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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]一种光纤准直器的快速对光耦合装置和快速对光耦合方法-CN202210826511.3有效
发明人：岳世海;朱勇;葛增伟;盖立君;陆晓晨;殷学技;徐冰 -专利权人：中国科学院上海硅酸盐研究所
申请日： 2022-07-14 - 公布日： 2023-08-08 - 主分类号： G02B6/32 文献下载
摘要：本发明提供一种光纤准直器的快速对光耦合装置，包括：光学平台、光器件固定平台、输入端准直器调节架和接收端准直器调节架、输入端准直器和接收端准直器、输入端准直器对应的感光屏和接收端准直器对应的感光屏。本发明还提供一种光纤准直器的快速对光耦合方法。本发明提供的一种光纤准直器的快速对光耦合装置和快速对光耦合方法，具有结构简单、成本较低、操作方便的特点，适用于光功能器件特别是对光束传播方向产生作用的光器件耦合生产，极大地降低生产对人员经验的依赖程度，且稳定、高效、低成本。
一种光纤准直器快速对光耦合装置方法

[发明专利]一种桥式晶体散热块-CN201910403440.4有效
发明人：朱勇;岳世海;殷学技;朱玉伟;徐冰;赵寒冰;黄恺平;葛增伟 -专利权人：上海硅酸盐研究所中试基地;中国科学院上海硅酸盐研究所
申请日： 2019-05-15 - 公布日： 2022-07-12 - 主分类号： G02F1/11 文献下载
摘要：本发明提供一种桥式晶体散热块。包括：主体部，所述主体部具备沿其长度延伸的光路区域；桥墩部，从所述主体部的光路区域的中后端的两侧分别向上突出；通孔，分别设于所述桥墩部。可有效避免装配过程中的晶体开裂、实现小型和微型化极限尺寸。
一种晶体散热

[发明专利]一种射线纯碘化钠粉体及制备方法-CN201910374118.3有效
发明人：朱勇;葛增伟;岳世海;张若飞;周志坚 -专利权人：上海硅酸盐研究所中试基地;中国科学院上海硅酸盐研究所;昆山金城试剂有限公司
申请日： 2019-05-07 - 公布日： 2022-03-08 - 主分类号： C01D3/14 文献下载
摘要：本发明涉及一种射线纯碘化钠粉体及制备方法，该制备方法包括：（1）将NaI粉体或NaI晶体溶于纯水中，形成NaI饱和溶液，所述NaI粉体或NaI晶体的纯度至少为99.5%；（2）在所得NaI饱和溶液加入水合肼，形成NaI碱性溶液；（3）利用微孔滤膜抽滤分离NaI碱性溶液，得到NaI碱性滤液；（4）在所得NaI碱性滤液中加入氢碘酸，形成NaI酸性溶液；（5）利用微孔滤膜抽滤分离NaI酸性溶液，得到NaI酸性滤液；（6）在所得NaI酸性滤液中加入水合肼，并调节pH至弱酸性，再经蒸发结晶和抽滤后，得到射线纯NaI粉体。
一种射线碘化钠制备方法

[发明专利]一种非真空下降法生长氟化铈晶体的方法-CN201410136597.2在审
发明人：岳世海;朱勇;王威;殷学技;徐海芳;潘裕柏;葛增伟 -专利权人：上海硅酸盐研究所中试基地;中国科学院上海硅酸盐研究所
申请日： 2014-04-04 - 公布日： 2015-10-14 - 主分类号： C30B29/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种非真空下降法生长氟化铈晶体的方法，其包括如下步骤：a)使氟化铈粉体与聚四氟乙烯粉体按质量比为100:(1～5)混匀；b)将步骤a)得到的混合粉体进行真空干燥；c)将步骤b)得到的干燥混合粉体装入坩埚中，在非真空条件下，以0.5～1.5毫米/小时的下降速度进行晶体生长。本发明通过加入一定量的聚四氟乙烯粉体，可有效清除氧杂质，因而实现了在非真空条件下用坩埚下降法生长CeF₃晶体，极大地简化了CeF₃晶体的生长工艺，有利于实现CeF₃晶体的规模化生产，相对于现有技术具有显著性进步和实用价值。
一种真空下降生长氟化晶体方法

[发明专利]一种稀土正铁氧体纳米粉体的制备方法-CN201110029119.8无效
发明人：武安华;申慧;徐家跃;侍敏丽;罗丽庆;储耀卿;葛增伟 -专利权人：中国科学院上海硅酸盐研究所
申请日： 2011-01-27 - 公布日： 2011-09-07 - 主分类号： C04B35/26 文献下载
摘要：本发明公开了一种稀土正铁氧体纳米粉体的制备方法，该方法是溶胶-凝胶自燃法，包括如下具体步骤：配制稀土金属硝酸盐或盐酸盐水溶液、硝酸铁或氯化铁水溶液、柠檬酸水溶液；将配制的稀土金属硝酸盐或盐酸盐水溶液、硝酸铁或氯化铁水溶液与柠檬酸水溶液混合，加热并搅拌，使形成溶胶-凝胶前驱体；将得到的溶胶-凝胶前驱体置入550～650℃的加热炉中进行自燃合成；将得到的自燃产物在600～800℃下煅烧2～4小时。本发明所述的溶胶-凝胶自燃法具有能耗低，制备工艺简单，无需特殊设备，可操控性强，产品纯度高，适合规模化生产等优点。
一种稀土铁氧体纳米制备方法

