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[发明专利]一种SOI晶圆及制造方法-CN202210526183.5在审
发明人： 蒋兴教;梁昕;郭晨浩;宋飞;张涛 -专利权人：绍兴中芯集成电路制造股份有限公司
申请日： 2022-05-16 - 公布日： 2022-10-14 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：本发明涉及一种SOI晶圆及制造方法，该制造方法包括：提供第一硅晶圆和第二硅晶圆；分别在第一硅晶圆的键合面和第二硅晶圆的键合面形成键合面氧化层；分别对第一硅晶圆的键合面及第二硅晶圆的键合面进行等离子体注入；将等离子体注入后的第一硅晶圆的键合面与第二硅晶圆的键合面键合；键合后，对第一硅晶圆的非键合面进行第一次减薄；第一次减薄后，在第二硅晶圆的非键合面形成介质层。本发明在SOI晶圆的第二硅晶圆背面沉积一层介质层，可降低SOI晶圆的应力和弯曲度，并且该介质层是在第一硅晶圆与第二硅晶圆键合后且对第一硅晶圆第一次减薄后形成，有利于减少第一硅晶圆与第二硅晶圆键合面的键合空洞。
一种 soi 制造方法

[发明专利]半导体器件及其制作方法-CN202210458931.0在审
发明人： 蒋兴教;陈政;郭晨浩 -专利权人：绍兴中芯集成电路制造股份有限公司
申请日： 2022-04-27 - 公布日： 2022-08-05 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：本发明提供了一种半导体器件及其制作方法，所述方法包括：提供一衬底，所述衬底上形成有掩膜层；形成贯穿所述掩膜层并延伸至所述衬底内的多个凹槽，所述凹槽包含第一凹槽与第二凹槽，所述第一凹槽用于形成高压器件内的局部氧化层结构，所述第二凹槽用于形成隔离不同器件的浅沟槽隔离结构；沉积绝缘材料，所述绝缘材料填满所述凹槽以形成局部氧化层结构与浅沟槽隔离结构。本发明在形成浅沟槽隔离结构的同时形成高压器件内的局部氧化层结构，简化了工艺流程，同时消除了形成局部氧化层结构时导致的鸟嘴效应，使局部氧化层结构的尺寸缩小，从而缩小了高压器件的尺寸，由此改善器件性能。
半导体器件及其制作方法