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[发明专利]设计最优二次电子发射系数矩形槽阵列结构尺寸的方法-CN202310613273.2在审
发明人：白春江;田露;何鋆;崔万照;辜文婷;苗光辉;胡天存 -专利权人：北京信息科技大学;西安空间无线电技术研究所
申请日： 2023-05-26 - 公布日： 2023-10-03 - 主分类号： G06F30/20 文献下载
摘要：本发明公开了设计最优二次电子发射系数矩形槽阵列结构尺寸的方法，包括以下步骤：S1、建立表征规则阵列矩形槽结构的尺寸及变化范围；S2、根据规则阵列矩形槽结构的尺寸计算并获取最大二次电子发射系数以及二次电子发射系数曲线；S3、基于工作频率以及规则阵列矩形槽结构的尺寸计算表面阻抗；S4、将规则阵列矩形槽结构的尺寸看做种群中的个体，计算每个微粒的适应度值，获取最优矩形槽阵列结构尺寸组合。所述方法能同时兼顾降低二次电子发射系数和表面阻抗，可用于降低金属表面二次电子发射系数，为空间大功率微波部件微放电的抑制提供支撑。
设计最优二次电子发射系数矩形阵列结构尺寸方法

[发明专利]一种低二次电子发射系数的膜层及其制备方法-CN202110697294.8有效
发明人：何鋆;白春江;苗光辉;胡天存;张恒;黄浩;陈国宇 -专利权人：西安空间无线电技术研究所
申请日： 2021-06-23 - 公布日： 2023-07-28 - 主分类号： C23C14/24 文献下载
摘要：本发明通过真空蒸镀技术，在基底材料表面制备富勒烯功能薄膜，实现了一种低二次电子发射系数的膜层，通过精确控制富勒烯薄膜的制备条件，大幅降低了材料表面二次电子发射系数。本发明提出的方法成本低，与部件制造工艺兼容，适用于大面积制备，在降低二次电子发射系数的同时确保了部件电性能的一致性，在抑制二次电子倍增效应领域具有广泛的应用前景。
一种二次电子发射系数及其制备方法

[发明专利]基于等离子体氟化抑制微波部件材料二次电子发射的方法-CN202210869639.8在审
发明人：陈泽煜;杨兆伦;崔万照;王瑞;王新波;胡天存;张娜;杨晶 -专利权人：西安空间无线电技术研究所
申请日： 2022-07-22 - 公布日： 2022-11-01 - 主分类号： C23C8/36 文献下载
摘要：本发明提供了一种基于等离子体氟化抑制微波部件材料二次电子发射的方法，采用惰性气体掺杂六氟化硫放电产生的等离子体射流处理微波部件材料表面，通过在材料表面沉积含氟官能团的方式实现对材料表面的氟化处理，利用强电负性的氟元素表面沉积实现对微波部件材料二次电子发射过程的抑制。该方法所需设备简单、造价低廉、工艺流程简便、处理时间短，通过沉积含氟官能团实现氟化的方式不会显著改变材料本体介电特性，所利用的冷等离子体适用于不耐高温的聚合物介质材料，等离子体吹拂的处理方式适用于具有复杂形貌的微波部件。本技术方案在抑制微波部件微放电、提升微波部件可靠性领域具有广阔的应用前景。
基于等离子体氟化抑制微波部件材料二次电子发射方法

[发明专利]一种纳米二硫化钼基薄膜及其制备方法-CN202111027653.5有效
发明人：胡忠强;赵亚楠;吴金根;彭淑婷;刘明;胡天存;王新波;张毅;崔万照 -专利权人：西安交通大学;西安空间无线电技术研究所
申请日： 2021-09-02 - 公布日： 2022-10-25 - 主分类号： B05D5/12 文献下载
摘要：一种纳米二硫化钼基薄膜及其制备方法，包括基片和抑制层，抑制层设置在基片上；抑制层的层数大于等于1。抑制层为二硫化钼，基片为硅基片。包括以下步骤：步骤1：将钼源和硫源溶解在装有有机溶剂和去离子水的聚四氟乙烯反应釜中密封；步骤2：将反应釜置于电热烘箱中高温反应，并收集；步骤3：进行真空冷冻干燥工艺，冻干完毕后，得到高分散性纳米二硫化钼粉体；步骤4：沉积在清洗后的基底上，得到二硫化钼/基底复合异质样品。本发明操作简单，成本低廉，条件温和、产生污染小，且借助超声分散所制得的纳米二硫化钼无团聚现象、附着性强。
一种纳米二硫化钼薄膜及其制备方法

