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- [发明专利]半导体超结功率器件-CN202210281110.4在审
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王鹏飞;刘磊;袁愿林;王睿
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苏州东微半导体股份有限公司
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2022-03-21
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2023-09-29
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H01L29/423
- 本发明实施例提供的一种半导体超结功率器件，包括：n型漏区；位于所述n型漏区之上的n型漂移区；若干个p型柱，所述p型柱与所述n型漂移区之间形成电荷平衡结构；所述p型柱顶部设有第一p型体区，所述第一p型体区内设有第一n型源区；部分相邻的所述第一p型体区之间设有一个第一栅沟槽，所述第一栅沟槽内设有第一栅介质层和第一栅极；剩余的相邻的所述第一p型体区之间设有至少两个第二栅沟槽，所述第二栅沟槽内均设有第二栅介质层和第二栅极。本发明可以调节半导体超结功率器件的栅漏电容的变化曲线，降低由栅漏电容突变引起的栅极电压震荡。
- 半导体功率器件
- [发明专利]碳化硅器件的制造方法-CN202210282247.1在审
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范让萱;缪进征;王鹏飞
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苏州东微半导体股份有限公司
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2022-03-21
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2023-09-29
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H01L21/28
- 本发明实施例提供的一种碳化硅器件的制造方法，包括：在n型碳化硅层上形成硬掩膜层，通过光刻工艺定义出栅沟槽的位置，然后对硬掩膜层进行刻蚀并以剩余的硬掩膜层为掩膜，通过各向异性刻蚀和各向同性刻蚀相结合的方法在n型碳化硅层内形成栅沟槽；进行垂直的p型离子注入和倾斜的p型离子注入，在n型碳化硅层内形成p+区域，p+区域位于栅沟槽的一侧并从栅沟槽的侧壁位置处延伸至栅沟槽的底部；在栅沟槽的表面形成栅介质层，然后淀积一层导电层并回刻，在栅沟槽的侧壁处形成栅极。本发明使用刻蚀形成栅沟槽的硬掩膜层来实现p+区域的自对准离子注入和栅极的自对准刻蚀，可大幅精简制造工艺，降低制造成本。
- 碳化硅器件制造方法
- [发明专利]IGBT器件及其制造方法-CN202111576883.7在审
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林敏之;刘伟;刘磊;袁愿林
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苏州东微半导体股份有限公司
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2021-12-22
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2023-06-27
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H01L29/06
- 本发明属于半导体功率器件技术领域，具体公开了一种IGBT器件及其制造方法，IGBT器件包括元胞区和终端区，元胞区包括：p型集电极区；位于p型集电极区之上的n型半导体层；位于n型半导体层内的若干个栅沟槽；位于栅沟槽的下部内的屏蔽栅和位于栅沟槽的上部内的栅极，栅极、屏蔽栅与所述n型半导体层之间互相绝缘隔离；位于所述n型半导体层内且介于相邻的所述栅沟槽之间的p型体区，所述p型体区内设有n型发射极区；位于所述n型半导体层内且介于相邻的所述屏蔽栅之间的n型电荷存储区，其中部分所述屏蔽栅之间设有n型电荷存储区，n型电荷存储区设置于p型体区邻近p型集电极区的一侧，且部分屏蔽栅之间未设有n型电荷存储区。
- igbt器件及其制造方法
- [发明专利]半导体器件的制造方法-CN202011280137.9有效
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龚轶;刘伟;毛振东;徐真逸
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苏州东微半导体股份有限公司
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2020-11-16
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2023-06-23
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H01L21/336
- 本发明公开了一种半导体器件的制造方法，首先，栅极沟槽和源极沟槽在同一步刻蚀工艺中同时形成，并且可以在源极沟槽内自对准的接触p型半导体层和p型掺杂区，工艺过程简单；其次，在栅极沟槽的下部内形成第一绝缘层和第一栅极，在栅极沟槽的上部内形成第二绝缘层和第二栅极，厚的第一绝缘层可以保护第二栅极不容易被击穿，第一栅极可以增加栅极沟槽底部附近的电场，提高半导体器件的耐压；再次，源极沟槽的底部可以深入第二n型半导体层内，源极沟槽下方的p型掺杂区可以增加源极沟槽底部附近的电场，把半导体器件内的最高电场限定在源极沟槽的底部附近，保护栅极沟槽内的栅极不容易被击穿并提高半导体器件的耐压。
- 半导体器件制造方法
- [发明专利]IGBT器件-CN202111534459.6在审
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林敏之;刘磊;刘伟;袁愿林
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苏州东微半导体股份有限公司
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2021-12-15
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2023-06-16
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H01L29/06
- 本发明属于半导体功率器件技术领域，具体公开了一种IGBT器件，包括n型半导体层；位于n型半导体层内的若干个p型体区，位于n型半导体层内且介于相邻的p型体区之间的栅沟槽，位于栅沟槽的下部内的屏蔽栅，位于栅沟槽的上部内的栅极，所述栅极、屏蔽栅与n型半导体层之间互相绝缘隔离；若干个p型体区中，至少有一个p型体区具有第一掺杂浓度并定义为第一p型体区，且至少有一个p型体区具有第二掺杂浓度并定义为第二p型体区，第一p型体区的第一掺杂浓度小于第二p型体区的第二掺杂浓度；至少有一个与第一p型体区相邻的栅沟槽内的屏蔽栅外接栅极电压，剩余的栅沟槽内的屏蔽栅外接发射极电压。
- igbt器件
- [发明专利]IGBT器件-CN202111561080.4在审
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刘伟;林敏之;袁愿林;王睿
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苏州东微半导体股份有限公司
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2021-12-15
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2023-06-16
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H01L29/06
- 本发明属于半导体功率器件技术领域，具体公开了一种IGBT器件，n型半导体层内的若干个栅沟槽，位于栅沟槽的下部内的屏蔽栅，位于栅沟槽的上部内的栅极，栅极、屏蔽栅与n型半导体层之间互相绝缘隔离；部分屏蔽栅外接栅极电压并定义为第一屏蔽栅，剩余的屏蔽栅外接发射极电压并定义为第二屏蔽栅，第一屏蔽栅与第二屏蔽栅交替间隔设置；位于n型半导体层内且介于相邻的栅沟槽之间的p型体区，p型体区包括第一p型体区和第二p型体区两部分，第一p型体区位于靠近相邻的第一屏蔽栅的一侧，第二p型体区位于靠近相邻的第二屏蔽栅的一侧，第一p型体区的掺杂浓度小于第二p型体区的掺杂浓度。
- igbt器件
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