“蔡昇完”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果17个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]发光装置及其制造方法-CN202310058501.4在审
发明人：徐钟旭;李东建;李宗炫;郑明九;蔡昇完;卓泳助 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2023-01-18 - 公布日： 2023-07-25 - 主分类号： H01L33/46 文献下载
摘要：一种发光装置包括：第一光透射层；第二光透射层，其设置在第一光透射层上；多个台式结构，其设置在第二光透射层上，并且被配置为生成紫外波段中的光；以及钝化图案，其设置在多个台式结构的侧表面上。多个台式结构中的每一个包括：第一外延图案，其包括铝镓氮化物，第二外延图案，其设置在第一外延图案上，并且包括铝镓氮化物，第三外延图案，其设置在第二外延图案上，并且包括铝镓氮化物，以及第四外延图案，其设置在第三外延图案上，并且包括氮化镓。多个台式结构中的每一个的水平宽度在约5μm至约30μm的范围内。
发光装置及其制造方法

[发明专利]信号发生电路和包括该信号发生电路的半导体存储器装置-CN201811072078.9有效
发明人： 蔡昇完;陆永燮 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2018-09-14 - 公布日： 2023-07-07 - 主分类号： G06F1/26 文献下载
摘要：提供了一种信号发生电路和包括该信号发生电路的半导体存储器装置。该信号发生电路包括：信号输入组件，其被配置为响应于输入信号而生成第一内部输出信号和第二内部输出信号，并且响应于输出信号而调节第一内部输出信号和第二内部输出信号的电位电平；以及信号输出组件，其被配置为响应于第一内部输出信号和第二内部输出信号而生成输出信号。
信号发生电路包括半导体存储器装置

[发明专利]具有环形振荡器的半导体器件和布置环形振荡器的方法-CN201810410677.0有效
发明人： 蔡昇完 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2018-05-02 - 公布日： 2022-12-02 - 主分类号： H03K3/03 文献下载
摘要：具有环形振荡器的半导体器件和布置环形振荡器的方法。一种环形振荡器包括第一电流控制延迟电路至第四电流控制延迟电路，所述第一电流控制延迟电路至所述第四电流控制延迟电路被配置成使得能够根据灌电流的幅值来改变延迟时间，其中，所述第一电流控制延迟电路至所述第四电流控制延迟电路围绕正方形彼此对称地布置。
具有环形振荡器半导体器件布置方法

[发明专利]半导体存储器装置-CN202210138247.4在审
发明人： 蔡昇完;金映奇;李钟一;曹恩雨 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2022-02-15 - 公布日： 2022-10-18 - 主分类号： G11C16/10 文献下载
摘要：一种半导体存储器装置包括存储器单元阵列、行解码器、多个页缓冲器和电压切换电路。存储器单元阵列包括多个存储器单元。行解码器通过字线连接到存储器单元阵列。多个页缓冲器通过位线连接到存储器单元阵列。电压切换电路对操作电压进行解码，并且将解码的操作电压传输到行解码器。多个页缓冲器形成在第一单元下方区域和第二单元下方区域中的第一单元下方区域中，第一单元下方区域和第二单元下方区域在存储器单元阵列下方在第一方向上彼此相邻。电压切换电路的至少一部分形成在沿第二方向与第一单元下方区域和第二单元下方区域相邻的减薄区域下方区域中。
半导体存储器装置

[发明专利]存储装置及其操作方法-CN201810047368.1有效
发明人：权敬桓;蔡昇完 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2018-01-18 - 公布日： 2022-05-03 - 主分类号： G11C29/12 文献下载
摘要：存储装置及其操作方法。一种支持内建自测BIST操作的存储装置包括：多个存储单元；页缓冲器组，所述页缓冲器组包括分别通过位线联接至所述多个存储单元的页缓冲器电路；内建自测BIST控制器，所述BIST控制器被配置为生成要存储在所述页缓冲器电路中的图案数据和要与从所述页缓冲器电路获得的感测数据进行比较的参考数据，并且被配置为将所述参考数据与所述感测数据进行比较；以及输入/输出控制电路，所述输入/输出控制电路被配置为将所述图案数据输入到所述页缓冲器电路，并且将所述感测数据从所述页缓冲器电路传送到所述BIST控制器。
存储装置及其操作方法