[发明专利]一种宽带抗磨损的圆波导旋转关节及设计方法-CN202010621279.0有效
发明人：陈翔;李军;孙冬全;崔万照;李小军;刘翡;胡天存 -专利权人：西安空间无线电技术研究所
申请日： 2020-06-30 - 公布日： 2022-03-04 - 主分类号： H01P1/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种宽带抗磨损的圆波导旋转关节及设计方法，该圆波导旋转关节包括：第一圆波导、圆柱面金属凸体阵列、滚珠、轴承、第二圆波导、屏蔽腔和轴承固定腔；第一圆波导末端设置有金属凸体阵列，金属凸体阵列中每个金属凸体上内嵌一个滚珠；第二圆波导末端依次设置有屏蔽腔和轴承固定腔；第一圆波导的末端插入屏蔽腔内，第一圆波导与第二圆波导的波导端口面不接触；滚珠与屏蔽腔以间隙配合形式相接触，配合轴承构成圆波导旋转关节。本发明中，旋转部位通过构建滚珠支撑结构的宽带电磁带隙结构，在保证旋转关节宽带特性的同时具有一定的抗磨损性能，且提高了功率容量和力学结构可靠性，可广泛应用于各种通信、雷达及天线馈电系统中。
一种宽带磨损波导旋转关节设计方法

[发明专利]一种宽带非接触式圆波导旋转关节及设计方法-CN202010623123.6有效
发明人：陈翔;孙冬全;李军;李小军;崔万照;胡天存;黄微 -专利权人：西安空间无线电技术研究所
申请日： 2020-06-30 - 公布日： 2022-03-04 - 主分类号： H01P1/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种宽带非接触式圆波导旋转关节及设计方法，该宽带非接触式圆波导旋转关节包括：第一圆波导、圆柱面金属凸体阵列、轴承、第二圆波导、屏蔽腔和轴承固定腔；第一圆波导末端设置有金属凸体阵列；第二圆波导末端依次设置有屏蔽腔和轴承固定腔；第一圆波导的末端插入屏蔽腔内，第一圆波导与第二圆波导的波导端口面不接触；金属凸体阵列与屏蔽腔共同构成非接触电磁带隙结构，实现宽带电磁屏蔽，配合轴承构成宽带非接触式圆波导旋转关节。本发明在旋转部位通过构建可旋转的宽带非接触电磁带隙结构，保证了旋转关节的宽带特性，且非接触结构避免了磨损，使得旋转更加平稳，寿命更长，可广泛应用于各种通信、雷达及天线馈电系统中。
一种宽带接触波导旋转关节设计方法

[发明专利]一种多粒子多碰撞微放电阈值蒙特卡罗计算方法-CN202110962547.X在审
发明人：张娜;王瑞;崔万照;胡天存 -专利权人：西安空间无线电技术研究所
申请日： 2021-08-20 - 公布日： 2021-12-14 - 主分类号： G06F30/25 文献下载
摘要：一种多粒子多碰撞微放电阈值蒙特卡罗计算方法，属于空间微波技术领域。本发明提出了一种高效准确的计算星载微波部件微放电阈值的蒙特卡罗方法，该方法对多个初始电子的出射能量、角度及相位进行随机化处理，按照碰撞电子产生的实际二次电子个数及对应能量参与碰撞时刻后的微放电过程，该多粒子‑多碰撞过程更加客观、准确地表征了微放电效应发生的物理过程。计算结果表明，以商用粒子模拟软件结果为参考，所提出的方法相对于已有的蒙特卡罗方法计算精度显著提升，同时比粒子模拟方法的计算效率显著提升。
一种粒子碰撞放电阈值蒙特卡罗计算方法

[发明专利]一种含有嵌套的微陷阱结构的薄膜及其制备方法-CN202111028756.3在审
发明人：胡忠强;赵亚楠;朱媛媛;刘明;何鋆;胡天存;张毅;崔万照 -专利权人：西安交通大学;西安空间无线电技术研究所
申请日： 2021-09-02 - 公布日： 2021-12-03 - 主分类号： C23C14/06 文献下载
摘要：一种含有嵌套的微陷阱结构的薄膜及其制备方法，包括下层材料薄膜、上层材料薄膜和基底；下层材料薄膜设置在基底上，上层材料薄膜设置在下层材料薄膜上；下层材料薄膜原子间隙小于上层材料薄膜的原子间隙，下层材料薄膜的原子间隙嵌套进上层材料薄膜的原子间隙，形成嵌套的微陷阱结构。本发明利用磁控溅射技术生长具有嵌套的微陷阱结构的薄膜，通过控制溅射功率进而形成上下两层密度不同的薄膜，下层薄膜溅射功率小，材料密度大，原子间距小，原子间存在小空隙；而上层薄膜溅射功率大，材料密度小，原子间距较大，原子之间存在大空隙，上下两层的大小空隙组成嵌套的微陷阱结构。
一种含有嵌套陷阱结构薄膜及其制备方法

