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[发明专利]在衬底上形成钴互连-CN201580075674.0有效
发明人：罗伊·沙维夫;约翰·莱姆;蒂莫西·博赫曼 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2015-12-29 - 公布日： 2020-08-07 - 主分类号： C25D3/12 文献下载
摘要：一种晶片电镀系统具有至少一个第一电镀腔室，所述第一电镀腔室具有含钴离子的第一电解质，并且适于以第一沉积速率电镀钴膜到晶片上。第二电镀腔室具有含钴离子的第二电解质，并且适于以第二沉积速率电镀钴膜到所述晶片上，所述第二沉积速率比所述第一沉积速率大。所述第一电镀腔室与第二电镀腔室处于处理系统的围壁内。机械手在所述第一电镀腔室与第二电镀腔室之间移动晶片。
衬底形成互连

[发明专利]形成钴或镍互连结构的方法-CN201610237028.6在审
发明人：罗伊·沙维夫;约翰·W·拉姆;蒂莫西·博赫曼;珍妮弗·濛初·曾 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2016-04-15 - 公布日： 2016-10-26 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：一种用于在工件上的特征中沉积金属的方法，所述方法包括：在工件上的特征中形成种晶层，其中种晶层包括选自由钴和镍组成的群组的金属；在种晶层上电化学沉积第一金属化层，其中电化学沉积金属化层包括使用具有电镀金属离子和处于6至13范围内的pH值的电镀电解液；和在沉积第一金属化层之后热处理工件。
形成互连结构方法