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专利名称

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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[实用新型]靶材溅射装置及其成膜装置-CN202020180266.X有效
发明人：长江亦周;菅原卓也;宫内充祐;山本摄也 -专利权人：株式会社新柯隆
申请日： 2020-02-18 - 公布日： 2020-09-18 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：本申请公开一种靶材溅射装置，包括：用于支撑靶材的支撑壳体；所述支撑壳体背对所述靶材的一侧设有两个或更多个用于输入溅射气体的气体输入部；所述支撑壳体设有所述靶材的一侧具有用于输出所述溅射气体的气体输出部；至少两个所述气体输入部位于所述支撑壳体的不同位置。本申请所提供的一种靶材溅射装置及其成膜装置能够在校正膜厚的基础上，避免降低溅射效率。
溅射装置及其

[发明专利]成膜方法、成膜装置-CN201210082649.3无效
发明人：两角友一朗;菅原卓也;秋山浩二;菱屋晋吾;广田俊幸;清村贵利 -专利权人：尔必达存储器株式会社;东京毅力科创株式会社
申请日： 2012-03-26 - 公布日： 2012-10-03 - 主分类号： C23C16/40 文献下载
摘要：本发明涉及成膜含有氧化锆膜的电介质膜的方法，该方法具有：供给由在结构中含有环戊二烯基环的锆化合物构成的锆原料和氧化剂，在被处理基板上成膜氧化锆膜的工序；供给由在结构中含有环戊二烯基环的钛化合物构成的钛原料和氧化剂，在上述氧化锆膜上成膜氧化钛膜的工序。
方法装置

[发明专利]等离子体处理方法-CN200910253426.7无效
发明人： 菅原卓也;中西敏雄;尾﨑成则;松山征嗣;村川惠美;多田吉秀 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2002-01-25 - 公布日： 2010-06-23 - 主分类号： H01L21/314 文献下载
摘要：本发明提供一种等离子体处理方法。该方法包括：在衬底上形成绝缘膜的工序；和将该衬底上所形成的绝缘膜暴露在等离子体中，从而将所述绝缘膜改性的工序，其中所述等离子体是基于经过天线部件的微波照射而由处理气体生成的，其中，所述处理气体包括稀有气体，和氧气、氮气以及氢气中的至少一种。
等离子体处理方法

[发明专利]成膜方法及成膜装置-CN200910161097.3有效
发明人：石田义弘;原田豪繁;菅原卓也 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2009-08-11 - 公布日： 2010-02-17 - 主分类号： H01L21/316 文献下载
摘要：本发明提供一种成膜方法及成膜装置。成膜方法向能保持真空的处理容器内插入被处理体，形成为将处理容器内保持真空的状态；通过对形成ZrO₂膜时的锆原料和氧化剂的供给次数及形成SiO₂膜时的硅原料和氧化剂的供给次数进行调整来进行形成ZrO₂膜的工序和形成SiO₂膜的工序，使得膜中的Si浓度为1～4atm％，形成ZrO₂膜的工序是向处理容器内交替地多次供给锆原料和氧化剂而在基板上形成ZrO₂膜的工序，形成SiO₂膜的工序是向处理容器内交替地1次或多次供给硅原料和氧化剂而在基板上形成SiO₂膜的工序；将上述供给次数的ZrO₂膜成膜和SiO₂膜成膜作为1个循环，进行该循环1个以上而形成规定膜厚的氧化锆系膜。
方法装置

[发明专利]电子器件材料的制造方法-CN200810171103.9无效
发明人： 菅原卓也;中西敏雄;尾﨑成则;松山征嗣;村川惠美;多田吉秀 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2002-01-22 - 公布日： 2009-04-01 - 主分类号： H01L21/316 文献下载
摘要：一种采用SiO₂膜及SiON膜作为具有极薄(例如2.5nm以下)膜厚的绝缘膜、采用多晶硅、非晶硅、SiGe作为电极的具有良好电气特性的电子器件(例如高性能MOS型半导体器件)结构的制造方法。在包含氧以及稀有气体的处理气体的存在下，通过由平面天线部件SPA在使以Si为主要成分的晶片W上照射微波，形成包含氧以及稀有气体的等离子体(或者包含氮以及稀有气体的等离子体、或者包含氮、稀有气体以及氢的等离子体)。利用此等离子体在所述晶片表面形成氧化膜(或者氮氧化膜)，根据需要形成多晶硅、非晶硅、SiGe的电极并形成电子器件结构。
电子器件材料制造方法

