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专利名称

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申请人
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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]自细胞提取胞器的方法-CN201610339510.0有效
发明人：林佳玟;蔡新庭;郑汉中 -专利权人：台湾粒线体应用技术股份有限公司
申请日： 2016-05-20 - 公布日： 2021-02-09 - 主分类号： C12N5/07 文献下载
摘要：一种自细胞提取胞器的方法，包括以下步骤：将多个细胞和溶液均匀混合以得到混合物；将混合物置入容器内；将容器置入研磨装置中，研磨装置包括研磨件和连接于研磨件的机械动力源；将研磨件浸入位于容器内的混合物；进行混合物研磨，对研磨装置设定研磨参数，而使机械动力源根据研磨参数控制研磨件研磨混合物，以得到均质化混合物；将均质化混合物离心以得到上清液；将上清液离心以得到含有多个胞器的沉淀物；在进行混合物研磨的步骤中，保持研磨件的至少部分体积位于混合物中。本发明自细胞提取胞器的方法，能在破坏大量细胞的细胞膜的同时维持胞器的完整性，以成功自细胞内提取大量质量良好的胞器。
细胞提取方法

[发明专利]影像感测器以及其制作方法-CN201511000592.8在审
发明人： 蔡新庭;余政宏;刘金光;李明星;张弘升 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2015-12-28 - 公布日： 2017-07-04 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明公开一种影像感测器以及其制作方法。该影像感测器包括具有多个彼此相连的上子透镜的连续式微透镜以及对应各上子透镜设置的下子透镜。连续式微透镜可提升量子效应，下子透镜与上子透镜搭配可在较短的距离内形成两阶段的聚光效果而使入射光聚焦至感光单元上，故可使连续式微透镜的应用不受限于对应的像素区大小。此外，由于下子透镜与感光单元之间的距离较短，故可使得感光灵敏度与均匀性获得提升，而通过下子透镜也可使对应设置的彩色滤光层的穿透率获得提升。
影像感测器及其制作方法

[发明专利]晶片清洗装置及晶片清洗方式-CN201510066846.X在审
发明人： 蔡新庭;余政宏;刘金光;李明星;庄玮宏;童圭璋;吕彦逸;王进钦 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2009-12-24 - 公布日： 2015-05-20 - 主分类号： B08B3/02 文献下载
摘要：本发明公开一种晶片清洗装置及晶片清洗方式。该晶片清洗装置，包含：一平台，用以承载一晶片，前述的晶片具有一待洗表面、一第一喷嘴设于该晶片的上方，第一喷嘴与晶片的待洗表面之间具有一第一高度以及一第二喷嘴设于晶片的上方，第二喷嘴与晶片的待洗表面之间具有一第二高度，其中第一高度小于第二高度。
晶片清洗装置方式

[发明专利]图像感测元件的制造方法及其重新制作方法-CN201010135820.3有效
发明人： 蔡新庭;余政宏;刘金光;许坤炎 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2010-03-16 - 公布日： 2011-09-21 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明公开了一种图像感测元件的制造方法。首先，提供具有像素阵列区以及接合垫区的基底。接着，在基底上依序由下往上形成图案化金属层以及第一平坦化层。其中，第一平坦化层中具有暴露出接合垫区的图案化金属层的开口。然后，在像素阵列区的第一平坦化层上形成彩色滤光阵列以及覆盖其上的第二平坦化层，且第二平坦化层填入第一平坦化层的开口中。之后，在相对应彩色滤光阵列的第二平坦化层上形成多个微透镜。接着，在微透镜与第二平坦化层上顺应性形成覆盖层。然后，进行蚀刻步骤，移除开口中的覆盖层及第二平坦化层，以暴露出接合垫区的图案化金属层。
图像元件制造方法及其重新制作方法

[发明专利]晶片清洗装置及晶片清洗方式-CN200910266338.0有效
发明人： 蔡新庭;余政宏;刘金光;李明星;庄玮宏;童圭璋;吕彦逸;王进钦 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2009-12-24 - 公布日： 2011-06-29 - 主分类号： B08B3/02 文献下载
摘要：本发明公开一种晶片清洗装置及晶片清洗方式。该晶片清洗装置，包含：一平台，用以承载一晶片，前述的晶片具有一待洗表面、一第一喷嘴设于该晶片的上方，第一喷嘴与晶片的待洗表面之间具有一第一高度以及一第二喷嘴设于晶片的上方，第二喷嘴与晶片的待洗表面之间具有一第二高度，其中第一高度小于第二高度。
晶片清洗装置方式

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