[发明专利]一种铝/银掺杂碳基纳米薄膜及其制备方法-CN202111028755.9在审
发明人：胡忠强;崔万照;赵亚楠;朱淑凯;刘明;胡天存;李小军;杨晶 -专利权人：西安交通大学;西安空间无线电技术研究所
申请日： 2021-09-02 - 公布日： 2021-11-30 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：一种铝/银掺杂碳基纳米薄膜及其制备方法，包括基片和碳基纳米薄膜；碳基纳米薄膜设置在基片上，基片为铝合金基片。包括以下步骤：步骤1：安装靶位；步骤2：关闭腔室盖子，调试磁控设备抽真空并设置好溅射的工艺参数；步骤3：设备的真空度达到生长的要求之后开始在铝合金基片进行碳和铝的共溅射的生长；步骤4：打开真空腔室盖板，将溅射生长结束的样品取出，得到铝掺杂碳基纳米薄膜。本发明铝掺杂碳制备碳基纳米薄膜，其通过晶粒位错滑移应变释放出sp3键的内应力，从而使得部分sp3杂化键向sp2杂化键转化，提高表面涂层的导电性降低微波传输中的损耗；由碳掺杂改性的机理分析，通过铝掺杂影响费米能级的位置进而可以有效降低二次电子发射系数。
一种掺杂纳米薄膜及其制备方法

[发明专利]一种原子层数可控的二硫化钼薄膜及其制备方法-CN202111028757.8在审
发明人：胡忠强;赵亚楠;朱媛媛;刘明;胡天存;王新波;张毅;崔万照 -专利权人：西安交通大学;西安空间无线电技术研究所
申请日： 2021-09-02 - 公布日： 2021-11-30 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：一种原子层数可控的二硫化钼薄膜及其制备方法，包括基片和抑制二次电子发射层；抑制二次电子发射层设置在基片上；抑制二次电子发射层包括若干层单原子二硫化钼层，若干层单原子二硫化钼层叠加设置。利用磁控溅射技术生长厚度可控的二硫化钼薄膜，首次实现了使用磁控溅射技术生长单层及多层的层数可通过溅射时间控制的二硫化钼薄膜，二硫化钼薄膜相对于同样是二维材料的石墨烯，通过层数调节的费米能级，且对于石墨烯的零带隙，二硫化钼薄膜具有带隙，其中二硫化钼具有直接带隙，介于二硫化钼的优点，以及其本身较低的二次电子发射系数，首次将磁控溅射制备的二硫化钼薄膜应用于对二次电子发射的抑制中，有效的降低了器件的二次电子发射系数。
一种原子层数可控二硫化钼薄膜及其制备方法

[发明专利]一种快速确定矩形波导法兰3阶无源互调产物电平的方法-CN201811369311.X有效
发明人：李东;何鋆;王琪;封国宝;胡天存 -专利权人：北京理工大学;西安空间无线电技术研究所
申请日： 2018-11-16 - 公布日： 2020-10-23 - 主分类号： G06F30/20 文献下载
摘要：本发明公开的一种快速确定矩形波导法兰3阶无源互调产物电平的方法，属于微波部件无源互调领域。本发明实现方法为：步骤1：将矩形波导法兰接触面等效为金属‑绝缘层‑金属结构，确定矩形波导法兰接触面两侧的电势差；步骤2：利用矩形波导尺寸、法兰接触面积以及接触面两侧的电势差确定矩形波导法兰接触面产生的3阶非线性电流；步骤3：利用载波频率、矩形波导尺寸以及3阶非线性电流，确定矩形波导法兰3阶无源互调产物的电平。本发明在无需提前获取无源互调低阶产物和表面形貌参数测量值的情况下，通过简单计算获得矩形波导法兰的3阶无源互调产物电平，因而能够大幅提高矩形波导法兰无源互调问题的解决效率，降低成本。
一种快速确定矩形波导法兰无源产物电平方法