[发明专利]基板处理方法和等离子体处理装置-CN200810001745.4无效
发明人：松山征嗣;菅原卓也;尾﨑成则;中西敏雄;佐佐木胜 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2003-03-28 - 公布日： 2008-09-17 - 主分类号： H01L21/314 文献下载
摘要：本发明提供一种等离子体处理装置和基板处理方法，该基板处理方法的特征在于：氮化在基板表面上形成的氧化膜来形成氧氮化膜，该方法包括：氮化处理工序，通过等离子体激励稀有气体和氮气，生成氮原子团或者氮离子，利用所述氮原子团或者氮离子来氮化所述氧化膜，所述氮化处理工序是在下述条件下进行的：在100℃～500℃的基板温度，将所述等离子体的电子温度设定为2eV以下，将保持有所述被处理基板的处理空间中的氧滞留时间设定为2秒以下。
处理方法等离子体装置

[发明专利]基板处理装置及基板处理方法-CN200810002399.1无效
发明人： 菅原卓也 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2008-01-17 - 公布日： 2008-07-23 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：本发明提供一种基板处理装置及基板处理方法，能简单且高效率地加热绝缘性基板的表面部分且对其进行规定的处理。在基板(10)表面上形成导电薄膜(20)，在该导电薄膜(20)上设有电极(30)，使该电极(30)和与电源(60)连接的电极(40)为电导通状态，闭合开关(50)，对导电薄膜(20)通电，借助此时的电热效果使导电薄膜(20)直接发热并上升到期望温度，将SiH₄气体及B₂H₆气体作为反应气体供给到薄膜(20)表面而堆积Poly－Si。
处理装置方法

[发明专利]用等离子体处理改进包含高k层的栅极电介质叠层的方法和系统-CN200580027487.1有效
发明人：新实宽明;路吉·克罗姆伯;下村晃司;菅原卓也;松土龙夫 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2005-08-11 - 公布日： 2007-07-25 - 主分类号： H01L21/314 文献下载
摘要：通过暴露于等离子体来改进栅极电介质叠层(1)的方法和系统。该方法包括：提供具有形成在衬底(10，125)上的高k层(30)的栅极电介质叠层(1)；由包含惰性气体和含氧气体或含氮气体中的一种的处理气体生成等离子体，选择所述处理气体的压力以控制所述等离子体中的中性自由基相对于离子自由基的量；通过使所述叠层(1)暴露于所述等离子体来改进所述栅极电介质叠层(1)。
等离子体处理改进包含栅极电介质方法系统

[发明专利]基底绝缘膜的形成方法-CN200610162324.0无效
发明人： 菅原卓也;多田吉秀;中村源志;尾﨑成则;中西敏雄;佐佐木胜;松山征嗣;长谷部一秀;中岛滋;藤原友纪 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2003-03-31 - 公布日： 2007-05-23 - 主分类号： H01L21/316 文献下载
摘要：对配置于电子器件用基底材料上的绝缘膜的表面照射基于处理气体的等离子体，从而在该绝缘膜和电子器件用基底材料的界面上形成基底膜，其中所述处理气体含有至少包括氧原子的气体。在绝缘膜和电子器件用基底材料之间的界面上，可以得到使该绝缘膜特性提高的优质底层膜。
基底绝缘形成方法

[发明专利]绝缘膜的改性方法-CN200480015099.7无效
发明人： 菅原卓也;多田吉秀;中村源志;尾﨑成则;中西敏雄;佐佐木胜;松山征嗣;长谷部一秀;中岛滋;藤原友纪 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2004-05-28 - 公布日： 2007-03-14 - 主分类号： H01L21/316 文献下载
摘要：本发明提供一种改善由MOSFET的栅极绝缘膜或存储设备中的电容的电极间绝缘膜所含有的碳、低氧化物(suboxide)、悬挂键(danglingbond)等引起的特性恶化，提高绝缘膜的特性的方法。对绝缘膜实施将基于含有稀有气体的处理气体的等离子体的等离子体处理和热退火处理组合的改性处理。
绝缘改性方法

