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[发明专利]半导体构件及其制造方法、存储系统-CN202210528592.9在审
发明人：肖亮;黄武根;苗利娜 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2022-05-16 - 公布日： 2022-08-30 - 主分类号： H01L27/11582 文献下载
摘要：本申请实施方式提供了一种半导体构件及其制造方法、存储系统。半导体构件包括延伸至衬底内的、具有功能层和沟道层的多个存储串沟道结构。制造方法包括：去除部分衬底和部分功能层以暴露部分沟道层；形成覆盖所暴露的部分沟道层的半导体层，半导体层具有与所暴露的沟道层相适应的表面形貌；以及形成与半导体层连接的源极接触部。上述方案中形成的半导体层具有与所暴露的沟道层相适应的表面形貌，因此，在半导体层的厚度不必很厚的情况下就能够实现覆盖沟道层以及在激活过程中承受激光损伤的目的，可较为容易地兼顾存储阵列区中的存储串沟道结构在纵向延伸深度上的差异性，从而简化半导体构件的制造工艺，实现增大存储串沟道结构的工艺窗口的目的。
半导体构件及其制造方法存储系统

[发明专利]半导体结构及其制备方法、存储器和存储系统-CN202210481706.9在审
发明人： 苗利娜;伍术;肖亮;李倩 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2022-05-05 - 公布日： 2022-08-09 - 主分类号： H01L27/11524 文献下载
摘要：本发明提供了一种半导体结构及其制备方法、存储器和存储系统，半导体结构包括存储堆叠结构、沟道结构和第一共源极层，其中，沟道结构包括沟道层，沟道层沿第一方向贯穿并延伸出存储堆叠结构，且至少一个沟道结构内具有空隙，第一共源极层设置于存储堆叠结构上并与沟道层连接，且第一共源极层接触至少一个空隙，本发明一方面可以使得后续形成的第一共源极层和第二共源极层具有良好的表面平整性和较小的厚度，降低了后续研磨工艺中减薄并抛光第二共源极层的工艺难度，另一方面也防止了第一共源极层沿相反于第一方向的第二方向在空隙内延伸而对沟道结构的电学性能造成影响，保证了半导体结构的可靠性，同时，也有效地降低了形成第一共源极层的成本。
半导体结构及其制备方法存储器存储系统

[发明专利]半导体器件及其制备方法和存储系统-CN202210528960.X在审
发明人： 苗利娜;肖亮;王溢欢;李倩 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2022-05-16 - 公布日： 2022-07-29 - 主分类号： H01L27/11556 文献下载
摘要：本发明提供了一种半导体器件及其制备方法和存储系统，半导体器件包括存储阵列芯片，存储阵列芯片包括堆叠结构、存储沟道结构、共源极层和介质层，其中，堆叠结构具有第一表面，存储沟道结构沿第一方向贯穿堆叠结构，第一方向为堆叠结构的厚度方向，共源极层设置于第一表面的上方，且与存储沟道结构连接，介质层设置于第一表面的上方，且与共源极层在第二方向上相邻设置，第二方向垂直于第一方向，介质层的顶面与共源极层的顶面平齐，或，介质层的顶面高于共源极层的顶面，本发明实施例通过以介质层作为研磨共源极层时的研磨停止层，可以有效地控制研磨过程的研磨厚度，保证了存储沟道结构不会因为过研磨而被损坏，保证半导体器件的可靠性。
半导体器件及其制备方法存储系统

[发明专利]半导体器件及其制作方法-CN202210302482.0在审
发明人：赵祎;肖亮;苗利娜;伍术;李倩 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2022-03-24 - 公布日： 2022-07-15 - 主分类号： H01L27/11582 文献下载
摘要：本公开提供了一种半导体器件及其制作方法。所述方法包括：形成包括核心区的第一半导体结构，所述核心区包括半导体层、位于所述半导体层上的堆叠结构和贯穿所述堆叠结构并延伸进入所述半导体层的沟道结构；去除所述沟道结构末端的所述半导体层以暴露出所述沟道结构的末端；形成覆盖所述沟道结构末端的沟道层的导电层，所述导电层与所述沟道层电接触。
半导体器件及其制作方法

