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[发明专利]一种晶体生长预测方法及装置-CN201911033270.1有效
发明人： 舒天宇;王雅儒;赵爱梅;刘圆圆;潘亚妮 -专利权人：山东天岳先进科技股份有限公司
申请日： 2019-10-28 - 公布日： 2023-09-26 - 主分类号： G16C20/10 文献下载
摘要：本申请公开了一种晶体生长预测方法及装置，用以解决现有的预测方法计算量大、耗费时间长、无法进行在线预测的问题。该方法获取若干待预测的晶体生长的热场图；根据预先训练好的卷积神经网络模型，提取待预测的热场图的图片特征；根据提取出的图片特征以及预先训练好的长短期记忆网络模型，预测预设时间后晶体生长的热场图的图片特征；根据所述预设时间段后晶体生长的热场图的图片特征，得到以下一项或多项：晶体生长的热场分布数据、晶体形状变化数据、晶体的应力分布数据。这种方法能够以较短的时间实现对晶体生长的预测，实现在线预测。
一种晶体生长预测方法装置

[发明专利]一种应力呈均向分布的碳化硅晶片及无损且精确测定晶片各向应力的方法-CN202310637184.1在审
发明人：宋猛;王旗;王凯;刘硕;徐光明;高超;舒天宇;彭红宇 -专利权人：上海天岳半导体材料有限公司
申请日： 2023-05-31 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： C30B29/36 文献下载
摘要：本申请公开了一种应力呈均向分布的碳化硅晶片及无损且精确测定晶片各向应力的方法，属于碳化硅晶片及其应力检测技术领域。该测定方法包括下述步骤：(1)对晶片进行XRD衍射测试，测试过程中对晶片进行面内和面间旋转，得到至少6个衍射晶面下的测试结果，将不同衍射晶面的衍射峰与无应力晶片中对应衍射晶面的标准峰进行比较，获得晶片的各向应变值；(2)根据各向应变值和弹性常数计算晶片的各向应力。该方法能够实现对晶片各向应力的无损和精准检测，为晶片各向应力的分析提供了新思路，可推广用于晶片各向应力的标准化检测。
一种应力分布碳化硅晶片无损精确测定方法

[发明专利]一种构建晶圆片加工过程控制模型的方法-CN202310333093.9在审
发明人：王旗;隋晓明;王昆鹏;杨恒;宋猛;王凯;张林;舒天宇;彭红宇;石志强;靳婉琪 -专利权人：上海天岳半导体材料有限公司
申请日： 2023-03-30 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： G06F30/17 文献下载
摘要：本申请公开了一种构建晶圆片加工过程控制模型的方法，属于晶圆片加工生产技术领域。该方法采集多个单片的切割温场数据、切割数据、研磨数据、抛光数据、清洗数据和每个工序之后得到的面型数据；根据切割工序之后得到的面型数据，可筛选出期待切割温场数据及参考切割数据，并可根据期待切割温场数据与待产出切割晶片的实时监测温场数据的比对，来分析和预判待产出切割晶片面型情况，从而得到能够将切割晶片面型与切割温场和切割工序联系起来的过程控制模型，能够实现切割工序中的即时反馈，提高切割工序的加工效率和良品率，便于大批量生产加工合格的晶圆片。
一种构建晶圆片加工过程控制模型方法

[发明专利]基于切割区域温场的过程控制模型的构建方法及晶体棒过程控制切割方法-CN202310332516.5在审
发明人：王旗;隋晓明;王昆鹏;杨恒;宋猛;王凯;张林;舒天宇;彭红宇;石志强;靳婉琪 -专利权人：上海天岳半导体材料有限公司
申请日： 2023-03-30 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： G05B19/418 文献下载
摘要：本申请公开了一种基于切割区域温场的过程控制模型的构建方法及晶体棒过程控制切割方法，属于晶体切割技术领域。该构建方法采集多个单片的面型数据、温场数据以及加工数据构成第一数据集合；并以面型数据作为条件，从第一数据集合中筛选单个切割晶片的期待温场数据，并构建单个切割晶片的参考加工数据；从而形成基于期待温场数据与待产出切割晶片的实时监测温场数据的比对，来分析和预判待产出切割晶片面型情况，并基于参考加工数据作为加工数据调整参照的过程控制模型。该过程控制模型能够建立切割晶片面型与温场、加工数据之间的模型关系，可实时反馈切割过程的加工状态，有效溯源，提高加工效率和良品率。
基于切割区域过程控制模型构建方法晶体

