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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]图案选择系统和方法-CN202211133960.6在审
发明人：刘梦;陈炳德;邵德保;伍健一;陈浩;艾曼·哈穆达;程建华 -专利权人： ASML荷兰有限公司
申请日： 2022-09-16 - 公布日： 2023-04-04 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：描述了为半导体晶片的设计布局选择优化的、几何多样化的片段子集。所述设计布局的完整表示被接收到。所述设计布局的代表性片段集合被确定，使得各个代表性片段包括所述设计布局的一个或多个独特图案的不同组合。所述代表性片段的子集基于所述一个或多个独特图案来选择。所述代表性片段的所述子集被配置为包括：(1)最小数量的代表性片段中的每个几何独特图案；或者(2)最大数量的代表性片段中尽可能多的所述设计布局的几何独特图案。例如，所述代表性片段子集被提供为训练数据，以训练光学邻近效应校正或者源掩模优化半导体过程机器学习模型。
图案选择系统方法

[发明专利]用于生成掩模图案的方法-CN202210855723.4在审
发明人： 艾曼·哈穆达;毛东 -专利权人： ASML荷兰有限公司
申请日： 2022-07-18 - 公布日： 2023-02-03 - 主分类号： G03F1/38 文献下载
摘要：本文描述了一种用于为光刻过程生成掩模图案的方法。这涉及通过应用第一平滑函数来生成分段掩模图案的平滑表示，并且通过多个分段特征中的一个或多个的变化集合调整分段掩模图案。进一步，通过使用经调整的分段掩模图案的平滑掩模图案，直到终止条件被满足为止，图案化过程模拟以迭代方式被执行。在每次迭代中，在调整分段掩模图案时，平滑掩模图案由过程模型生成和使用以模拟图案化过程。一旦所述终止条件被满足，作为结果的分段掩模图案被获得。然后，最终掩模图案通过将第二平滑函数应用于作为结果的分段掩模图案来生成。
用于生成图案方法

[发明专利]验证掩模设计的自由曲线特征-CN202180039984.2在审
发明人： 艾曼·哈穆达 -专利权人： ASML荷兰有限公司
申请日： 2021-05-13 - 公布日： 2023-01-31 - 主分类号： G06F30/398 文献下载
摘要：描述了一种用于验证掩模设计的特征的方法。所述方法包括：确定所述特征的局部形状；和基于所述局部形状确定是否存在所述特征对验证准则的违反。所述验证准则指定图案特性的阈值与局部形状之间的对应关系。例如，所述掩模设计的所述特征可以是自由曲线掩模特征。所述局部形状可以包括所述特征的区段上的单独的部位的局部曲率。在一些实施例中，所述图案特性的所述阈值是间距阈值，并且所述验证准则将所述间距阈值指定为所述局部曲率的函数。所述方法可以促成实现增强型掩模规则检查(MRC)，包括针对自由曲线掩模的MRC准则的更优定义和验证，和/或具有其它优势。
验证设计自由曲线特征

[发明专利]基于由光刻设备或过程特性表征的图案表示来选择该图案-CN202210228123.5在审
发明人： 艾曼·哈穆达 -专利权人： ASML荷兰有限公司
申请日： 2022-03-07 - 公布日： 2022-09-13 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本文描述一种旨在选择用于训练或校准与半导体制造相关的模型的图案的方法和设备。所述方法包括：获得第一图案集合；将所述第一图案集合中的每个图案表示在表示域中，所述表示域对应于电磁函数；以及基于所述表示域，从所述第一图案集合中选择第二图案集合。
基于光刻设备过程特性表征图案表示选择

[发明专利]用于目标图案的基于规则的重靶向的方法-CN202080074277.2在审
发明人： 艾曼·哈穆达 -专利权人： ASML荷兰有限公司
申请日： 2020-09-24 - 公布日： 2022-06-07 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本文描述一种用于产生用于待印刷于衬底上的目标图案的重靶向图案的方法。该方法包括：获得(i)包括至少一个特征的目标图案，该至少一个特征具有包括第一维度和第二维度的几何形状；以及(ii)多个偏差规则，该多个偏差规则被定义为第一维度、第二维度和与目标图案的在测量区域内的特征相关联的性质的函数；确定所述性质的在目标图案的至少一个特征上的多个位置处的值，每个位置均被所述测量区域包围；基于所述性质的所述值，从所述多个偏差规则中选择偏差的子集；以及通过将所选择的偏差的子集应用至目标图案的所述至少一个特征，产生重靶向图案。
用于目标图案基于规则靶向方法

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