[发明专利]三维存储器及其制作方法、存储系统及电子设备-CN202210186721.0在审
发明人：肖亮;苗利娜;李倩;伍术;罗佳明;艾义明;颜元;其他发明人请求不公开姓名 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2022-02-28 - 公布日： 2022-05-31 - 主分类号： H01L27/11582 文献下载
摘要：本发明涉及一种三维存储器及其制作方法、存储系统及电子设备，包括：在基底上依次形成停止层和叠层结构；形成沟道孔，沟道孔贯穿叠层结构和停止层，并延伸至基底内；缩小沟道孔贯穿停止层的第一孔段的孔径；在孔径缩小后的沟道孔中形成沟道结构，从而在去除沟道结构延伸出停止层的端部时，能够减少反应液(比如，研磨反应液)沿沟道结构内部的缝或空隙进入沟道结构内部而破坏沟道结构中的存储单元，实现了三维存储器中沟道结构与底部源极层的良好电连接，并提高了三维存储器的良率和稳定性。
三维存储器及其制作方法存储系统电子设备

[发明专利]半导体结构及其制备方法、三维存储器及存储系统-CN202210002783.1在审
发明人： 苗利娜;伍术;朱宏斌;王星;李楷威;肖亮;张明康 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2022-01-04 - 公布日： 2022-05-13 - 主分类号： H01L27/1157 文献下载
摘要：本公开提供了一种半导体结构及其制备方法、三维存储器及存储系统，涉及半导体芯片技术领域，旨在解决深孔刻蚀的均一性较差、容易出现过刻蚀的问题。该制备方法包括：在衬底上形成至少部分延伸至衬底中的停止块，停止块与衬底远离停止块的表面之间留有间距；形成位于停止块远离衬底一侧、包括多个绝缘层和多个牺牲层的第一叠层结构；刻蚀形成第一沟道孔，第一沟道孔贯穿第一叠层结构且延伸至停止块中，停止块的刻蚀选择比小于第一叠层结构的刻蚀选择比；去除停止块，以形成第二沟道孔。
半导体结构及其制备方法三维存储器存储系统

[发明专利]半导体器件及其制造方法以及存储器系统-CN202111506280.X在审
发明人：李倩;陈赫;肖亮;苗利娜 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2021-12-10 - 公布日： 2022-03-15 - 主分类号： H01L27/1157 文献下载
摘要：本公开提供了一种半导体器件及其制造方法，所述方法包括：形成第一半导体结构，所述第一半导体结构包括：第一半导体层、设置于所述第一半导体层的第一表面上的堆叠结构、设置于所述第一半导体层和所述堆叠结构上的第一绝缘层以及贯穿所述第一绝缘层和所述第一半导体层的第一接触结构；在所述第一半导体层的与所述第一表面相对的第二表面上形成第二绝缘层；以及同时形成贯穿所述第二绝缘层的第二接触结构和源极触点，所述源极触点与所述第一半导体层接触，所述第二接触结构与所述第一接触结构接触。
半导体器件及其制造方法以及存储器系统

[发明专利]半导体结构的处理方法及三维存储器-CN202111292815.8在审
发明人：伍术;苗利娜;肖亮;华子群 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2021-11-03 - 公布日： 2022-02-25 - 主分类号： H01L27/11568 文献下载
摘要：本申请提供了一种半导体结构的处理方法及三维存储器。该半导体结构包括叠层结构、贯穿叠层结构并突出于叠层结构的栅极缝隙结构以及位于栅极缝隙结构与叠层结构之间的狭缝，其中，该半导体结构的处理方法包括：在狭缝中形成电介质层；以及形成覆盖于电介质层的半导体层。本申请提供的半导体结构的处理方法及三维存储器，有利于降低通过狭缝使半导体层与栅极导电层(字线)短接漏电的风险，还有利于节约生产成本。
半导体结构处理方法三维存储器