[发明专利]电压切换电路和切换电路-CN202010721388.X在审
发明人： 蔡昇完 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2020-07-24 - 公布日： 2021-06-29 - 主分类号： G11C5/14 文献下载
摘要：电压切换电路和切换电路。一种电压切换电路将施加到第一输入端子和第二输入端子的电压选择性地传送至第一输出端子和第二输出端子。电压切换电路包括第一晶体管和第二晶体管。第一晶体管形成在基板上的第一阱上，并且联接在第一输入端子和第一输出端子之间。第二晶体管形成在与第一阱不同的第二阱上，并且联接到第二输入端子。在施加到第一输入端子的第一电压被传送至第一输出端子和第二输出端子的第一模式下，第一晶体管导通并且第二晶体管截止。
电压切换电路

[发明专利]发光装置-CN201910238059.7在审
发明人：高民求;郭重熙;柳荣浩;梁成锡;李相奭;蔡昇完 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2019-03-27 - 公布日： 2020-01-07 - 主分类号： H01L27/15 文献下载
摘要：发光装置包括：衬底，其在第一方向和第二方向上延伸；第一发光结构至第四发光结构，其在第一方向和第二方向上彼此间隔开并且以矩阵形式布置在衬底上；多个第一互连层结构，其将第一发光结构连接至第二发光结构；第二互连层结构，其将第二发光结构连接至第三发光结构；以及多个第三互连层结构，其将第三发光结构连接至第四发光结构。
发光结构互连层衬底矩阵形式布置发光装置延伸

[发明专利]存储器装置、存储装置和操作该存储装置的方法-CN201910004040.6在审
发明人： 蔡昇完 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2019-01-03 - 公布日： 2019-11-12 - 主分类号： G06F11/30 文献下载
摘要：存储器装置、存储装置和操作该存储装置的方法。本文提供了一种存储装置，该存储装置能够根据温度对存储装置的性能进行节流。存储装置包括：多个存储器装置，其被划分为多个性能节流组；以及存储器控制器，其被配置为从包括在多个相应的性能节流组中的指示器芯片获得温度信息，并且基于温度信息来控制从多个性能节流组当中选择的性能节流组中所包括的存储器装置的操作。
存储装置节流存储器装置温度信息存储器控制器个性指示器芯片配置

[发明专利]半导体发光装置及其制造方法-CN201210162730.2有效
发明人：金台勋;蔡昇完;金容一;李承宰;张泰盛;孙宗洛;金甫耕 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2012-05-23 - 公布日： 2017-04-12 - 主分类号： H01L33/46 文献下载
摘要：本发明提供了一种半导体发光装置及其制造方法和一种发光设备。该半导体发光装置包括透光基底；发光部分；第一电极和第二电极，分别电连接到第一导电类型半导体层和第二导电类型半导体层；后反射部分，包括反射金属层以及置于透光基底和反射金属层之间的透光介电层。
半导体发光装置及其制造方法

[发明专利]波长转换发光二极管芯片及其制作方法-CN201180073508.9无效
发明人：金龙泰;井上登美男;金制远;筒井毅;李锺昊;蔡昇完 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2011-08-17 - 公布日： 2014-05-14 - 主分类号： H01L33/50 文献下载
摘要：根据本发明的一个方面提供了一种波长转换发光二极管（LED）芯片以及用于制造该波长转换LED芯片的方法，其中所述方法包括步骤：将多个LED芯片附接至临时支撑板的顶面上的芯片排列区域，使得形成了至少一个电极的表面朝向上部；在各个LED芯片的电极上形成导电凸块；在芯片排列区域上形成含荧光物质树脂封装部件以覆盖导电凸块；抛光含荧光物质树脂封装部件以暴露该含荧光物质树脂封装部件的顶面上的导电凸块；切割LED芯片之间的含荧光物质树脂封装部件，以形成波长转换LED芯片（在此，通过含荧光物质树脂封装部件获得的波长转换层形成在波长转换LED芯片的侧表面和顶面上）；以及从波长转换LED芯片去除临时支撑板。
波长转换发光二极管芯片及其制作方法