[发明专利]一种采用电桥结合滤波器实现宽带无源互调测量的装置及方法-CN201710256836.1有效
发明人：陈翔;崔万照;王瑞;王新波;李韵;胡天存 -专利权人：西安空间无线电技术研究所
申请日： 2017-04-19 - 公布日： 2020-09-18 - 主分类号： H04B17/00 文献下载
摘要：一种采用电桥结合滤波器实现宽带无源互调测量的装置及方法，载波信号通过待测件后产生无源互调信号，通过电桥和滤波器的组合实现载波信号和无源互调信号的分离，载波信号被载波吸收负载吸收，无源互调信号通过低噪声放大器后由频谱仪进行检测，本发明采用90°相位3dB电桥与低通滤波器相结合，利用电桥的宽带特性，实现宽带范围的无源互调信号接收，同时通过低通滤波器实现载波信号和互调信号的分离，通过90°相位3dB电桥和低通滤波器的灵活组合，同时实现了宽带和高隔离度性能，有效避免了传统方法中实现宽带无源互调测量时存在的高隔离和宽带宽的矛盾，降低了设计实现难度，可以实现宽带范围内的高灵敏度无源互调产物测试。
一种采用电桥结合滤波器实现宽带无源测量装置方法

[发明专利]用于抑制二次电子发射的嵌套式微陷阱结构及制备方法-CN201811368387.0有效
发明人：李东;封国宝;王琪;何鋆;胡天存 -专利权人：北京理工大学;西安空间无线电技术研究所
申请日： 2018-11-16 - 公布日： 2020-06-16 - 主分类号： C23C14/16 文献下载
摘要：本发明公开的用于抑制二次电子发射的嵌套式微陷阱结构及制备方法，涉及物理电子学相关领域。本发明公开的用于抑制二次电子发射的嵌套式微陷阱结构为双重嵌套式孔结构，在一级大孔内包含了若干二级小孔结构，所述一级大孔作为初级陷阱，若干二级小孔结构作为嵌套陷阱；整体二维嵌套式陷阱结构在基底材料上构型，所述的构型为双重嵌套式孔结构，并对所述双重嵌套式孔结构进行金属溅射并形成纳米级膜。本发明还公开所述嵌套式微陷阱结构的制备方法，本发明能够有效抑制陷阱结构内的二次电子出射和再发射所产生的多级倍增效应，从而达到提高材料表面总二次电子发射抑制效果，并提供所述嵌套式微陷阱结构的制备方法。
用于抑制二次电子发射嵌套式微陷阱结构制备方法

[发明专利]一种大口径网状天线无源互调功率密度的半物理确定方法和系统-CN201710865464.2有效
发明人：白鹤;崔万照;李军;李韵;胡天存;王新波 -专利权人：西安空间无线电技术研究所
申请日： 2017-09-22 - 公布日： 2019-10-22 - 主分类号： G01R29/10 文献下载
摘要：一种大口径网状天线无源互调功率密度的半物理确定方法和系统，实现幅度相等双载波入射大口径网状天线无源互调分析评价。首先将大口径网状天线在载波中心频率处进行频域电磁场仿真，获得网状天线的表面功率密度分布，结合大口径网状天线与馈源的相对位置，载波入射方向与网状反射面法向的夹角区间。其次依据仿真结果进行金属网样本无源互调实验测量矩阵构建，利用金属网样本无源互调测量系统，实现测量矩阵对应金属网样本无源互调的测量。根据测量结果拟合出金属网无源互调与网状天线表面功率密度之间的函数关系。将大口径网状天线按功率密度划分为不同的区域，带入拟合函数，即可获得馈源端口处网状天线无源互调的功率密度。从而实现大口径网状天线无源互调功率密度的确定。
一种口径网状天线无源功率密度物理确定方法系统

[发明专利]一种降低圆波导双工器无源互调装置及方法-CN201811369293.5有效
发明人：张洪太;王琪;封国宝;何鋆;胡天存 -专利权人：北京理工大学;西安空间无线电技术研究所
申请日： 2018-11-16 - 公布日： 2019-10-18 - 主分类号： H01P1/208 文献下载
摘要：本发明公开的一种降低圆波导双工器无源互调装置及方法，涉及微波无线通信领域。本发明公开的一种降低圆波导双工器无源互调装置及方法，利用介质法兰实现金属‑空气‑金属的接触，利用介质片实现金属‑非导电介质‑金属的接触，实现抑制微波部件无源互调。本发明装置包括非导电介质法兰、固定非导电介质法兰所需的金属螺钉、非导电介质片、非导电介质套、非导电介质螺钉。本发明具有结构简单、重量轻、设计成本率高、设计周期短的优点。本发明能够广泛应用于航空航天领域及地面通信领域。
非导电介质无源互调双工器圆波导金属法兰航空航天领域微波无线通信地面通信金属螺钉设计周期微波部件螺钉成本率介质法介质片重量轻应用

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