专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]钻机-CN202180037583.3在审
  • 穆罕默德·阿尔卡拉;高扬 - 萨里大学
  • 2021-04-16 - 2023-01-31 - E21B1/14
  • 一种钻机,包括:钻头,所述钻头包括被构造为相对于彼此滑动的第一钻探部和第二钻探部,其中,所述第一钻探部和所述第二钻探部分别在一端与第一构件和第二构件枢转地联接;凸轮,所述凸轮与所述第一构件和所述第二构件接合,其中,所述第一构件和所述第二构件用作从动件,以使所述钻头的钻探部在缩回位置与伸展位置之间以往复运动的方式相对于彼此滑动;以及楔形件,所述楔形件包括与所述第一构件接合的第一倾斜表面和与所述第二构件接合的第二倾斜表面,并且被构造为当所述第一构件朝向所述缩回位置移动时促使所述钻头朝着第一方向枢转,并且当所述第二构件朝向所述缩回位置移动时促使所述钻头朝着第二方向枢转。
  • 钻机
  • [发明专利]减少半导体光学器件中的俄歇复合-CN202180030435.9在审
  • 阿尔弗雷德·罗德尼·亚当斯 - 萨里大学
  • 2021-02-26 - 2022-12-09 - H01S5/34
  • 一种半导体光学器件(40,50,60),包括第一区域,所述第一区域包括活跃区域,所述活跃区域被配置为使得当电压施加到所述器件时,电子和空穴在所述活跃区域中复合以产生光子。所述器件包括至少一个第二区域(43,44,53,54,62,63),所述第二区域包括量子阱结构,其被配置为仅捕获电子、仅捕获空穴或捕获不同数量的电子和空穴。所述第二区域被布置在距离所述第一区域足够近的距离处,使得当向所述器件施加电压时在所述第一区域中产生电荷不平衡,从而减少所述第一区域中的俄歇复合。
  • 减少半导体光学器件中的复合
  • [发明专利]用于产生指示温度的电信号的装置-CN202080068181.5在审
  • 拉杜·斯波雷亚;伊娃·拜斯特林克 - 萨里大学
  • 2020-08-27 - 2022-05-06 - G01K7/01
  • 公开了用于产生指示温度的电信号的装置,该装置包括:第一薄膜晶体管TFT,包括第一源极、第一栅极和第一漏极,第一漏极被配置为接收参考电流;以及第二TFT,包括第二源极、第二栅极和第二漏极,第一栅极和第二栅极都被配置为接收相同的栅极电压,其中第一TFT和第二TFT被配置为使得第一TFT的温度相关关系与第二TFT的温度相关关系不同,使得第二TFT和第二漏极处的输出电流取决于温度。输出电流的温度相关关系可以通过为第一TFT和第二TFT选择合适的设计参数来控制。还公开了一种设计该装置以产生具有目标温度相关关系的输出电流的方法。
  • 用于产生指示温度电信号装置
  • [发明专利]在资源受限的环境中实现机器学习-CN202080050615.9在审
  • S·莫斯乔伊安尼斯;A·克里斯蒂斯 - 萨里大学
  • 2020-07-10 - 2022-03-11 - G06F9/50
  • 一种计算机实现的方法包括将包括计算机程序的包的内容加载到封装的执行中并且由一个或多个计算设备在封装的执行环境中执行所述计算机程序。所述包的内容的数据存储大小被限制超过包数据存储大小限制。所述计算机程序的执行导致处理。所述处理包括从云存储服务中获取经过训练的机器学习模型;将所述经过训练的机器学习模型加载到封装的执行环境的临时存储中;以及应用所述经过训练的机器学习模型已基于一个或多个向量输入导出一个或多个向量输出。所述经过训练的机器学习模型和所述包的内容的组合数据存储大小超过所述包数据存储大小限制。
  • 资源受限环境实现机器学习
  • [发明专利]多栅极晶体管-CN201980090669.5在审
  • 拉杜·亚历山德鲁·斯波雷亚;伊娃·拜斯特林克 - 萨里大学
  • 2019-11-29 - 2021-11-19 - H01L29/786
  • 公开了一种多栅极晶体管,包括源极、与源极间隔开的漏极、设置在源极和漏极之间的半导体区域以及设置在半导体区域之上的绝缘区域。多栅极晶体管还包括:电流控制栅极,用于根据施加到电流控制栅极的第一电场来控制通过半导体区域在源极和漏极之间流动的电流的大小,电流控制栅极通过半导体区域和绝缘区域与源极分离;以及开关栅极,用于根据施加到开关栅极的第二电场来允许电流通过半导体区域在源极和漏极之间流动。可以通过改变施加到开关栅极的第二电场来控制晶体管的导电状态(即导通/关断),而可以通过改变施加到电流控制栅极的第一电场来设置通过多栅极晶体管的电流的大小。
  • 栅极晶体管

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