[发明专利]使用背面膜层沉积和激光退火的晶圆应力控制-CN202180002694.0在审
发明人：尹朋岸;胡思平;伍术;苗利娜 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2021-08-30 - 公布日： 2022-01-07 - 主分类号： H01L21/324 文献下载
摘要：在一些方面中，公开了一种用于控制晶圆应力的方法。在晶圆的背面上形成半导体膜层。所述晶圆因与正面半导体结构相关联的应力而发生变形，所述正面半导体结构位于与所述晶圆的背面相对的所述晶圆的正面上。确定所述半导体膜层的激光施加区域。在所述半导体膜层的激光施加区域中执行激光退火工艺。
使用面膜沉积激光退火应力控制

[发明专利]触点结构及其形成方法-CN202180002956.3在审
发明人：王溢欢;苗利娜 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2021-08-30 - 公布日： 2022-01-04 - 主分类号： H01L27/1157 文献下载
摘要：一种半导体装置，包括第一管芯，第一管芯包括在第一管芯的背面上的第一区域中的第一叠层和在第一管芯的背面上的第二区域中的第二叠层。第一叠层具有比第二叠层数量更少的不同层。在第一管芯的背面上的第一区域中形成触点结构。触点结构延伸穿过第一叠层，并且被配置为将第一管芯的正面上的第一导电结构与第一管芯的背面上的第二导电结构导电连接。正面与背面相对。
触点结构及其形成方法

[发明专利]三维存储器的制备方法-CN202110300830.6在审
发明人：王溢欢;张明康;苗利娜;肖亮 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2021-03-23 - 公布日： 2021-05-25 - 主分类号： H01L27/11551 文献下载
摘要：本申请提供了三维存储器的制备方法，其中，制备方法具体包括：提供初始三维存储器，初始三维存储器包括堆叠设置的第一衬底、阵列存储层、外围电路层以及第二衬底，阵列存储层、外围电路层位于第一衬底与第二衬底之间。形成覆盖初始三维存储器部分周侧面的刻蚀阻挡层，并露出第一衬底背离阵列存储层的一侧表面。通过湿法刻蚀法去除至少部分第一衬底。本申请提供了的制备方法，将后续需要去除的第一衬底的一个表面露出，而其他的表面则利用刻蚀阻挡层保护起来。这样便可仅通过湿法刻蚀来去除至少部分第一衬底从而达到本申请目的，从而降低制备难度，降低制备成本。
三维存储器制备方法

[发明专利]一种低温固体氧化物燃料电池及其制备方法-CN201710232995.8有效
发明人：侯杰;苗利娜;曹菊芳;蔺杰;刘卫 -专利权人：中国科学技术大学
申请日： 2017-04-11 - 公布日： 2020-08-28 - 主分类号： H01M8/10 文献下载
摘要：本发明提供了一种低温固体氧化物燃料电池，包括阳极支撑体；设置在所述阳极支撑体上的致密电解质层；设置在所述致密电解质层上的氧化铋基致密电解质层；所述致密电解质层为铈基电解质层或锆基电解质层；设置在所述氧化铋基致密电解质层上的阴极活性层。与现有技术相比，本发明在氧化铋基致密电解质层与阳极支撑体之间设置致密电解质层，该致密电解质层可有效保护氧化铋基电解质层，有效隔绝氧化铋基致密电解质层与还原气体的直接接触，使其不发生分解，保证氧化铋的正常工作，实现不同电解质的优化高效使用，有效降低电池内阻，提高电池在低温段的性能，从而使固体氧化物燃料电池在低温工作条件下也能高效传导氧离子、高效工作。
一种低温固体氧化物燃料电池及其制备方法

