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[发明专利]长晶炉内监测方法及长晶炉-CN201910336795.6有效
发明人：夏秋良;范雪峰 -专利权人： 苏州新美光纳米科技有限公司
申请日： 2019-04-25 - 公布日： 2020-06-09 - 主分类号： C30B29/06 文献下载
摘要：本发明提供一种长晶炉内监测方法及长晶炉，该方法包括：接收影像设备在各窗口第一图像数据、第二图像数据和第三图像数据；第一图像数据为单晶硅棒的图像数据；第二图像数据为熔融多晶硅的图像数据；第三图像数据为坩埚的图像数据；接收尺寸测量设备在各窗口采集的尺寸数据；尺寸数据包括：单晶硅棒的直径数据；接收位移采集设备采集的拉晶线的位移数据；接收环境监测设备在各窗口采集的环境信息；根据第一图像数据、单晶硅棒的直径数据和位移数据生成单晶硅棒的三维图像；按照三维图像上的各坐标点与环境信息的映射关系，存放各坐标点对应的环境信息。可通过三维立体可视图像观测长晶炉内各个方位的情况，实现全面监测。
长晶炉内监测方法长晶炉

[发明专利]一种坩埚组件及长晶炉-CN201910208143.4在审
发明人：夏秋良;范雪峰 -专利权人： 苏州新美光纳米科技有限公司
申请日： 2019-03-19 - 公布日： 2019-06-11 - 主分类号： C30B15/12 文献下载
摘要：一种坩埚组件及长晶炉，涉及晶体生长设备技术领域。该坩埚组件包括石英坩埚、石墨坩埚以及隔离层，石英坩埚设于石墨坩埚内，隔离层设于石英坩埚与石墨坩埚之间，隔离层用于阻隔石英坩埚与石墨坩埚发生接触反应。该长晶炉包括炉体、用于提拉和旋转籽晶的提拉旋转机构，以及上述的坩埚组件，坩埚组件位于炉体内，长晶炉还包括环设于坩埚组件的石墨坩埚外部的加热器，其中，坩埚组件的石英坩埚内用于容纳原料。该坩埚组件能够降低石墨坩埚的氧化侵蚀速度，进而增加了石墨坩埚的使用寿命，同时降低了单晶硅棒内的碳氧堆积，提高了单晶硅棒的整体质量。
坩埚组件石墨坩埚石英坩埚长晶炉隔离层单晶硅棒提拉晶体生长设备加热器接触反应使用寿命旋转机构氧化侵蚀环设炉体碳氧籽晶堆积阻隔容纳体内外部

[实用新型]游星轮组合件-CN201721763270.3有效
发明人：冯光建;夏秋良 -专利权人： 苏州新美光纳米科技有限公司
申请日： 2017-12-15 - 公布日： 2019-05-24 - 主分类号： B24B37/28 文献下载
摘要：本实用新型提供游星轮组合件，涉及半导体技术领域。涉及游星轮组合件，包括游星轮本体和治具，所述游星轮本体内设置有用于放置治具的第一开孔，所述治具与所述第一开孔的内壁固定；所述治具的外径轮廓与所述第一开孔的内径轮廓相适应，所述治具镶嵌在所述第一开孔的内壁上。采用本技术方案，能够实现游星轮在抛光机里面的长时间转动，使待抛光件可以镶嵌到治具中，而治具可以镶嵌到游星轮本体中，这样在后续抛光时，只需要更换不同的治具，而只需要一副游星轮就能够实现同样的抛光。
游星轮治具第一开孔组合件镶嵌抛光内壁半导体技术领域本实用新型内径轮廓外径轮廓抛光机抛光件转动

[发明专利]长晶炉及结晶系统-CN201910182656.2在审
发明人：夏秋良;范雪峰 -专利权人： 苏州新美光纳米科技有限公司
申请日： 2019-03-11 - 公布日： 2019-04-30 - 主分类号： C30B15/14 文献下载
摘要：本申请提供一种长晶炉及结晶系统，涉及炉体结构领域。该长晶炉包括：炉体、第一坩埚、点热源、底部隔热结构和加热器；第一坩埚设置在炉体内；加热器设置在第一坩埚外侧；点热源设置在第一坩埚底部中心处；底部隔热结构套设于点热源外。点热源对第一坩埚中心处实现集中加热，从而保证单晶硅棒中心与熔融多晶硅的温差与单晶硅棒表面熔融多晶硅的温差一致，使得单晶硅棒中心与表面的结晶速度一致，保证了单晶硅棒的品质。
单晶硅棒热源长晶炉坩埚加热器隔热结构结晶系统多晶硅温差坩埚底部中心表面熔融集中加热炉体结构速度一致坩埚中心炉体熔融体内保证申请