[发明专利]一种在线监测的晶体切割装置及切割方法-CN202310335716.6在审
发明人：王旗;宋猛;舒天宇;隋晓明;彭红宇;杨恒;王凯;张林;石志强;王昆鹏;靳婉琪 -专利权人：上海天岳半导体材料有限公司
申请日： 2023-03-30 - 公布日： 2023-05-23 - 主分类号： B28D5/04 文献下载
摘要：本发明提供了一种在线监测的晶体切割装置及切割方法，属于半导体材料加工技术领域。本发明一方面提供了一种在线监测的晶体切割装置包括：工件机构、切割线机构、切割液机构和测温机构，所述测温机构包括温度探测器，所述温度探测器设置在所述工件机构的轴线方向和/或外周方向，用于获得所述待切割晶体在切割部位处的温场信息，本发明的在线监测的晶体切割装置可对切割过程中的异常温度进行监测，出现问题及时报警，便于有效溯源。另一方面本发明提供一种使用在线监测的晶体切割装置的切割方法，通过监测切割过程中的温度变化和检测切割片的面型，可及时调整加工参数。
一种在线监测晶体切割装置方法

[发明专利]一种预测SiC单晶炉内整体温度场的方法及设备-CN202010322263.X有效
发明人： 舒天宇;王雅儒 -专利权人：山东天岳先进科技股份有限公司
申请日： 2020-04-22 - 公布日： 2023-04-25 - 主分类号： G06F30/27 文献下载
摘要：本申请公开了一种预测SiC单晶炉内整体温度场的方法及设备，解决了无法实现对SiC单晶炉内温度场进行实时精确的测量的技术问题。方法包括：基于模拟仿真软件对SiC单晶炉内的测温孔温度场及整体温度场进行仿真，得到训练数据集；通过训练数据集，对神经网络模型进行训练，得到SiC单晶炉内整体温度场的预测神经网络模型；获取SiC单晶炉内的测温孔温度场；将测温孔温度场输入至温度场预测神经网络模型中，对SiC单晶炉内整体温度场进行实时预测。本申请通过上述方法实现了对SiC单晶炉内整体温度场的实时预测，相较于传统的人为经验预测，提高了温度预测的准确度，可以精确调节及控制SiC单晶炉的坩埚内的温度及分布。
一种预测 sic 单晶炉内整体温度场方法设备

[发明专利]一种碳化硅晶体、籽晶及衬底-CN202211366501.2在审
发明人：李加林;舒天宇;宋生;梁庆瑞;宗艳民;刘耀华;姜岩鹏 -专利权人：山东天岳先进科技股份有限公司
申请日： 2022-10-31 - 公布日： 2023-01-31 - 主分类号： C30B29/36 文献下载
摘要：本申请公开了一种碳化硅晶体，属于半导体材料领域。该碳化硅晶体具有第一主表面和与第一主表面相对的第二主表面，第一主表面和/或第二主表面具有形核形貌，形核形貌具有形核中心点，碳化硅晶体的中轴线贯穿第一主表面和第二主表面，中轴线与第一主表面和/或第二主表面的交点为晶体中心点；形核中心点至晶体中心点的距离小于碳化硅晶体直径的1/4。该碳化硅晶体的形核中心点与晶体中心点的距离小于碳化硅晶体直径的1/4，两个中心点的距离较小，形核质量高，缺陷密度低。
一种碳化硅晶体籽晶衬底

[发明专利]一种碳化硅衬底位错自动识别方法及系统-CN202011279607.X有效
发明人：张九阳;舒天宇;许晓林;李霞;赵树春;高超 -专利权人：山东天岳先进科技股份有限公司
申请日： 2020-11-16 - 公布日： 2022-10-18 - 主分类号： G06V20/69 文献下载
摘要：本申请公开了一种碳化硅衬底位错自动识别方法及系统，用以解决现有的位错识别方法无法进行自动拍照记录，进而无法实现自动识别碳化硅衬底位错的技术问题。方法包括：通过显微镜对待测碳化硅衬底进行自动扫描，并对扫描区域进行自动拍照记录；通过计算机设备接收显微镜发送的与待测碳化硅衬底有关的位错图像，并将位错图像输入至碳化硅衬底位错识别神经网络模型中；基于碳化硅衬底位错识别神经网络模型，对待测碳化硅衬底中的位错进行识别；将碳化硅衬底位错识别神经网络模型输出的位错信息在计算机设备上进行显示。本申请通过上述方法实现了对碳化硅衬底位错扫描区域的自动拍照记录，进而实现了自动识别碳化硅衬底位错的过程。
一种碳化硅衬底自动识别方法系统