[发明专利]一种高纯二氧化碲单晶及制备方法-CN200910048849.5有效
发明人： 葛增伟;朱勇;吴国庆;殷学技;唐林耀;赵寒冰;顾李臻 -专利权人：上海硅酸盐研究所中试基地;中国科学院上海硅酸盐研究所
申请日： 2009-04-03 - 公布日： 2010-10-06 - 主分类号： C30B29/16 文献下载
摘要：本发明涉及一种高纯二氧化碲单晶及制备方法，属于单晶生长技术领域。本发明的制备过程为首先进行第一次单晶生长，然后将所得单晶重新溶解，之后加入沉淀剂制粉，最后将所制粉体进行第二次单晶生长后获得高纯单晶。本发明制备的二氧化碲单晶纯度高，尤其是U、Th等放射性杂质含量可降低至10-13g/g。
一种高纯氧化碲单晶制备方法

[发明专利]一种二氧化碲单晶体的坩埚下降生长技术-CN03141999.2有效
发明人： 葛增伟;吴国庆;储耀卿;殷学技;唐林跃;赵寒冰;顾李臻 -专利权人：中国科学院上海硅酸盐研究所
申请日： 2003-08-01 - 公布日： 2004-04-07 - 主分类号： C30B29/16 文献下载
摘要：一种二氧化碲单晶体的坩埚下降法生长技术，属于晶体生长领域。其特征在于采用以粉末为原料直接装埚入炉及在坩埚下降生长晶体的过程中持续升温至1300℃～1400℃的方法，坩埚下降的速率为每小时0.6～1.0mm。本技术克服了背景技术中压块装料、下降过程单一降温技术导致的易穿漏、成品率低和晶体厚度小的缺点。可生长出厚度超过60mm、尺寸大于(60×60×60)mm的优质大单晶。穿漏率＜1％，成品率提高。纯度高(含Ur、Th达到1×10^－12)、晶体透明(无气泡，无包裹体，无裂纹)，能满足国际、国内对大尺寸优质二氧化碲单晶体的需求。
一种氧化单晶体坩埚下降生长技术

[其他]二氧化碲单晶体的生长技术-CN101985000007803在审
发明人：蒲芝芬;葛增伟 -专利权人：中国科学院上海硅酸盐研究所
申请日： 1985-10-09 - 公布日： 1989-09-13 - 主分类号：文献下载
摘要：一种属于晶体生长技术的二氧化碲（ＴｅＯ2）单晶体生长。其特征在于用坩埚下降法可生长多种切向和形状的单晶体。利用本技术可沿［１００］［００１］［１１０］方向并可沿其中任一方向生长方棒、椭圆形、菱形、板状及圆柱形晶体。所生长晶体可达（７０～８０）ｍｍ×（２０～３０）ｍｍ×１００ｍｍ。本方法与一般提拉法比具有设备简单，不受提拉方向和切形限制，基本无污染等优点，而且晶体利用率可相应提高３０～１００％。
氧化单晶体生长技术

[发明专利]二氧化碲单晶体的生长技术-CN85107803.6无效
发明人：蒲芝芬;葛增伟 -专利权人：中国科学院上海硅酸盐研究所
申请日： 1985-10-09 - 公布日： 1989-09-13 - 主分类号： C30B29/46 文献下载
摘要：一种属于晶体生长技术的二氧化碲(TeO2)单晶体生长。其特征在于用坩埚下降法可生长多种切向和形状的单晶体。利用本技术可沿[100][001][110]方向并可沿其中任一方向生长方棒、椭圆形、菱形、板状及圆柱形晶体。所生长晶体可达(70～80)mm×(20～30)mm×100mm。本方法与一般提拉法比具有设备简单，不受提拉方向和切形限制，基本无污染等优点，而且晶体利用率可相应提高30～100％。
氧化单晶体生长技术

[其他]二氧化碲单晶体的生长技术-CN85107803无效
发明人：蒲芝芬;葛增伟 -专利权人：中国科学院上海硅酸盐研究所
申请日： 1985-10-09 - 公布日： 1987-04-15 - 主分类号： C30B29/46 文献下载
摘要：一种属于晶体生长技术的二氧化碲(TeO2)单晶体生长。其特征在于用坩埚下降法可生长多种切向和形状的单晶体。利用本技术可沿[100][001][110]方向并可沿其中任一方向生长方棒、椭圆形、菱形、板状及圆柱形晶体。所生长晶体可达(70～80)mm×(20～30)mm×100mm。本方法与一般提拉法比具有设备简单，不受提拉方向和切形限制，基本无污染等优点，而且晶体利用率可相应提高30～100％。
氧化单晶体生长技术

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