专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]一种钙钛矿介孔玻璃的制备方法及其应用-CN202210874951.6在审
  • 胡智萍;陈春霖;刘征征;何进;杜鹃 - 国科大杭州高等研究院
  • 2022-07-25 - 2022-10-18 - C03C17/00
  • 本发明提供的一种钙钛矿介孔玻璃的制备方法及其应用,包括以下步骤:步骤一,制备钙钛矿前驱体溶液:钙钛矿前驱材料卤化铅溶解于有机溶剂中形成第一钙钛矿前驱液;钛矿前驱卤化铯溶解于有机溶剂甲醇中,形成第二钙钛矿前驱液;步骤二,在第一钙钛矿前驱体溶液中浸泡介孔玻璃,待介孔玻璃自吸附钙钛矿前驱体溶液在介孔结构后,对介孔玻璃进行真空退火;步骤三,将步骤一中干燥后的介孔玻璃浸泡至第二钙钛矿前驱液,待第二钙钛矿前驱液被吸收后,干燥后形成钙钛矿介孔玻璃。本发明利用介孔玻璃的自吸附效应,将钙钛矿前驱体溶液吸附在介孔结构内,通过真空退火处理,实现钙钛矿材料与基底材料直接结合,直接生成了钙钛矿晶体。
  • 一种钙钛矿介孔玻璃制备方法及其应用
  • [发明专利]一种显示面板及其制作方法-CN202010812662.4有效
  • 胡智萍;李冬泽 - 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司
  • 2020-08-13 - 2022-07-12 - H01L27/32
  • 本申请公开了一种显示面板及其制作方法,所述显示面板包括透明基板以及依次设置在所述透明基板上的彩色滤光片和量子点色转换结构;所述量子点色转换结构包括依次设置在所述彩色滤光片远离所述透明基板一侧的谐振腔定义层和量子点色转换层;其中,所述谐振腔定义层上形成有呈周期性分布的多个反射式谐振腔,所述量子点色转换层至少设置在部分所述反射式谐振腔中并与所述彩色滤光片接触。本申请中的反射式谐振腔可以窄化量子点色转换层中的量子点的发射光谱,从而有利于进一步提高显示面板的显示色域,从而进一步提高显示质量。
  • 一种显示面板及其制作方法
  • [发明专利]钙钛矿图案化薄膜及其制备方法与显示装置-CN201911188992.4有效
  • 胡智萍 - 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司
  • 2019-11-28 - 2021-01-01 - H01L51/54
  • 本申请公开了一种钙钛矿图案化薄膜及其制备方法与显示装置,所述方法包括:S1:将钙钛矿前驱体、聚合物单体、光引发剂以及交联剂混合,形成预聚混合胶体溶液;S2:在基底上形成挡墙;S3:将预聚混合胶体溶液涂布在形成有挡墙的基底上,形成预聚混合物膜层;S4:在光罩的遮挡下,使用紫外光照射所述预聚混合物膜层,形成部分聚合混合物膜层;S5:使用有机溶剂喷淋所述部分聚合混合物膜层,溶解去除未发生聚合的部分,形成聚合混合物膜层;S6:除去所述聚合混合物膜层中的第一有机溶剂,即形成所述钙钛矿图案化薄膜。使用该方法可有效提高钙钛矿材料的稳定性,同时实现了钙钛矿材料的图案化。
  • 钙钛矿图案薄膜及其制备方法显示装置
  • [发明专利]一种显示面板及其制备方法-CN201911258535.8在审
  • 胡智萍 - 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司
  • 2019-12-10 - 2020-04-17 - G09F9/33
  • 本申请公开了一种显示面板及其制备方法。该显示面板包括:基板;蓝光LED,阵列排布设于所述基板上,相邻的两个蓝光LED之间具有间隙;钝化层,设于所述基板上且填充于所述蓝光LED的间隙中;第一黑色光阻,设于所述钝化层上;光转换层,与所述第一黑色光阻同层设置;所述光转换层中具有若干量子点光阻单元,每一量子点光阻单元对应地设于一蓝光LED上;以及散射粒子层,与所述光转换层同层设置,所述散射粒子层具有若干散射粒子单元,对应地设于一蓝光LED上。
  • 一种显示面板及其制备方法
  • [发明专利]显示装置及显示装置的制作方法-CN201911077987.6在审
  • 胡智萍 - 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司
  • 2019-11-06 - 2020-04-10 - G09F9/33
  • 本揭示提供一种显示装置及显示装置的制作方法,所述显示装置包括:阵列基板和微发光二极管器件,所述微发光二极管器件阵列排布于所述阵列基板上,所述微发光二极管器件远离所述阵列基板一侧的表面设有多个向所述微发光二极管器件内部凹陷的微腔结构,通过设置于微发光二极管器件上的量子点膜层填充进微腔结构,将量子点分散到微发光二极管器件表面上的各个微腔结构中,防止量子点的聚集,同时又将量子点限制在微发光二极管器件内部,包含有量子点的多个微腔结构可以增强微发光二极管器件与量子点之间的能量转移效应,减少光致发光过程中产生的光损失,提高光的利用率。
  • 显示装置制作方法
  • [发明专利]一种CsPbBrxI3‑x纳米棒的制备方法-CN201610043837.3有效
  • 唐孝生;臧志刚;胡智萍;邵海兵 - 重庆大学
  • 2016-01-22 - 2017-08-25 - C01G21/16
  • 本发明公开了一种CsPbBrxI3‑x纳米棒的制备方法,包括制备Cs2CO3‑十八烯混合物,然后向该混合物中加入过量油酸,氮气氛围下120℃加热至Cs2CO3与油酸反应完全,获得油酸铯溶液;取PbI2和PbBr2加入十八烯中,氮气氛围下加热至120℃,再加入少量的油胺和油酸并升温至135℃,加热至PbI2和PbBr2溶解后,加入油酸铯溶液反应10‑80min,将反应产物冰浴,离心,甲苯提纯,即得CsPbBrxI3‑x纳米棒;其中,铯和铅的摩尔比为11.8,碘和溴摩尔比为21。本发明与现有技术相比,简化了反应步骤,缩短了反应时间,降低了反应所需温度,而且可以通过反应时间的长短来调整CsPbBrxI3‑x纳米棒的带隙和荧光发射。
  • 一种cspbbrsub纳米制备方法
  • [发明专利]一种CsPb2Br5纳米片及其制备方法-CN201610370013.7在审
  • 唐孝生;胡智萍;邵海兵;臧志刚 - 重庆大学
  • 2016-05-30 - 2016-11-02 - C01G21/00
  • 本发明公开了一种CsPb2Br5纳米片的制备方法,包括以下步骤:向含Cs2CO3的十八稀溶液中加入过量油酸,氮气保护下加热至Cs2CO3完全反应,获得油酸铯前驱液;将PbBr2加入十八稀溶液中,氮气保护下加热至溶液中含氧量为0,再次升温后加入油胺和油酸至PbBr2完全溶解,注入油酸铯前驱液,氮气条件下加热60~120min,最后降低反应液温度至反应完全停止;用有机溶液进行离心提纯并存储于有机溶液中。制备的CsPb2Br5纳米片晶相均一,具有很好的晶体结构,尺寸均匀,产率较高,荧光效率高且结构稳定,可以在工业生产中进行推广,在太阳能电池、发光二极管(QLED)、微激光方面有着潜在的应用价值。
  • 一种cspbsubbr纳米及其制备方法

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