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- [发明专利]红外探测器及其制作方法-CN202311180186.9在审
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黄勇
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苏州晶歌半导体有限公司
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2023-09-13
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2023-10-20
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H01L31/0352
- 提供了一种红外探测器，其包括P型势垒层（12）、P型吸收层（13）以及P型过渡层（14），其中，所述P型势垒层（12）为P型InGaAsP材料，所述P型吸收层（13）为P型InGaAs/GaAsSb超晶格，所述P型过渡层（14）为P型InGaAsP材料。还提供了一种该红外探测器的制作方法。该红外探测器采用了P型InGaAs/GaAsSb超晶格吸收层结合P型InGaAsP形成的三明治结构，如此可以很好的提高红外探测器的量子效率，抑制红外探测器的暗电流以及帮助少子输运，从而使红外探测器的性能更好。
- 红外探测器及其制作方法
- [发明专利]一种石墨盘的清理方法-CN202310897190.0有效
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张雨;颜建;黄勇
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苏州晶歌半导体有限公司
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2023-07-21
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2023-10-13
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C30B25/02
- 本发明公开了一种石墨盘的清理方法，包括：在石墨盘的表面上位于衬底槽之外的区域生长第一半导体材料层；在石墨盘的衬底槽内放置晶圆基底，在晶圆基底以及第一半导体层上生长第二半导体材料层；取出晶圆基底并在石墨盘的表面上位于衬底槽之外的第二半导体材料层上生长第三半导体材料层，使得石墨盘表面的沉积物爆皮脱落；使用吸附设备清除在石墨盘表面爆皮脱落的沉积物；其中，第一半导体材料、第二半导体材料以及第三半导体材料的晶格常数依次增大，第三半导体材料与第一半导体材料的晶格失配度为5%~20%。本发明对石墨盘的清理全过程均是在MOCVD设备的反应室中进行，清理完成后可以快速继续上线使用进行下一轮的半导体材料生长。
- 一种石墨清理方法
- [发明专利]红外探测器及其制作方法-CN202310103409.5在审
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黄勇
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苏州晶歌半导体有限公司
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2023-02-13
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2023-05-23
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H01L31/036
- 本发明公开了一种红外探测器及其制作方法。所述红外探测器包括：衬底以及依序层叠于所述衬底上的N型晶格渐变层、N型接触层、吸收层和P型接触层；所述N型晶格渐变层从所述衬底至所述N型接触层的方向顺序包括第一层N型晶格层至第M层N型晶格层，M大于等于2；第一层N型晶格层至第M层N型晶格层的晶格参数依序增大或者依序减小，且所述第一层N型晶格层的晶格参数与所述衬底的晶格参数相等，且所述第M层N型晶格层的晶格参数、所述N型接触层的晶格参数以及所述吸收层的晶格参数相等。本发明通过设置N型晶格渐变层，使衬底的晶格参数渐变到吸收层的晶格参数，从而减小衬底和吸收层之间的晶格失配，进而提高红外探测器的质量和性能。
- 红外探测器及其制作方法
- [实用新型]红外探测器-CN202022761132.X有效
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张立群;黄勇
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苏州晶歌半导体有限公司
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2020-11-25
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2022-01-11
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H01L31/0352
- 本实用新型公开了一种红外探测器，其P型超晶格势垒层(14)为P型InPSb/GaSb超晶格。本实用新型采用InPSb/GaSb超晶格制作形成电子势垒层，其势垒高度高于传统的InAs/GaSb超晶格电子势垒，从而改善电子阻挡效果。本实用新型还公开了一种红外探测器，其N型超晶格势垒层(12)为N型InPSb/GaSb超晶格。本实用新型采用InPSb/GaSb超晶格制作形成空穴势垒层，由于不含有Al，因此避免了含Al材料的氧化，降低了材料生长和加工的难度，提升了器件稳定性和可靠性。
- 红外探测器
- [实用新型]双色红外探测器-CN202120215210.8有效
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黄勇;张立群
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苏州晶歌半导体有限公司
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2021-01-26
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2021-12-21
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H01L31/101