[实用新型]边缘自抛光游星轮-CN201721752817.X有效
发明人：冯光建;夏秋良 -专利权人： 苏州新美光纳米科技有限公司
申请日： 2017-12-15 - 公布日： 2018-09-28 - 主分类号： B24B29/02 文献下载
摘要：本实用新型提供边缘自抛光游星轮，涉及半导体技术领域。涉及边缘自抛光游星轮，包括游星轮本体，所述游星轮本体上设置有开孔，在所述开孔的内壁上环绕设置有抛光材料，所述抛光材料内盛装有待抛光材料。采用本技术方案的边缘自抛光游星轮，能够对硅片或者硅件边缘进行抛光的游星轮，使硅片或者硅件能同时达到边缘和两面被抛光的目的，大大减少了这些产品加工的步骤和成本。
游星轮自抛光抛光材料抛光硅片硅件开孔半导体技术领域本实用新型产品加工环绕设置内壁盛装

[实用新型]抛光用压力缓冲垫及抛光装置-CN201721748747.0有效
发明人：冯光建;夏秋良 -专利权人： 苏州新美光纳米科技有限公司
申请日： 2017-12-14 - 公布日： 2018-08-31 - 主分类号： B24B37/11 文献下载
摘要：本实用新型提供抛光用压力缓冲垫及抛光装置，涉及抛光技术领域。涉及抛光用压力缓冲垫，包括压力缓冲垫，压力缓冲垫一面设置有胶层，压力缓冲垫的另一面间隔设置有多个压力传导区域；压力缓冲垫通过胶层与抛光盘或抛光磨头固定。涉及抛光装置，设置有上述的抛光用压力缓冲垫，该压力缓冲垫可以与抛光盘粘贴，也可以与抛光磨头粘贴；压力缓冲垫设置在抛光盘与抛光磨头之间即可，用于两者之间的压力传导；待抛光晶圆设置在抛光盘下方的模板里。采用本实用新型的技术方案，可以贴在压力盘的背面，通过缓冲垫的厚度变化来分配上面承受的压力，使晶圆能够较为均匀的压在大盘上，从而使抛光顺利进行。
压力缓冲抛光抛光盘抛光磨头抛光装置本实用新型压力传导胶层粘贴抛光技术领域厚度变化间隔设置抛光晶圆缓冲垫压力盘大盘晶圆背面分配

[实用新型]抛光垫及其抛光装置-CN201721752620.6有效
发明人：冯光建;夏秋良 -专利权人： 苏州新美光纳米科技有限公司
申请日： 2017-12-15 - 公布日： 2018-08-31 - 主分类号： B24B37/22 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种抛光垫及其抛光装置，涉及半导体技术领域，为解决抛光布随着使用时间的延长，其运输抛光液的能力会大大降低，可能对抛光效果产生不良影响的问题而设计。涉及一种抛光垫，包括：抛光布本体，抛光布本体上设有至少一个凹槽，至少一个凹槽内设有用于限制抛光液流动的填充物。还涉及一种抛光装置，包括：抛光机大盘和上述的抛光垫，抛光垫固定在抛光机大盘上。该抛光垫及其抛光装置的使用寿命较长且实用性较强。
抛光垫抛光装置抛光布抛光机抛光液大盘半导体技术领域本实用新型填充物抛光效果使用寿命流动运输