[发明专利]一种掺杂氧化铈基固体氧化物燃料电池及其制备方法-CN201710253875.6有效
发明人：宫正;孙文平;单铎;曹加锋;武煜森;苗利娜;刘卫 -专利权人：中国科学技术大学
申请日： 2017-04-18 - 公布日： 2020-03-31 - 主分类号： H01M8/1213 文献下载
摘要：本发明提供一种掺杂氧化铈基固体氧化物燃料电池，包括依次接触的：阳极支撑体；含Ba和/或Sr的阳极功能层；电子阻挡层；掺杂氧化铈的电解质层；阴极层；所述电子阻挡层由阳极功能层和电解质层共烧结形成。本发明利用阳极功能层中的元素在高温下扩散，与电解质层在界面处原位反应生成电子阻挡层，有效提高了电池的开路电压，使得电池能在中低温区间高效稳定工作。和传统的采用双层电解质，复合电解质的方法相比，本发明工艺简单有效，具有更为优越的电池性能，为推动中低温固体氧化物燃料电池的发展提供了新思路。
一种掺杂氧化固体氧化物燃料电池及其制备方法

[实用新型]一种热奄包加热带-CN201920285502.1有效
发明人：李素娟;苗利娜;崔利莎;胡风羽 -专利权人：新乡医学院第一附属医院(河南省结核病医院)
申请日： 2019-03-07 - 公布日： 2020-02-11 - 主分类号： A61M37/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种热奄包加热带，包括外包装袋，所述外包装袋的外侧设置有粘贴结构，所述外包装袋的正面设置有显示装置，所述外包装袋的右侧设置有第一拉链，所述外包装袋内侧的背面设置有工作装置，所述工作装置包括加热片，所述加热片设置在外包装袋内侧的背面。本实用新型通过外包装袋、粘贴结构、显示装置、第一拉链、工作装置和内置结构的设置，解决了目前的中药热奄包都是使用微波炉加热后热敷于患处，红外线测温仪只能显示当时温度，不能保证热敷时间范围内的恒温状态，随着时间推移必定会冷却，降低治疗效果的问题，该热奄包加热带，具备可以提高药物效果，能实时加热并显示的优点，值得推广。
外包装袋工作装置本实用新型显示装置粘贴结构加热带加热片拉链热敷红外线测温仪微波炉加热背面设置恒温状态内置结构时间推移外侧设置药物效果正面设置治疗效果加热背面冷却中药保证

[发明专利]一种高稳定性高渗透性双相复合氧分离膜及其制备方法-CN201810223485.9在审
发明人：章珺瑜;王仲涛;武煜森;宫正;苗利娜;刘卫 -专利权人：中国科学技术大学
申请日： 2018-03-19 - 公布日： 2018-11-23 - 主分类号： B01D71/02 文献下载
摘要：本发明提供了一种高稳定性高渗透性双相复合氧分离膜的制备方法，包括以下步骤：A)采用燃烧法一步合成制备Ce_0.8Sm_0.2O_2‑δ–La_0.9Sr_0.1FeO_3‑δ双相复合粉体，δ为氧空位浓度；将所述双相复合粉体与有机溶剂混合，得到双相复合粉体浆料；B)将造孔剂与有机溶剂混合，得到造孔剂浆料；C)将所述双相复合粉体浆料与所述造孔剂浆料依次流延至载带表面，得到复合于所述载带表面的流延层；将所述复合于所述载带表面的流延层进行固化和干燥，得到生坯；D)将所述生坯进行烧结，得到高稳定性高渗透性双相复合氧分离膜。
双相高渗透性高稳定性分离膜复合氧造孔剂制备复合粉体浆料复合粉体有机溶剂带表面流延层浆料生坯复合一步合成烧结燃烧法氧空位载带固化

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