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专利名称

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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]装备清洁设备和方法-CN201880087669.5有效
发明人：罗曼·M·莫斯托沃伊;苏克图·阿伦·帕里克;托德·伊根 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2018-11-07 - 公布日： 2023-09-05 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本文描述的实施方式涉及清洁装置和用于清洁物体的方法。在一个实施方式中，通过沿着物体的表面移动清洁头来清洁物体。超临界二氧化碳流体通过超临界二氧化碳流体容器被输送到物体表面。通过真空泵将超临界二氧化碳流体和污染物质从物体去除至检测器。通过检测器确定污染物质的一个或多个测量结果。通过收集器收集污染物质的样本。通过分析器确定物体表面的污染程度。
装备清洁设备方法

[发明专利]低电阻及高可靠性金属化模块-CN202180068041.2在审
发明人：罗伊·沙维夫;苏克图·阿伦·帕里克;陈枫;陈璐 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2021-10-04 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本文提供了通过在绝缘层上而不在金属表面上选择性地沉积阻挡层，来形成电阻降低的过孔的方法。本公开内容的一些实施方式利用平面烃在金属表面上形成阻拦层。执行沉积以选择性地沉积在未阻拦的绝缘表面上。
电阻可靠性金属化模块

[发明专利]用于修改层堆叠物的部分的方法-CN202180032653.6在审
发明人： 苏克图·阿伦·帕里克 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2021-03-11 - 公布日： 2022-12-30 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本文提供的实施方式一般关于修改层堆叠物的部分的方法。方法包含以下步骤：形成深沟槽和窄沟槽，使得在层之间实现期望的低压降。形成深沟槽的方法包含以下步骤：蚀刻可流动电介质的部分，使得深金属触点设置在深沟槽下方。选择性地蚀刻深沟槽以形成修改的深沟槽。形成超级过孔的方法包含以下步骤：形成穿过层超级堆叠物的第二层堆叠物的超级过孔沟槽。本文公开的方法允许减小半导体层堆叠物中的特征结构的电阻，并且从而减小压降。
用于修改堆叠部分方法

[发明专利]用于光刻应用的膜堆叠-CN202080009819.8在审
发明人：辛格·特金德;苏克图·阿伦·帕里克;丹尼尔·李·迪尔;M·A·斯托尔菲;乔斯林甘·罗摩林甘;曹勇;阎俐凡;志一·郎;和勇·大卫·黄 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2020-02-25 - 公布日： 2021-10-08 - 主分类号： H01L21/033 文献下载
摘要：本文提供了用于形成包含硬掩模层的膜堆叠并蚀刻此硬掩模层以在膜堆叠中形成特征的方法。于此所述的方法通过在膜堆叠中形成的适当的轮廓管理方案来促进特征的轮廓和尺寸控制。在一个或多个实施方式中，一种用于蚀刻硬掩模层的方法包括以下步骤：在基板上形成硬掩模层，其中硬掩模层包含含金属材料，所述含金属材料包括具有原子数大于28的金属元素；向基板供应蚀刻气体混合物；和蚀刻由光刻胶层暴露的硬掩模层。
用于光刻应用堆叠

[发明专利]利用先进控制的整合CMOS源极漏极形成-CN201980044705.4在审
发明人：本杰明·科伦坡;图沙尔·曼德雷卡尔;帕特里夏·M·刘;苏克图·阿伦·帕里克;马蒂亚斯·鲍尔;迪米特里·R·基乌西斯;桑杰·纳塔拉扬;阿布舍克·杜贝 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2019-07-05 - 公布日： 2021-02-19 - 主分类号： H01L29/66 文献下载
摘要：一种finFET器件包括掺杂的源极及/或漏极延伸部，所述源极及/或漏极延伸部设置在finFET的栅极间隔物与其上设置n掺杂或p掺杂的源极或漏极延伸部的半导体基板的主体半导体部分之间。掺杂的源极或漏极延伸部通过选择性外延生长(SEG)工艺形成在靠近栅极间隔物形成的空腔中。在形成空腔之后，先进处理控制(APC)(亦即，整合的度量法)用于在不将基板暴露于氧化环境的情况下确定凹陷距离。各向同性蚀刻工艺、度量法及选择性外延生长可在同一平台中执行。
利用先进控制整合 cmos 源极漏极形成

[发明专利]原子层自对准的基板处理和整合式成套工具-CN201980034956.4在审
发明人： 苏克图·阿伦·帕里克 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2019-05-15 - 公布日： 2021-01-08 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：描述用来处理一个或多个晶片的装置和方法。基板暴露于复数个工艺站以用小增量沉积、退火、处理和可选地蚀刻膜，以提供基板表面上的膜的自对准生长。
原子对准处理整合成套工具

[发明专利]形成自对准通孔的方法-CN201911060797.3在审
发明人： 苏克图·阿伦·帕里克;米哈埃拉·巴尔西努 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2019-11-01 - 公布日： 2020-05-12 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：描述了电子器件和用于形成具有自对准通孔的电子器件的方法。利用粘着增强层来促进在导电材料与至少一个通孔开口的侧壁之间的粘着。自对准通孔降低通孔电阻并且减小短路至错误金属线的可能性。
形成对准方法

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