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专利名称

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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]电压检测电路、半导体装置以及半导体装置的制造方法-CN201910669914.X有效
发明人：金泽雄亮 -专利权人： 艾普凌科有限公司
申请日： 2019-07-24 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： G01R31/388 文献下载
摘要：提供电压检测电路、半导体装置以及半导体装置的制造方法，减少制造工序中的可变电阻部的电阻值的调整时间。电压检测电路具有：电阻分压电路，其具有粗调整用可变电阻电路和微调整用可变电阻电路；粗调整部，其对粗调整用可变电阻电路进行控制；微调整部，其对微调整用可变电阻电路进行控制；以及控制部，其与比较电路的检测信号相对应地对粗调整部和微调整部进行控制。
电压检测电路半导体装置以及制造方法

[发明专利]电压电流转换电路及充放电控制装置-CN202010553312.0有效
发明人：金泽雄亮;周藤曜一 -专利权人： 艾普凌科有限公司
申请日： 2020-06-17 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： G01R31/382 文献下载
摘要：本发明提供电压电流转换电路及充放电控制装置。电压电流转换电路的特征在于，具备：电压电流转换电阻，其与输入端子连接；和电流镜电路，其对电压电流转换电阻输出的电流进行镜像，电流镜电路由源极的电压被偏置得比衬底的电压高的耗尽型晶体管构成。
电压电流转换电路放电控制装置

[发明专利]半导体装置及其制造方法-CN202010161042.9有效
发明人：鹰巢博昭 -专利权人： 艾普凌科有限公司
申请日： 2020-03-10 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： H01L27/08 文献下载
摘要：本发明涉及半导体装置及其制造方法。薄膜电阻体(200)具有高电阻区(100)和形成于高电阻区(100)的两端的低电阻区(103)。高电阻区(100)由第一高电阻区(101)和第二高电阻区(102)构成，在第二高电阻区(102)的第一方向的两侧面配置有第一高电阻区(101)。第二高电阻区(102)的方块电阻值高于第一高电阻区(101)的方块电阻值。
半导体装置及其制造方法

[发明专利]比较器以及振荡电路-CN201910499975.6有效
发明人：坂口薰 -专利权人： 艾普凌科有限公司
申请日： 2019-06-11 - 公布日： 2023-10-03 - 主分类号： H03K5/24 文献下载
摘要：提供结构简单且消耗电流小的比较器以及振荡电路。本发明提供比较器和使用该比较器的振荡电路，该比较器具有：第一恒流源；第一晶体管，其漏极与第一恒流源连接，栅极与非反相输入端子连接，源极与反相输入端子连接；第二恒流源，其连接在反相输入端子与第二电源端子之间；第二晶体管，其源极与第一电源端子连接，栅极与第一晶体管的漏极连接，漏极与输出端子连接；以及第三恒流源，其连接在第二晶体管的漏极与第二电源端子之间。
比较以及振荡电路

[发明专利]半导体装置以及其制造方法-CN201810294177.5有效
发明人：畠中雅宏;吉村充弘 -专利权人： 艾普凌科有限公司
申请日： 2018-03-30 - 公布日： 2023-10-03 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明涉及半导体装置以及其制造方法。提供一种以相同的宽度形成引出栅极电极的部分的单元外周区域的沟槽和构成纵向晶体管的单元区域的沟槽并且能够进行芯片面积的缩小化的导体装置以及其制造方法。在单元外周区域的沟槽正上方自对准地形成栅极接触孔来连接栅极布线电极。
半导体装置及其制造方法