[实用新型]游星轮组件及其抛光装置-CN201721773581.8有效
发明人：冯光建;夏秋良 -专利权人： 苏州新美光纳米科技有限公司
申请日： 2017-12-18 - 公布日： 2018-08-24 - 主分类号： B24B37/34 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种游星轮组件及其抛光装置，涉及半导体技术领域，为解决现有抛光工艺过程中，待加工件的外表面在抛光液和游星轮内壁的挤压下也被抛光，使得抛光件的原貌或者抛光件的外表面形貌被破坏的问题而设计。涉及一种游星轮组件，包括：游星轮，游星轮具有开孔，游星轮的内圆周面设有传动结构，传动结构与待抛光件的外圆周面相接触，且用于保护待抛光件的外圆周面。还涉及一种抛光装置，包括：上述的游星轮组件。该游星轮组件及其抛光装置能够保护待抛光件的外圆周面不被游星轮的内圆周面挤压，使得待抛光件的原貌或者待抛光件的外圆周面形貌不被破坏。
游星轮抛光件抛光装置外圆周面形貌传动结构内圆周面挤压半导体技术领域抛光工艺过程本实用新型待加工件面相接触抛光液外圆周抛光开孔内壁

[实用新型]抛光组件-CN201721751097.5有效
发明人：冯光建;夏秋良 -专利权人： 苏州新美光纳米科技有限公司
申请日： 2017-12-15 - 公布日： 2018-06-26 - 主分类号： H01L21/306 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种抛光组件，涉及半导体技术领域，为解决现有抛光工艺过程中，待加工件的外表面在抛光液和游星轮内壁的挤压下也被抛光，使得抛光件的原貌或者抛光件的外表面形貌被抛光的问题而设计。涉及一种抛光组件，包括：抛光件，抛光件的外侧面依次向外包覆有胶膜层和承载膜层。还涉及一种抛光组件，包括：抛光件，抛光件的外周面向外包覆有沉积膜层。还涉及另一种抛光组件，包括：抛光件，抛光件的外侧面或外周面向外包覆有光刻胶膜层。上述的抛光组件不会使抛光件的外侧面的尺寸发生任何改变，从而达到抛光件的外侧面不受或者少受抛光影响的要求。
抛光件抛光组件抛光外包覆外侧面外周半导体技术领域抛光工艺过程本实用新型光刻胶膜层形貌沉积膜层待加工件承载膜胶膜层抛光液游星轮内壁挤压

[发明专利]抛光用压力缓冲垫、抛光装置及抛光工艺-CN201711343702.X在审
发明人：冯光建;夏秋良 -专利权人： 苏州新美光纳米科技有限公司
申请日： 2017-12-14 - 公布日： 2018-06-01 - 主分类号： B24B37/11 文献下载
摘要：本发明提供抛光用压力缓冲垫、抛光装置及抛光工艺，涉及抛光技术领域。涉及抛光用压力缓冲垫，包括压力缓冲垫，压力缓冲垫一面设置有胶层，压力缓冲垫的另一面间隔设置有多个压力传导区域；压力缓冲垫通过胶层与抛光盘固定。涉及抛光装置，设置有上述的抛光用压力缓冲垫，该压力缓冲垫可以与抛光盘粘贴，也可以与抛光磨头粘贴；压力缓冲垫设置在抛光盘与抛光磨头之间即可，用于两者之间的压力传导；待抛光晶圆设置在抛光盘下方的模板里。还涉及抛光工艺，采用上述的抛光装置。采用本发明的技术方案，可以贴在压力盘的背面，通过缓冲垫的厚度变化来分配上面承受的压力，使晶圆能够较为均匀的压在大盘上，从而使抛光顺利进行。
压力缓冲抛光抛光装置抛光盘抛光工艺抛光磨头压力传导胶层粘贴抛光技术领域厚度变化间隔设置抛光晶圆缓冲垫压力盘大盘晶圆背面分配

[发明专利]抛光组件及其抛光工艺方法-CN201711343704.9在审
发明人：冯光建;夏秋良 -专利权人： 苏州新美光纳米科技有限公司
申请日： 2017-12-15 - 公布日： 2018-06-01 - 主分类号： B24B37/34 文献下载
摘要：本发明提供了一种抛光组件及其抛光工艺方法，涉及半导体技术领域，为解决现有抛光工艺过程中，待加工件的外表面在抛光液和游星轮内壁的挤压下也被抛光，使得抛光件的原貌或者抛光件的外表面形貌被抛光的问题而设计。涉及一种抛光组件，包括抛光件，抛光件的外侧面向外包覆有保护层。还涉及一种抛光工艺方法，包括上述的抛光组件。该抛光组件及其抛光工艺方法不会使抛光件的外侧面的尺寸发生任何改变，从而达到抛光件的外侧面不受或者少受抛光影响的要求。
抛光件抛光组件抛光工艺抛光半导体技术领域抛光工艺过程形貌待加工件保护层抛光液外包覆外侧面游星轮内壁挤压