- 本实用新型公开了一种双色红外探测器，其包括层叠设置的中波长红外探测器和长波长红外探测器，所述中波长红外探测器的中波通道吸收层为P型InAs/InAsSb超晶格或P型InAsP/InAsSb超晶格，所述长波长红外探测器的长波通道吸收层为P型InAs/GaSb超晶格，所述中波长红外探测器的中波通道势垒层和所述长波长红外探测器的长波通道势垒层均为N型InPSb/InAs超晶格。本实用新型的双色红外探测器的中波通道吸收层采用了InAs/InAsSb或InAsP/InAsSb超晶格，长波通道吸收层采用了InAs/GaSb超晶格，如此保证了各波段器件的最佳性能。
- 红外探测器
- [实用新型]半导体红光激光器-CN202022817278.1有效
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张立群;黄勇
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苏州晶歌半导体有限公司
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2020-11-30
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2021-10-08
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H01S5/34
- 本实用新型公开了一种半导体红光激光器，所述半导体红光激光器的电子阻挡层由受张应力的GaInP材料和受压应力的AlInP材料形成的GaInP/AlInP应变超晶格制成。本实用新型采用了GaInP/AlInP应变超晶格制作形成电子阻挡层，其中GaInP受张应力，AlInP受压应力，而受张应力的GaInP和受压应力AlInP两者的导带位置都高于晶格匹配的AlInP材料，使得两者的组合GaInP/AlInP应变超晶格的微带的有效导带位置高于晶格匹配的AlInP材料，从而有效的实现对电子的限制，抑制了半导体红光激光器中的电子泄漏，从而降低器件阈值电流，提高器件输出功率。
- 半导体红光激光器
- [发明专利]双色红外探测器及其制作方法-CN202110672789.5在审
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黄勇
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苏州晶歌半导体有限公司
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2021-06-17
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2021-09-17
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H01L31/101
- 提供了一种双色红外探测器，其包括衬底、中波通道接触层、中波通道吸收层、中波通道势垒层、中波连接层、长波通道吸收层、长波通道势垒层、长波通道接触层、第一电极以及第二电极；中波通道接触层、中波通道吸收层、中波通道势垒层、中波连接层、长波通道吸收层、长波通道势垒层以及长波通道接触层依序层叠设置于衬底上，第一电极与中波通道接触层接触，第二电极设置于长波通道接触层上。还提供了一种双色红外探测器的制作方法。在本发明的双色红外探测器及其制作方法中，采用了非对称的结构，即使长波通道吸收层和中波连接层居中，中波通道吸收层和长波通道势垒层居于两侧，每个波段均采用最佳的异质结结构，保证了长波和中波波段的性能最佳。
- 红外探测器及其制作方法
- [发明专利]双色红外探测器及其制作方法-CN202110103882.4在审
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黄勇;张立群
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苏州晶歌半导体有限公司
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2021-01-26
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2021-05-11
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H01L31/101
- 本发明公开了一种双色红外探测器，其包括层叠设置的中波长红外探测器和长波长红外探测器，所述中波长红外探测器的中波通道吸收层为P型InAs/InAsSb超晶格或P型InAsP/InAsSb超晶格，所述长波长红外探测器的长波通道吸收层为P型InAs/GaSb超晶格，所述中波长红外探测器的中波通道势垒层和所述长波长红外探测器的长波通道势垒层均为N型InPSb/InAs超晶格。本发明还公开了一种双色红外探测器的制作方法。本发明的双色红外探测器的中波通道吸收层采用了InAs/InAsSb或InAsP/InAsSb超晶格，长波通道吸收层采用了InAs/GaSb超晶格，如此保证了各波段器件的最佳性能。
- 红外探测器及其制作方法
- [发明专利]半导体红光激光器及其制作方法-CN202011370046.4在审
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张立群;黄勇
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苏州晶歌半导体有限公司
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2020-11-30
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2021-02-19
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H01S5/34
- 本发明公开了一种半导体红光激光器，所述半导体红光激光器的电子阻挡层由受张应力的GaInP材料和受压应力的AlInP材料形成的GaInP/AlInP应变超晶格制成。本发明还公开了一种半导体红光激光器的制作方法。本发明采用了GaInP/AlInP应变超晶格制作形成电子阻挡层，其中GaInP受张应力，AlInP受压应力，而受张应力的GaInP和受压应力AlInP两者的导带位置都高于晶格匹配的AlInP材料，使得两者的组合GaInP/AlInP应变超晶格的微带的有效导带位置高于晶格匹配的AlInP材料，从而有效的实现对电子的限制，抑制了半导体红光激光器中的电子泄漏，从而降低器件阈值电流，提高器件输出功率。
- 半导体红光激光器及其制作方法
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