[发明专利]一种SiC缺陷的检测方法和系统-CN201910951137.8有效
发明人： 舒天宇;王雅儒;赵爱梅;高超;刘圆圆 -专利权人：山东天岳先进科技股份有限公司
申请日： 2019-10-08 - 公布日： 2022-08-26 - 主分类号： G06T7/00 文献下载
摘要：本申请公开了一种SiC缺陷的检测方法和系统，方法包括：控制显微镜镜头移动，并拍摄有关待检测SiC片的多张图像；将所述多张图像作为输入样本，将所述输入样本发送给预先训练好的神经网络；所述神经网络以各所述输入样本为输入，输出所述待检测SiC片存在的缺陷数量以及缺陷位置。本申请能够提高SiC缺陷的检测结果的精准度。
一种 sic 缺陷检测方法系统

[发明专利]一种晶片的原子台阶的宽度计算装置、方法、设备及介质-CN202110896139.9在审
发明人：张九阳;舒天宇;卢仁贵;王永方;李霞;张红岩;高超;梁云硕;张禹亮 -专利权人：上海天岳半导体材料有限公司
申请日： 2021-08-05 - 公布日： 2021-11-02 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本说明书实施例公开了一种晶片的原子台阶的宽度计算装置、方法、设备及介质，装置包括：图像获取单元，用于在原子台阶均匀平行分布的区域内，确定晶片的测试范围，获取测试范围内的晶片对应的原子台阶原始图像；图像处理单元，用于对原子台阶原始图像进行灰度处理，确定原子台阶灰度图像，并根据预设方式以及原子台阶灰度图像，确定出符合要求的波形图；计算单元，用于根据符合要求的波形图中的波峰之间或波谷之间的距离与原子台阶灰度图像的尺寸，计算原子台阶的宽度，节省了人工测算的人力、物力，避免了人工计算宽度产生的测量误差，可以通过程序实现，节约计算时间，不会引入人工测算主观误差。
一种晶片原子台阶宽度计算装置方法设备介质

[发明专利]半导体衬底的原子台阶宽度计算装置、方法、设备及介质-CN202110896169.X在审
发明人：张九阳;舒天宇;卢仁贵;王永方;李霞;张红岩;高超;梁云硕;张禹亮 -专利权人：上海天岳半导体材料有限公司
申请日： 2021-08-05 - 公布日： 2021-11-02 - 主分类号： G06T7/60 文献下载
摘要：本说明书实施例公开了半导体衬底的原子台阶宽度计算装置、方法、设备及介质，半导体衬底存在一个或多个原子台阶均匀平行分布的区域，并且每个原子台阶处于倾斜状态，原子台阶的宽度为相邻两个原子台阶之间的距离，包括：图像获取单元，用于确定半导体衬底的测试范围，获取测试范围内的半导体衬底对应的原子台阶原始图像；图像处理单元，用于对原子台阶原始图像进行灰度处理，确定原子台阶灰度图像；计算单元，用于根据原子台阶灰度图像中相邻两个原子台阶之间的距离与原子台阶灰度图像的尺寸，计算原子台阶的宽度，节省了人工测算的人力、物力，避免了人工计算宽度产生的测量误差，可以通过程序实现，不会引入人工测算主观误差。
半导体衬底原子台阶宽度计算装置方法设备介质

