人
  • [发明专利]存储器元件-CN202211626767.6在审
  • 陈昱频;蔡镇宇 - 南亚科技股份有限公司
  • 2022-12-16 - 2023-09-19 - H10B12/00
  • 本公开提供一种具有双导电材料的字元线的存储器元件。该存储器元件具有一半导体基底,具有由邻近该半导体基底的一表面处所界定的一主动区,其中该半导体基底具有一凹陷,从该表面延伸进入半导体基底中;以及一字元线,设置在该凹陷内,其中该字元线具有一第一隔离层、一第一导电组件、一第二隔离层以及一第二导电组件,该第一隔离层设置在该凹陷内且共形于该凹陷,该第一导电组件被该第一隔离层所围绕并设置在该凹陷内,该第二隔离层共形于该第一隔离层与该第一导电组件设置,该第二导电组件邻近该第一导电组件设置且被该第二隔离层所围绕。
  • 存储器元件
  • [发明专利]存储器元件的制备方法-CN202310018846.7在审
  • 陈昱频;蔡镇宇 - 南亚科技股份有限公司
  • 2023-01-06 - 2023-09-19 - H10B12/00
  • 本公开提供一种存储器元件的制备方法。该制备方法包括提供一半导体基底,该半导体基底具有邻近该半导体基底的一表面处所界定的一主动区;形成一凹陷以从该表面延伸进入该半导体基底中;设置一第一隔离层以共形于该凹陷;设置一第一导电材料在该凹陷内并被该第一隔离层所围绕;移除该第一导电材料的一部分以形成一第一导电组件;设置一第二隔离层在该凹陷内且共形于该第一隔离层与该第一导电组件;以及设置一第二导电材料在该凹陷内并被该第二隔离层所围绕,以形成邻近该第一导电组件的一第二导电组件。
  • 存储器元件制备方法
  • [发明专利]晶体管元件及其制备方法-CN201811608968.7有效
  • 蔡镇宇;吕增富;廖伟明 - 南亚科技股份有限公司
  • 2018-12-27 - 2023-08-08 - H01L29/78
  • 本公开提供一种晶体管元件及其制备方法。该晶体管元件包括:设置在一基底中的一隔离结构、设置在该基底中并被该隔离结构围绕的一主动区、设置于该主动区及该隔离结构的一部分的上方的一第一上栅极、设置在该栅极两侧的一源极与一漏极、以及设置在该第一上栅极下方并且通过该隔离结构与该主动区隔离的一对第一下栅极。在一些实施例中,该对第一下栅极沿一第一方向延伸,该第一上栅极沿一第二方向延伸,该第一方向及该第二方向不同。
  • 晶体管元件及其制备方法
  • [发明专利]滚轮模块-CN202010405910.3有效
  • 江晓龙;蔡镇宇;颜宏哲 - 光宝电子(广州)有限公司;光宝科技股份有限公司
  • 2020-05-14 - 2023-07-25 - G06F3/0354
  • 本发明提供一种滚轮模块,包括滚轮、弹性件以及调节组件。滚轮包括棘齿结构且具有配置面。配置面区分为空白区与棘齿区。棘齿结构设置于配置面且位于棘齿区。弹性件设置于滚轮旁且具有彼此相对的第一端与第二端。弹性件的第一端连接调节组件,而调节组件带动弹性件的第二端在空白区与棘齿区之间移动。当调节组件带动弹性件位于棘齿区时,弹性件的第二端抵接棘齿结构,而使滚轮呈现棘轮转动模式。当调节组件带动弹性件位于空白区时,弹性件的第二端抵接滚轮的配置面,而使滚轮呈现平滑滚动模式。本发明的滚轮模块能让使用者依据需求而自行将滚轮模块切换成棘轮转动模式或平滑滚动模式,且可让使用者快速拨动并具有较佳的触摸手感。
  • 滚轮模块
  • [发明专利]存储器结构-CN202010292985.5有效
  • 蔡镇宇 - 南亚科技股份有限公司