[发明专利]半导体发光元件-CN201180073034.8无效
发明人：金载润;黄硕珉;李守烈;蔡昇完;韩在镐;李进馥 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2011-08-01 - 公布日： 2014-04-30 - 主分类号： H01L33/36 文献下载
摘要：根据本发明的一个方面的半导体发光元件包括：发光结构，其配备有n型半导体层、p型半导体层和布置在它们之间的有源层；第一电极，其连接至n型半导体层和p型半导体层中的一个；以及第二电极，其连接至n型半导体层和p型半导体层中没有连接第一电极的一个。第一电极配备有第一电极焊盘以及连接至第一电极焊盘的第一至第三分支电极，从而具有叉子形状，第一电极焊盘布置在所述发光结构的顶面的一侧的中央。第二电极配备有第二电极焊盘和第三电极焊盘以及连接至第二电极焊盘和第三电极焊盘的第四至第七分支电极，第二电极焊盘和第三电极焊盘彼此分开布置在与所述一侧相对的另一侧的两个角上，其中第四至第七分支电极延伸以便布置在第一至第三分支电极之间。
半导体发光元件

[发明专利]半导体发光器件制造方法和以该方法制造的半导体发光器件-CN201180072761.2无效
发明人：韩在镐;金晟泰;蔡昇完;李钟昊;金制远 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2011-08-09 - 公布日： 2014-04-16 - 主分类号： H01L33/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种半导体发光器件的制造方法以及通过该方法制造的半导体发光器件。根据本发明的一方面的半导体发光器件的制造方法包括：通过在衬底的第一主表面上顺序地生长第一导电类型半导体层、有源层和第二导电类型半导体层而形成发光结构，所述衬底具有彼此相对的第一主表面和第二主表面；在所述衬底的第二主表面上形成反射膜，所述反射膜包括至少一个激光吸收区；以及进行划线处理，通过从所述发光结构顶部与所述激光吸收区相对应的部分将激光照射到所述发光结构和所述衬底来使所述发光结构和所述衬底分成器件单元。
半导体发光器件制造方法

[发明专利]半导体发光二极管芯片、发光器件及其制造方法-CN201180051281.8无效
发明人： 蔡昇完;金台勋;李守烈;李进馥;金真焕;李承宰;金甫耕;李锺昊 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2011-09-01 - 公布日： 2013-06-26 - 主分类号： H01L33/44 文献下载
摘要：本发明的一个方面提供了一种半导体发光二极管芯片和一种半导体发光器件。所述半导体发光二极管芯片包括：透光衬底；以及在所述透光衬底的上表面上顺序地形成的第一导电类型半导体层、有源层和第二导电类型半导体层。所述半导体发光器件包括：后反射型叠层，其形成在透光衬底的下表面上并且具有辅助光学层和金属反射层，所述辅助光学层由具有预定折射率的材料制成，所述金属反射层形成在所述辅助光学层的下表面上；接合金属层，其设置在所述后反射型叠层的下表面上并且由共晶金属制成；以及接合叠层，其具有被形成为防止所述接合金属层与所述金属反射层之间的元素扩散的扩散屏障。
半导体发光二极管芯片发光器件及其制造方法

[发明专利]半导体发光器件封装件-CN201210226038.1无效
发明人：金台勋;蔡昇完;金晟泰;李守烈 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2012-06-29 - 公布日： 2013-01-02 - 主分类号： H01L33/62 文献下载
摘要：本发明提供了一种半导体发光器件封装件，其包括：具有彼此相对的第一主表面和第二主表面的半导体衬底；布置在所述半导体衬底的第一主表面侧上的光源；布置在所述半导体衬底的第二主表面侧上的多个电极焊盘；从所述多个电极焊盘延伸并且穿透所述半导体衬底的导电通孔；以及包括多个二极管的驱动电路单元，通过由p型区和n型区形成的pn结获得所述多个二极管，并且将所述多个二极管电连接至所述导电通孔和所述光源。
半导体发光器件封装

[发明专利]倒装型氮化物半导体发光器件-CN200610001499.3有效
发明人： 蔡昇完;尹锡吉;高建维;沈炫旭;李凤一 -专利权人：三星电机株式会社
申请日： 2006-01-19 - 公布日： 2006-10-18 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种倒装型氮化物半导体发光器件，其具有p型和n型氮化物半导体层，以及在其中间的有源层。本发明还具有：欧姆接触层，形成在p型氮化物半导体层上；透光导电氧化物层，形成在欧姆接触层上；以及高反射金属层，形成在透光导电氧化物层上。
倒装氮化物半导体发光器件

1
2
下一页»
尾页
共 17 条