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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]具有单面板功能测试的静电放电防护整合电路-CN200610094686.0有效
发明人： 蔡哲福;王文俊 -专利权人：胜华科技股份有限公司
申请日： 2006-06-26 - 公布日： 2008-01-02 - 主分类号： G09G3/20 文献下载
摘要：一种平面显示器，显示面板包括多条信号线以及多个静电防护电路，其中静电防护电路的负静电防护电路具有单面板测试功能(Cell test function)，在整合上述单面板测试功能的同时经过贴附驱动芯片后，在一般动态显示时负静电防护电路接至一低电位电压，以使排放负静电防护电路组于一般显示时其电路架构的薄膜晶体管无导通路径，可使负静电防护电路于动态一般驱动显示时，着实降低面板模块的功率损耗，以延长产品的使用时间。
具有面板功能测试静电放电防护整合电路

[发明专利]多域液晶显示器-CN200610076369.6有效
发明人：王文俊;李建璋;刘锦璋;蔡哲福;周怡伶 -专利权人：胜华科技股份有限公司
申请日： 2006-04-20 - 公布日： 2007-10-24 - 主分类号： G02F1/133 文献下载
摘要：一种多域液晶显示器，包含一彩色滤光片基板、一有源元件阵列基板及介设于两者间的液晶层。彩色滤光片基板设置有一第一共用电极，有源元件阵列基板上设置有一第二共用电极及像素电极。第二共用电极围绕像素电极以协同该像素电极产生一边缘电场。本发明克服了现有技术的缺陷，未施加电压(Voff)的状态下各个液晶分子均呈垂直配向，故不会产生多余的光程差值(Δnd＝0)，而可避免漏光现象产生；另一方面，与公知在电极处形成开缝的方式相比，本发明通过第二共用电极与像素电极的压差所产生的边缘电场效应，可提供较强的液晶分子倾倒力量，且可减少错向缺陷区域形成而有效提升整体光穿透率。
液晶显示器

[发明专利]薄膜晶体管液晶显示器的像素结构-CN200610007363.3有效
发明人： 蔡哲福;周怡伶;王文俊 -专利权人：胜华科技股份有限公司
申请日： 2006-02-09 - 公布日： 2007-08-15 - 主分类号： G02F1/136 文献下载
摘要：一种薄膜晶体管液晶显示器的像素结构，其通过利用三层金属层的设计，使数据信号线与公共电极夹置有机绝缘层以降低寄生电容，同时公共电极与像素电极夹置钝化层作为像素所需的储存电容，以达到高开口率设计。另外，利用公共电极作为遮光层，以提高显示的对比度。
薄膜晶体管液晶显示器像素结构

[发明专利]高稳定性位移电路-CN200510063155.0有效
发明人： 蔡哲福;王文俊;廖文堆 -专利权人：胜华科技股份有限公司
申请日： 2005-04-05 - 公布日： 2006-10-18 - 主分类号： G11C19/28 文献下载
摘要：本发明公开了一种高稳定性位移电路，各阶段的位移电路具有一补充单元对输出节点补充低准位，其利用将该输出节点处的输出信号拉回至自属位移电路单元内充当控制信号，其控制信号支配该阶位移电路单元，进而对该输出端持续补充低位准。藉此根据本发明的位移电路除了可以达到主动式显示面板所需的驱动信号位移功能之外，当该电路使用非晶硅薄膜晶体管实施时，同时可以抑制电路内非晶硅薄膜晶体管的临界电压位移现象，这样可延长位移电路的使用寿命以及提高位移电路的稳定性。
稳定性位移电路

[发明专利]一种液晶显示面板的像素储存电容结构-CN200510055768.X无效
发明人： 蔡哲福;周怡伶;王文俊 -专利权人：胜华科技股份有限公司
申请日： 2005-03-21 - 公布日： 2006-09-27 - 主分类号： G02F1/133 文献下载
摘要：本发明公开了一种液晶显示面板的像素储存电容结构，利用透明导电层形成的像素电极的一部分区域对应重叠于由第二导电金属层形成的共通电极，作为该像素的储存电容；且该共通电极也可作为该像素的遮光层，负责遮断多余的背光模块的光线，使每一个像素间的光源不会互相干扰，从而提高整体显示面板的对比度。
一种液晶显示面板像素储存电容结构

[发明专利]高可靠度的位移缓存器电路-CN200510051187.9有效
发明人：王文俊;廖文堆;蔡哲福 -专利权人：胜华科技股份有限公司
申请日： 2005-03-02 - 公布日： 2006-09-06 - 主分类号： G11C19/28 文献下载
摘要：本发明公开了一种高可靠度的位移缓存器电路，其中每一阶主电路由第一～第四晶体管(M1～M4)组成，且这些晶体管在一个画面框的时间内仅1～2个脉冲波的时间是导通的，及利用第五及第七晶体管(M5，M7)所组合的反向器电路持续提供一高准位的供应电压，用以控制第八及第九晶体管(M8，M9)的导通以持续提供一低准位的供应电压给第一节点及输出端，藉此避免第一节点及输出端处于浮接状态，另外，利用第六晶体管(M6)提供一充电回路，用以提高第五晶体管(M5)的寿命，通过该电路可避免非晶硅薄膜晶体管因持续偏压而影响位移缓存器电路的动作。
可靠位移缓存电路

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