[发明专利]晶片快速抛光装置及方法-CN201610039730.1有效
发明人：夏秋良 -专利权人： 苏州新美光纳米科技有限公司
申请日： 2016-01-21 - 公布日： 2017-08-01 - 主分类号： B24B37/08 文献下载
摘要：本发明涉及一种抛光装置及方法，尤其是一种晶片快速抛光装置及方法，属于半导体抛光的技术领域。按照本发明提供的技术方案，所述晶片快速抛光装置，包括呈对称分布的抛光大盘，在所述抛光大盘间设置至少一个用于固定晶片的游星轮，所述抛光大盘与游星轮间具有抛光垫；在抛光大盘间的至少一个游星轮内设置用于与抛光垫接触并在对晶片抛光时生热的生热膜片。本发明结构紧凑，与现有工艺相兼容，使用操作方便，能精确控制抛光温度，提高抛光的速度，适应范围广，安全可靠。
晶片快速抛光装置方法

[发明专利]超薄晶片的抛光方法-CN201610040761.9在审
发明人：夏秋良 -专利权人： 苏州新美光纳米科技有限公司
申请日： 2016-01-21 - 公布日： 2017-07-28 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种适用于超薄晶片的抛光方法，所述的抛光方法利用胶带和/或胶体对超薄晶片进行贴膜，然后再用模板法进行抛光。所述胶带包含两层胶膜和提供机械力的表层膜，表层膜通过胶膜跟晶片结合在一起。所述胶体用旋转涂布法涂布，或者用贴膜法涂布，或者用喷胶法涂布；涂布后的胶体直接进行固化，或者先通过烘烤表面流平后固化。其优点在于1）新增的膜可以作为晶片的一部分嵌入到真空吸附垫模板里面，使晶片在模板中不易滑出，且可以通过调节膜的厚度来对晶片的抛光后的厚度进行控制；2）新增的膜有较高的机械强度，可以给晶片提供机械支撑作用，使晶片在抛光过程中不易碎片。
超薄晶片抛光方法

[实用新型]抛光垫沟槽清理装置-CN201620629669.1有效
发明人：夏秋良;冯光建;曾文昌 -专利权人： 苏州新美光纳米科技有限公司
申请日： 2016-06-23 - 公布日： 2017-04-12 - 主分类号： B24B53/12 文献下载
摘要：本实用新型一种抛光垫沟槽清理装置，它包括握杆、支撑杆与清理头，在握杆上安装有支撑杆，在支撑杆上安装有清理头。或者，它包括握杆、支撑杆与磨盘，在握杆上安装有支撑杆，在支撑杆上安装有磨盘。本实用新型可以手动操作，成本较低，对于抛光垫沟槽里面的残留物质能够有效的进行清除，有效增加了抛光垫的使用寿命并提升了抛光效果。
抛光沟槽清理装置

[实用新型]晶片快速抛光装置-CN201620059744.5有效
发明人：夏秋良 -专利权人： 苏州新美光纳米科技有限公司
申请日： 2016-01-21 - 公布日： 2016-08-24 - 主分类号： B24B37/08 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种抛光装置，尤其是一种晶片快速抛光装置，属于半导体抛光的技术领域。按照本实用新型提供的技术方案，所述晶片快速抛光装置，包括呈对称分布的抛光大盘，在所述抛光大盘间设置至少一个用于固定晶片的游星轮，所述抛光大盘与游星轮间具有抛光垫；在抛光大盘间的至少一个游星轮内设置用于与抛光垫接触并在对晶片抛光时生热的生热膜片。本实用新型结构紧凑，与现有工艺相兼容，使用操作方便，能精确控制抛光温度，提高抛光的速度，适应范围广，安全可靠。
晶片快速抛光装置

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