  • 2020-04-15 - 2023-04-18 - H10B12/00
  • 本发明提供一种存储器结构,其包括具有存储器区与周边区的衬底、电容器阵列、晶体管阵列、多个位线以及多个触点。所述电容器阵列设置于所述存储器区中的所述衬底上。所述晶体管阵列设置于所述电容器阵列上,且与所述电容器阵列电性连接。所述多个位线沿行方向延伸且彼此平行地设置于所述晶体管阵列上,且与所述晶体管阵列电性连接。所述多个触点各自连接所述多个位线中的一个与位于所述周边区中的所述衬底处的导电组件。所述多个触点中的每一个包括第一部分、第二部分以及第三部分。所述第二部分设置于所述第一部分与所述第三部分之间,且所述第三部分与所述导电组件电性连接。每一所述第三部分与所述存储器区的距离是相同的。
  • 存储器结构
  • [发明专利]存储器结构及其制造方法-CN202010457625.6有效
  • 蔡镇宇 - 南亚科技股份有限公司
  • 2020-05-26 - 2022-12-27 - H01L27/108
  • 本发明提供一种存储器结构及其制造方法。所述存储器结构包括电容器以及晶体管。晶体管设置在电容器上方,且与电容器电性连接。所述晶体管包括第一源极/漏极层、沟道柱、栅极、栅介电层、掺杂层、间隔层以及第二源极/漏极层。第一源极/漏极层与电容器电性连接。沟道柱设置在第一源极/漏极层上。栅极设置在沟道柱的侧壁上。栅介电层设置在栅极与沟道柱之间。掺杂层设置在沟道柱的侧壁上,且位于栅极上方。间隔层设置在栅极与第一源极/漏极层之间以及栅极与掺杂层之间。第二源极/漏极层设置在沟道柱上或沟道柱中。第一源极/漏极层与第二源极/漏极层为第一导电类型,且掺杂层为第二导电类型。
  • 存储器结构及其制造方法
  • [发明专利]半导体结构与其形成方法-CN202110715815.8在审
  • 蔡镇宇 - 南亚科技股份有限公司
  • 2021-06-24 - 2022-11-29 - H01L29/423
  • 一种半导体结构包括基材、形成于基材内的底部栅极导电层、形成于基材内并堆叠在底部栅极导电层上的顶部栅极导电层、形成于底部栅极导电层与基材之间的底部栅极栅极介电层、形成于顶部栅极导电层与基材之间的顶部栅极介电层。顶部栅极介电层的厚度大于底部栅极介电层的厚度。半导体结构也包括数个源极/汲极区,形成于基材内并位于顶部栅极导电层的相对两侧。借由提升顶部栅极介电层的介电常数、增厚顶部栅极介电层的厚度、或上述两者的结合,以提供较好的电性阻隔,借此减少半导体结构产生漏电的现象。
  • 半导体结构与其形成方法
  • [实用新型]足部保护垫-CN202222108973.X有效
  • 蔡镇宇 - 富锢有限公司
  • 2022-08-11 - 2022-11-25 - A43B17/02
  • 本实用新型提供一种足部保护垫,包括有:本体、中足弹性体与后跟弹性体;其中,所述本体以第一弹性材料成型为包含有前跖区、中足区与后跟区,所述中足区的底面形成有中足拱起且相对两侧形成有中足内脚弓凹弧面与中足外脚弓凹弧面;所述后跟区的本体上面形成有凹陷部,所述凹陷部的相对两侧形成有后跟内脚弓凹弧面、后跟外脚弓凹弧面以及后端形成有后脚跟凹弧面,所述各个凹弧面具有特定尺寸范围的曲率半径;所述中足弹性体与所述后跟弹性体均以第二弹性材料成型并且分别结合在所述中足区与所述后跟区的所述本体底面;本实用新型适于配置在鞋内,提供更符合人体工学、更舒适的穿着,并且具有保护足部预防罹患筋膜炎的效果。
  • 足部护垫

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