[发明专利]充放电控制电路以及具备该充放电控制电路的电池装置-CN202010516936.5有效
发明人：福地晋也 -专利权人： 艾普凌科有限公司
申请日： 2020-06-09 - 公布日： 2023-09-15 - 主分类号： H02J7/00 文献下载
摘要：本发明提供充放电控制电路以及具备该充放电控制电路的电池装置。充放电控制电路具备：第一电池单元平衡电路，其具有第一开关；第二电池单元平衡电路，其具有第二开关；第一电池单元平衡检测电路，其具有第三开关；第二电池单元平衡检测电路，其具有第四开关；以及控制电路，其当第一电池的电压为电池单元平衡检测电压以上时，向第一开关输出使第一开关以规定的周期接通的控制信号，当第二电池的电压为电池单元平衡检测电压以上时，向第二开关输出使第二开关以规定的周期接通的控制信号，在输出控制信号时，向第三开关和第四开关输出使第三开关和第四开关以规定的周期断开的控制信号。
放电控制电路以及具备电池装置

[发明专利]ΔΣ调制器-CN201811121724.6有效
发明人：今泉荣龟 -专利权人： 艾普凌科有限公司
申请日： 2018-09-26 - 公布日： 2023-09-15 - 主分类号： H03M3/00 文献下载
摘要：本发明公开ΔΣ调制器。ΔΣ调制器的特征在于，具备：第1积分电路，其具有第1电容器及第2电容器，对模拟输入信号和反馈模拟信号进行积分；第2积分电路，其具有第3电容器及第4电容器，对所述第1积分电路的输出信号进行积分；差动放大器，其输入端子和输出端子经由开关电路而被切换地连接到所述第1电容器及第2电容器、或所述第3电容器及第4电容器的任一方；斩波开关，其对与所述第1电容器及第2电容器连接的所述输入端子的极性及所述输出端子的极性进行切换；量化器，其对相加而得到的信号与基准信号进行比较，输出数字值；及数字/模拟转换器，其输出与数字值相应的反馈模拟信号。
调制器

[发明专利]过热保护电路以及具备该过热保护电路的半导体装置-CN201911180499.8有效
发明人：坂口薰 -专利权人： 艾普凌科有限公司
申请日： 2019-11-27 - 公布日： 2023-09-15 - 主分类号： G05F1/567 文献下载
摘要：本发明提供过热保护电路以及具备该过热保护电路的半导体装置。提供具备能够减小消耗电流的过热保护电路的半导体装置。具备：第一恒流源，其向感温元件提供第一恒定电流；第一晶体管，其设置在感温元件与第一恒流源之间；输出电流检测电路，其利用基于与半导体装置的输出电流对应的感应电流的电压，控制第一晶体管的栅极电压；以及输出电路，其输出基于感温电流和第一恒定电流的比较结果的过热检测信号。
过热保护电路以及具备半导体装置

[发明专利]半导体装置-CN201910433369.4有效
发明人：宇都宫裕之 -专利权人： 艾普凌科有限公司
申请日： 2019-05-23 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： H01L23/00 文献下载
摘要：半导体装置具有：半导体基板(101)，其包含电路区域(CR)和与该电路区域(CR)相邻设置的芯片外周区域(PR)；第一层间绝缘膜(102)，其设置在半导体基板(101)上；第二层间绝缘膜(104)，其设置在第一层间绝缘膜(102)上；第一台阶(ST1)，其在芯片外周区域(PR)中，以使芯片外周区域(PR)侧比电路区域(CR)侧低的方式设置在半导体基板(101)与第一层间绝缘膜(102)之间；以及第二台阶(ST2)，其在芯片外周区域(PR)中位于比第一台阶(ST1)靠电路区域(CR)侧的位置，并且设置于第二层间绝缘膜(104)。
半导体装置

[发明专利]半导体装置及半导体芯片-CN201910553907.3有效
发明人：鹰巢博昭 -专利权人： 艾普凌科有限公司
申请日： 2019-06-25 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本发明涉及半导体装置及半导体芯片。半导体装置包括：平坦区域，其形成在半导体衬底的表面，该平坦区域的外周形状具有区域边和区域倒角部；外周区域，其以与平坦区域不同的同样的高度包围平坦区域；多个相似形状或相同形状的半导体元件，它们形成在平坦区域上；及配线金属，其经由形成在半导体元件上的第2绝缘膜的接触孔而将多个半导体元件连接。提供一种能够提高半导体元件的相对精度，并提高半导体集成电路装置的成品率的半导体装置。
半导体装置芯片