[发明专利]电子器件材料的制造方法-CN02803991.2有效
发明人： 菅原卓也;中西敏雄;尾﨑成则;松山征嗣;村川惠美;多田吉秀 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2002-01-22 - 公布日： 2006-11-08 - 主分类号： H01L21/316 文献下载
摘要：一种采用SiO₂膜及SiON膜作为具有极薄(例如2.5nm以下)膜厚的绝缘膜、采用多晶硅、非晶硅、SiGe作为电极的具有良好电气特性的电子器件(例如高性能MOS型半导体器件)结构的制造方法。在包含氧以及稀有气体的处理气体的存在下，通过由平面天线部件SPA在使以Si为主要成分的晶片W上照射微波，形成包含氧以及稀有气体的等离子体(或者包含氮以及稀有气体的等离子体、或者包含氮、稀有气体以及氢的等离子体)。利用此等离子体在所述晶片表面形成氧化膜(或者氮氧化膜)，根据需要形成多晶硅、非晶硅、SiGe的电极并形成电子器件结构。
电子器件材料制造方法

[发明专利]等离子体处理方法-CN200510068210.5无效
发明人： 菅原卓也;中西敏雄;尾﨑成则;松山征嗣;村川惠美;多田吉秀 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2002-01-25 - 公布日： 2005-11-02 - 主分类号： H01L21/316 文献下载
摘要：本发明提供一种等离子体处理方法。该方法包括：在衬底上形成绝缘膜的工序；和将该衬底上所形成的绝缘膜暴露在等离子体中，从而将所述绝缘膜改性的工序，其中所述等离子体是基于经过天线部件的微波照射而由处理气体生成的，其中，所述处理气体包括稀有气体，和氧气、氮气以及氢气中的至少一种。
等离子体处理方法

[发明专利]基板处理方法-CN03813333.4无效
发明人：松山征嗣;菅原卓也;尾﨑成则;中西敏雄;佐佐木胜 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2003-03-28 - 公布日： 2005-08-24 - 主分类号： H01L21/318 文献下载
摘要：一种基板处理方法，通过微波等离子体氮化处理氮化在硅基板表面上形成的氧化膜来形成氧氮化膜，可避免损伤氧氮化膜，抑制硅基板和氧氮化膜的界面处的氧化膜的再生长，使氧化膜换算膜厚减少。所述氮化处理工序是在下述条件下进行的：将所述微波激励等离子体的电子温度设定为2eV以下，将保持所述被处理基板的处理空间中的氧滞留时间设定为2秒以下。
处理方法

[发明专利]衬底处理方法及半导体装置的制造方法-CN02824972.0无效
发明人： 菅原卓也;松山征嗣;佐佐木胜 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2002-12-25 - 公布日： 2005-06-29 - 主分类号： H01L21/324 文献下载
摘要：本发明提供了一种将形成有半导体元件的用于电子器件的衬底曝露于氢基(包括重氢基)中的衬底处理方法，在所述方法中，通过等离子体来激发所述氢基，所述等离子体是向平面天线辐射微波而形成的。
衬底处理方法半导体装置制造

[发明专利]基底绝缘膜的形成方法-CN03802592.2有效
发明人： 菅原卓也;多田吉秀;中村源志;尾﨑成则;中西敏雄;佐佐木胜;松山征嗣;长谷部一秀;中岛滋;藤原友纪 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2003-03-31 - 公布日： 2005-05-25 - 主分类号： H01L21/316 文献下载
摘要：对配置于电子器件用基底材料上的绝缘膜的表面照射基于处理气体的等离子体，从而在该绝缘膜和电子器件用基底材料的界面上形成基底膜，其中所述处理气体含有至少包括氧原子的气体。在绝缘膜和电子器件用基底材料之间的界面上，可以得到使该绝缘膜特性提高的优质底层膜。
基底绝缘形成方法

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