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[发明专利]具有超接面结构的半导体元件的制备方法及半导体元件-CN201810559080.2有效
发明人：陈冠宇 -专利权人： 节能元件控股有限公司
申请日： 2018-06-01 - 公布日： 2021-08-03 - 主分类号： H01L21/18 文献下载
摘要：一种具有超接面结构的半导体元件及其制备方法，此半导体元件包含：一硅基板及于其上的第一导电型磊晶层；多数第二导电型柱，形成于该第一导电型磊晶层的上表面；其中该多数第二导电型柱具有植入适当量的中性元素。于半导体元件在预定操作温度时，中性元素于该预定操作温度的载子释出量刚好可以抵消或是部份抵消第二导电型掺杂所在磊晶层因为温度上升所额外释出的另一载子数目，避免超接面半导体元件的耐突波电压能力下降。
具有超接面结构半导体元件制备方法

[发明专利]沟渠式金氧半P-N接面二极管制作方法-CN201910953438.4在审
发明人：陈美玲 -专利权人： 节能元件控股有限公司
申请日： 2013-12-20 - 公布日： 2020-01-03 - 主分类号： H01L21/329 文献下载
摘要：本发明公开一种沟渠式金氧半P‑N接面二极管制作方法，包含一第一导电型基板；多个的沟渠结构，形成于该第一导电型基板的表面上；一栅极氧化层，至少形成于该沟渠结构内侧壁上；一多晶硅层，形成于该沟渠结构内；一第二导电型第二浓度离子注入区域，至少形成于第一导电型基板中；一第二导电型第一浓度离子注入区域，形成于该沟渠结构底表面下，所述第一浓度高于第二浓度；及一电极层，覆盖于该第一导电型基板、该第二导电型第二浓度离子注入区域、该栅极氧化层及该多晶硅层上。位于沟渠结构底壁下的第一浓度离子注入区域可在反向偏压时提供夹止区电压支撑，因此可以降低此二极管结构的漏电流。
沟渠结构导电型基板浓度离子注入区域导电型栅极氧化层多晶硅层二极管结构接面二极管电压支撑反向偏压电极层漏电流内侧壁沟渠底壁金氧覆盖制作

[发明专利]绝缘栅双极晶体管的背面场栏的低温氧化层制作方法-CN201511020961.X有效
发明人：陈冠宇;陈美玲 -专利权人： 节能元件控股有限公司
申请日： 2015-12-30 - 公布日： 2019-09-13 - 主分类号： H01L21/331 文献下载
摘要：一种绝缘栅双极晶体管的背面场栏的低温氧化层制作方法，先在一第一导电型基板的一正面制作正面元件及正面金属层。于第一导电型基板的背面制作多重凹槽结构，于每一凹槽外侧具有一第一导电型杂质植入层图案，于多重凹槽结构底部具有一第一导电型杂质植入层。以沉积方式于该多重凹槽结构内填入多层第一导电型多晶硅层，且这些第一导电型多晶硅层分别与这些第一导电型杂质植入层图案对齐。于第一导电型基板底部表面植入一第二导电型杂质层。以激光退火工艺对所得结构的各杂质层退火，以制作多个场截止层。
绝缘双极晶体管背面低温氧化制作方法

[发明专利]用于半导体元件的超接面结构-CN201610320079.5有效
发明人：张崇健 -专利权人： 节能元件控股有限公司
申请日： 2012-12-25 - 公布日： 2019-07-30 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明有关于一种用于半导体元件的超接面结构，该超接面结构包含：一硅基板，该硅基板上具有一第一导电型磊晶层；多个高浓度第二导电型柱，形成于该第一导电型磊晶层内；及多个低浓度第二导电型侧壁，形成于该第一导电型磊晶层内且位于该第二导电型柱的外侧面上。该半导体元件为超接面MOSFET、超接面MESFET、超接面Schottky晶体管、超接面IGBT、闸流体(thyristor)、或超接面二极管。本发明提高了超接面结构的反向耐压且具有高深宽比。
用于半导体元件超接面结构

[发明专利]反向导通场截止绝缘栅双极晶体管及其制作方法-CN201410132174.3有效
发明人：陈美玲;郭鸿鑫;夏毅伦 -专利权人： 节能元件控股有限公司
申请日： 2014-04-03 - 公布日： 2019-03-22 - 主分类号： H01L21/331 文献下载
摘要：一种反向导通场截止绝缘栅双极晶体管及其制作方法，包含：一第一导电型基板；多个沟渠，形成于该第一导电型基板底面；多个第一导电型掺杂区，形成于该些沟渠的底面；一第二导电型掺杂区，形成于该第一导电型基板底面；及一第一导电型场截止掺杂区，位于第一导电型基板内部且距离第一导电型基板底部有一场截止深度，其中该场截止深度大于沟渠深度。由于多个第一导电型掺杂区及第二导电型掺杂区间隔有一段距离，所以可以抑制侧向齐纳二极管于基板底面形成且增进绝缘栅双极晶体管的性能。
向导截止绝缘双极晶体管及其制作方法

