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[发明专利]锡铅混合钙钛矿单晶的制备方法及光电二极管-CN202211073728.8在审
发明人：张秀娟;揭建胜;孙玉叶;常志臻 -专利权人： 苏州纳捷森光电技术有限公司
申请日： 2022-09-02 - 公布日： 2023-04-04 - 主分类号： C30B7/14 文献下载
摘要：本发明提供了一种锡铅混合钙钛矿单晶的制备方法及光电二极管，属于锡铅混合钙钛矿单晶制备技术领域。该制备方法包括：制备锡铅混合钙钛矿前驱体溶液；提供一导电基底，并在导电基底上形成空穴传输层；提供一盖片，并利用修饰剂在盖片的表面形成疏水修饰层；向导电基底上的空穴传输层添加锡铅混合钙钛矿前驱体溶液；将盖片压紧在导电基底上，使得疏水修饰层和空穴传输层之间形成微米级间隙；对盖片和导电基底进行最高温度不超过预设温度的梯度升温加热，以使得锡铅混合钙钛矿前驱体溶液结晶生长为锡铅混合钙钛矿单晶；去除导电基底和盖片，以获取锡铅混合钙钛矿单晶。本发明的制备方法成功制备了表面光滑、无明显晶界并具有高结晶质量的单晶薄片。
混合钙钛矿单晶制备方法光电二极管

[发明专利]一种大面积超薄二维有机单晶的制备方法-CN202211073342.7在审
发明人：揭建胜;张秀娟;王金文 -专利权人： 苏州纳捷森光电技术有限公司
申请日： 2022-09-02 - 公布日： 2022-11-25 - 主分类号： C30B29/54 文献下载
摘要：本发明提供了一种大面积超薄二维有机单晶的制备方法，涉及有机半导体技术领域。本发明先提供一封闭式生长容器，在第一区域和第二区域内均施加生长基底，在第一区域的表面处施加有机单晶晶种，之后在第二区域的表面处施加第一预设溶剂，之后加热封闭式生长容器，以使第一预设溶剂挥发，从而在封闭式生长容器内形成饱和蒸气压气氛，最后在第一区域施加第一预设溶剂和第二预设溶剂的混合溶剂，并使混合溶剂扩散至有机单晶晶种处，从而外延生长出大面积超薄二维有机单晶。上述技术方案通过选择高粘度高表面张力的生长基底可以避免对有机分子生长过程中进行干扰，在混合溶剂的作用下有机分子可定向传输，促进有机单晶晶种逐渐外延生长。
一种大面积超薄二维有机制备方法

[发明专利]一种有机单晶偏振光发射器件及其制备方法-CN202211073359.2在审
发明人：揭建胜;张秀娟;贾若飞;李佳鑫 -专利权人： 苏州纳捷森光电技术有限公司
申请日： 2022-09-02 - 公布日： 2022-11-22 - 主分类号： H01L51/52 文献下载
摘要：本发明提供了一种有机单晶偏振光发射器件及其制备方法。所述有机单晶偏振光发射器件包括分布式布拉格反射结构以及形成在所述分布式布拉格反射结构的表面的有机单晶发光器件；所述有机单晶发光器件包括有机单晶发光层，所述有机单晶发光层的有机单晶具有各向异性的分子堆积结构，所述分布式布拉格反射结构是由折射率不同的两种薄膜材料交替堆叠而成；所述分布式布拉格反射结构的所述两种薄膜材料、薄膜厚度以及交替周期数均与所述有机单晶发光层的有机单晶的本征发射光光谱匹配。本发明方案实现了在不破坏发光层的前提下提高有机单机发光器件的偏振光发射能力，且有机单晶偏振光发射器件的二相色比值得到上百倍的提升。
一种有机偏振光发射器件及其制备方法

[发明专利]用于硅基底的氧化硅刻蚀模板的制备方法、硅基底及应用-CN201811355455.X有效
发明人：揭建胜;丁可;张秀娟 -专利权人： 苏州纳捷森光电技术有限公司
申请日： 2018-11-14 - 公布日： 2021-09-21 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明提供了用于硅基底的氧化硅刻蚀模板的制备方法，包括如下步骤：选择一预设图案，预设图案由像素矩阵构成，像素矩阵包括多个像素点组成，每个像素点对应一灰度值；将每个像素点对应的灰度值转化为与像素点位置对应的硅氧化层上单位区域的尺寸；根据所有单位区域的尺寸输出一矢量图形，矢量图形包含所有与预设图案的每个像素点对应的单位区域的形状与尺寸；将矢量图形输入至一激光打标机内，利用矢量图形引导激光打标机的激光束走向，从硅氧化层向硅层方向烧蚀，在硅氧化层上的多个单位区域形成与矢量图形对应的多个凹口，获得氧化硅刻蚀模板。本发明可以在不损失明显的光‑电转换的性能的前提下，在硅太阳能电池面板上描绘出任意的灰度图像。
用于基底氧化刻蚀模板制备方法应用

[发明专利]一种具有图案化表面的硅结构、制备方法及太阳能电池-CN201811354383.7有效
发明人：揭建胜;丁可;张秀娟 -专利权人： 苏州纳捷森光电技术有限公司
申请日： 2018-11-14 - 公布日： 2021-05-04 - 主分类号： H01L31/0236 文献下载
摘要：本发明提供了一种具有图案化表面的硅结构、制备方法及太阳能电池。该硅结构包括硅基底，具有第一表面和与所述第一表面相对的第二表面；多种硅微结构，所述多种硅微结构具有不同的反射率，每种所述硅微结构包括多个反射率相同的硅微单元，每个所述硅微单元均被构造成在所述硅基底上，并从所述硅基底的所述第一表面向靠近所述第二表面的方向刻蚀预定深度；其中每种所述硅微结构的数量以及所有所述硅微单元在所述硅基底上的排布方式均根据一预设图案来确定，使所有所述硅微单元共同组成的图案在视觉上与所述预设图案保持一致。本发明的方案，可以在不损失明显的光‑电转换的性能的前提下，在硅太阳能电池面板上描绘出任意的灰度图像。
一种具有图案表面结构制备方法太阳能电池