[发明专利]一种碳化硅晶体生长方法及装置-CN202010956155.8有效
发明人： 舒天宇;王宗玉;梁庆瑞;张红岩;姜岩鹏 -专利权人：山东天岳先进科技股份有限公司
申请日： 2020-09-11 - 公布日： 2021-07-09 - 主分类号： C30B23/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种碳化硅晶体生长方法及装置，该方法包括:(1)组装阶段：(2)升华阶段：控制多个隔板转动至多个隔板之间和隔板与腔体的内壁之间无空隙，第一坩埚与第二坩埚隔断，加热使得碳化硅原料升华；(3)长晶阶段：控制多个隔板转动至多个隔板之间和/或隔板与腔体的内壁之间有空隙，第二坩埚通过空隙与第一坩埚连通，加热使得碳化硅原料气氛穿过空隙传输至籽晶进行长晶。通过控制多个隔板的转动，使得第一坩埚与第二坩埚隔断，碳化硅原料升华的气氛不能向上传输，避免生长前期不稳定气氛形成影响晶体质量的缺陷及对籽晶的破坏及污染，且隔板阻断了原料向籽晶的热辐射，避免了除杂时由于没有碳化硅气氛补充时导致的籽晶表面升华。
一种碳化硅晶体生长方法装置

[实用新型]一种显微镜载物台移动辅助装置-CN202022652999.1有效
发明人：张九阳;舒天宇;许晓林;李霞;赵树春;高超 -专利权人：山东天岳先进科技股份有限公司
申请日： 2020-11-16 - 公布日： 2021-07-09 - 主分类号： G02B21/26 文献下载
摘要：本申请公开了一种显微镜载物台移动辅助装置，用以解决使用现有的显微镜对碳化硅衬底进行扫描的时间较长，且无法对扫描区域进行记录的技术问题。装置包括：第一连接件，第二连接件，转角减速机，以及驱动装置；第一连接件的一端具有限位部，用于与显微镜载物台的旋钮配合；第一连接件的另一端具有插接部；第二连接件的一端具有配合插接部，用于与第一连接件的插接部配合；第二连接件的另一端具有通孔；转角减速机的一端具有输出轴，用于与第二连接件的通孔配合；转角减速机的另一端连接驱动装置。本申请通过上述装置配合显微镜的定频拍照功能，可实现对移动的载物台进行自动拍照功能，保证了扫描区域的记录，同时提高了扫描效率，缩短了扫描时间。
一种显微镜载物台移动辅助装置

[实用新型]一种碳化硅晶体生长用坩埚及装置-CN202021994413.3有效
发明人： 舒天宇;王宗玉;刘圆圆;周敏;黄治成 -专利权人：山东天岳先进科技股份有限公司
申请日： 2020-09-11 - 公布日： 2021-05-07 - 主分类号： C30B23/00 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种碳化硅晶体生长用坩埚及装置，该坩埚包括:坩埚盖、第一坩埚体、第二坩埚体和连接装置，第一坩埚体和第二坩埚体通过连接装置连接形成内部腔体，连接装置包括多个可转动的隔板；多个隔板转动至多个隔板之间和隔板与腔体之间无空隙，则多个隔板隔断第一坩埚体和第二坩埚体；多个隔板转动至多个隔板之间和/或隔板与腔体之间有空隙，则第一坩埚体通过空隙与第二坩埚体连通。通过隔板隔断第一坩埚体和第二坩埚体，可使得晶体生长前期，第一坩埚体的气氛不能传输至第二坩埚体，多个隔板之间和隔板与腔体内壁之间的空隙，形成气体运输通道，对气氛运输起到导向作用，可有效减少晶体生长的缺陷，提高晶体生长的质量。
一种碳化硅晶体生长坩埚装置

[发明专利]一种多电平升压逆变器-CN202010041469.5有效
发明人：方帅;刘圆圆;舒天宇;王含冠;赵建国;李帅;贾河顺 -专利权人：济南星火技术发展有限公司
申请日： 2020-01-15 - 公布日： 2021-03-30 - 主分类号： H02M7/49 文献下载
摘要：本申请公开了一种多电平升压逆变器，包括：直流电源、控制逻辑模块、低通滤波电路、第一电压输出电路和第二电压输出电路。直流电源正极分别连接第一电压输出电路和第二电压输出电路的第一输入端，直流电源负极分别连接第一电压输出电路和第二电压输出电路的第二输入端；控制逻辑模块通过其产生的多个控制信号控制第一电压输出电路产生多个第一电压，以及控制第二电压输出电路产生多个第二电压；低通滤波电路一端连接第一电压输出电路输出端，另一端连接第二电压输出电路输出端；低通滤波电路将第一电压和第二电压共同组成的阶梯波滤波为交流电压。本申请能够降低输出交流电压的总谐波畸变率，以及有效减少对外界产生的电磁干扰和开关的功率损耗。
一种电平升压逆变器

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