[发明专利]输出驱动器电路-CN202010259966.2有效
发明人：三谷正宏;有山稔;村冈大介;挽地友生 -专利权人： 艾普凌科有限公司
申请日： 2013-03-26 - 公布日： 2023-08-15 - 主分类号： H03K17/08 文献下载
摘要：本发明提供电路结构简单且具备过电流保护功能的输出驱动器电路。构成为：具备恒流电路和恒流镜用MOS晶体管和选择器电路，恒流镜用MOS晶体管和输出MOS晶体管构成电流镜电路，根据基于恒流镜用MOS晶体管产生的恒流的电压控制输出MOS晶体管的栅极，限制在输出MOS晶体管的源极－漏极间流动的电流。
输出驱动器电路

[发明专利]电压检测器-CN202010156467.0有效
发明人：铃木照夫 -专利权人： 艾普凌科有限公司
申请日： 2020-03-09 - 公布日： 2023-08-01 - 主分类号： G01R19/165 文献下载
摘要：本发明提供电压检测器。电压检测器(100)具备第1电压检测电路(10)、第2电压检测电路(20)以及分压电路(30)。分压电路(30)具有能够取出第1分压电压的第1节点(N1)以及能够取出第2分压电压的第2节点(N2)。第2电压检测电路(20)具有比较器电路(21)，该比较器电路(21)包含与第1节点(N1)连接的第1输入端以及输入基准电压的第2输入端。第1电压检测电路(10)具有：第1NMOS晶体管(Tr1)，其包含被施加第2分压电压的栅极；和恒流源(11)，其一端与第1NMOS晶体管(Tr1)连接。第1NMOS晶体管(Tr1)构成为，在第2分压电压比第2阈值电压高时导通，在第2分压电压比第2阈值电压低时截止。
电压检测器

[发明专利]电压检测器-CN201910418116.X有效
发明人：远藤大树 -专利权人： 艾普凌科有限公司
申请日： 2019-05-20 - 公布日： 2023-07-18 - 主分类号： G01R19/165 文献下载
摘要：本发明提供电压检测器，该电压检测器的特征在于，具有：分压电路，其输出基于输入电压的分压电压；比较电路，其对分压电压与基准电压进行比较，输出检测信号和解除信号；以及电压限制电路，其将分压电压限制为规定的电压。
电压检测器

[发明专利]基准电压电路-CN202010743420.4有效
发明人：富冈勉 -专利权人： 艾普凌科有限公司
申请日： 2020-07-29 - 公布日： 2023-07-18 - 主分类号： G05F1/56 文献下载
摘要：基准电压电路具备：齐纳二极管，其负极经由第一节点与电流源连接，正极与接地点连接；第一电阻，其一端与第一节点连接；第二电阻，其一端与第一电阻的另一端连接；第一二极管，其正极在第二节点上与第二电阻的另一端连接，负极与接地点连接；以及电流控制电路，生成与第一二极管的正极电压对应的控制电流，并使电流源向第一二极管供给与控制电流对应的基准电流。
基准电压电路

[发明专利]充放电控制装置和电池装置-CN201811464725.0有效
发明人：前谷文彦 -专利权人： 艾普凌科有限公司
申请日： 2018-12-03 - 公布日： 2023-07-14 - 主分类号： H02J7/00 文献下载
摘要：充放电控制装置和电池装置。具备放电过电流检测电路，该放电过电流检测电路根据基于放电基准FET的电压的放电过电流基准电压和放电过电流检测端子的电压，监视放电过电流，该放电基准FET的漏极及栅极与充电控制FET连接。
放电控制装置电池

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