[发明专利]绝缘栅双极晶体管的场截止层的低温外延制作方法-CN201511031081.2在审
发明人：陈美玲;陈冠宇 -专利权人： 节能元件控股有限公司
申请日： 2015-12-31 - 公布日： 2017-07-07 - 主分类号： H01L21/331 文献下载
摘要：一种绝缘栅双极晶体管的场截止层的低温外延制作方法，首先提供一第一导电型基板，并在该第一导电型基板的一正面制作绝缘栅双极晶体管的正面元件及正面金属层；于第一导电型基板的背面以低温外延工艺制作多层第二导电型杂质层；再于第一导电型基板的背面以低温外延工艺制作一第一导电型杂质层；于第一导电型基板底部表面制作一集极金属层。
绝缘双极晶体管截止低温外延制作方法

[发明专利]具有底部栅极的金氧半场效晶体管功率元件-CN201511021386.5在审
发明人：陈冠宇;李序恒;陈美玲 -专利权人： 节能元件控股有限公司
申请日： 2015-12-30 - 公布日： 2017-07-07 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：一种具有底部栅极的金氧半场效晶体管功率元件，包含一第一导电型基板；一第一导电型外延层，位于该第一导电型基板之上；多个元件沟槽，设立于该第一导电型外延层的上表面，每一元件沟槽中具有由深至浅排列的一底部栅极、一分离栅极及一沟渠栅极，其中该底部栅极及该第一导电型外延层之间具有一底部绝缘层，在该底部栅极及该分离栅极之间具有一中间绝缘层，在该分离栅极及该沟渠栅极之间具有一上层绝缘层。
具有底部栅极半场晶体管功率元件

[发明专利]用于半导体元件的多沟渠终端结构及其制作方法-CN201210018436.4有效
发明人：高隆庆;陈美玲;赵国梁;郭鸿鑫 -专利权人： 节能元件控股有限公司
申请日： 2012-01-20 - 公布日： 2017-03-29 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：本发明公开一种用于半导体元件的多沟渠终端结构及其制作方法，该半导体元件包含一半导体基板及一主动结构区，该多沟渠终端结构包含一多沟渠结构，该些沟渠形成于该半导体基板的一露出表面上；一第一掩膜层，形成于该半导体基板的部分表面上，其中该部分表面对应于该半导体元件的一终端结构区；一栅极绝缘层，形成于该多沟渠结构的表面上；一导电层，形成于该栅极绝缘层上，该导电层并凸出于该半导体基板的该露出表面；以及一金属层，形成于该第一掩膜层及该终端结构区的导电层上。
用于半导体元件沟渠终端结构及其制作方法

[发明专利]沟渠式金氧半P-N接面二极管结构及其制作方法-CN201310714461.0在审
发明人：陈美玲 -专利权人： 节能元件控股有限公司
申请日： 2013-12-20 - 公布日： 2015-06-24 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明公开一种沟渠式金氧半P-N接面二极管结构及其制作方法，包含一第一导电型基板；多个的沟渠结构，形成于该第一导电型基板的表面上；一栅极氧化层，至少形成于该沟渠结构内侧壁上；一多晶硅层，形成于该沟渠结构内；一第二导电型第二浓度离子注入区域，至少形成于第一导电型基板中；一第二导电型第一浓度离子注入区域，形成于该沟渠结构底表面下，所述第一浓度高于第二浓度；及一电极层，覆盖于该第一导电型基板、该第二导电型第二浓度离子注入区域、该栅极氧化层及该多晶硅层上。位于沟渠结构底壁下的第一浓度离子注入区域可在反向偏压时提供夹止区电压支撑，因此可以降低此二极管结构的漏电流。
沟渠式金氧半二极管结构及其制作方法

[发明专利]用于半导体元件的超接面结构及其制程-CN201210568724.7有效
发明人：张崇健 -专利权人： 节能元件控股有限公司
申请日： 2012-12-25 - 公布日： 2014-07-02 - 主分类号： H01L21/18 文献下载
摘要：本发明有关于一种用于半导体元件的超接面结构及其制程，该超接面结构包含：一硅基板，该硅基板上具有一第一导电型磊晶层；多个高浓度第二导电型柱，形成于该第一导电型磊晶层内；及多个低浓度第二导电型侧壁，形成于该第一导电型磊晶层内且位于该第二导电型柱的外侧面上。该半导体元件为超接面MOSFET、超接面MESFET、超接面Schottky晶体管、超接面IGBT、闸流体(thyristor)、或超接面二极管。本发明提高了超接面结构的反向耐压且具有高深宽比。
用于半导体元件超接面结构及其

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