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[发明专利]图形化方法及其形成的半导体器件-CN201910172884.1有效
发明人：施维;胡友存;汤霞梅;熊鹏 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
申请日： 2019-03-07 - 公布日： 2023-08-18 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：一种图形化方法及其形成的半导体器件，包括：提供待刻蚀层，待刻蚀层包括若干分立的第一区和第二区，第一区和第二区沿第一方向相间排布，相邻的第一区和第二区邻接；在待刻蚀层上形成第一掩膜层；在第一区的第一掩膜层中形成若干沿第二方向分布的第一槽，第二方向与第一方向垂直，且相邻第一槽之间具有第一分割掺杂掩膜层，第一分割掺杂掩膜层内具有掺杂离子；在第一槽侧壁形成第一侧墙；在第二区的第一掩膜层中形成若干沿第二方向分布的第二槽，且相邻第二槽之间具有第二分割掺杂掩膜层，第二分割掺杂掩膜层内具有掺杂离子；在第二槽侧壁形成第二侧墙；之后，刻蚀去除第一区和第二区的第一掩膜层。所述图形化方法的应用范围广，可调节度高。
图形方法及其形成半导体器件

[发明专利]图形化方法及其形成的半导体器件-CN201910172885.6有效
发明人：施维;胡友存;汤霞梅 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
申请日： 2019-03-07 - 公布日： 2023-07-18 - 主分类号： H01L21/308 文献下载
摘要：一种图形化方法及其形成的半导体器件，包括：提供待刻蚀层；在待刻蚀层上形成第一初始掩膜层；在第二区的部分第一初始掩膜层中掺杂离子，形成第二分割掺杂掩膜层，且使得沿第二方向分别位于第二分割掺杂掩膜层两侧的第二区的第一初始掩膜层形成为第二牺牲掩膜层，第二方向垂直于第一方向；在第一区的部分第一初始掩膜层中掺杂离子，形成第一分割掺杂掩膜层，且使得沿第二方向分别位于第一分割掺杂掩膜层两侧的第一区的第一初始掩膜层形成为第一牺牲掩膜层；去除第一区的第一牺牲掩膜层，在第一初始掩膜层第一区内形成若干分立的第一槽；形成第一分割掺杂掩膜层后，刻蚀去除第二牺牲掩膜层。所述图形化方法的可靠性得到提高。
图形方法及其形成半导体器件

[发明专利]半导体结构及其形成方法-CN201911072603.1有效
发明人：王伟;苏波;胡友存 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2019-11-05 - 公布日： 2023-07-04 - 主分类号： H01L21/033 文献下载
摘要：一种半导体结构及其形成方法，形成方法包括：提供基底，基底上形成有掩膜材料层，掩膜材料层内形成有多个间隔设置的第一沟槽，第一沟槽的延伸方向为第一方向，多个第一沟槽沿第二方向平行排列，第二方向垂直于第一方向；形成第一侧墙层和阻挡层，第一侧墙层位于第一沟槽侧壁，阻挡层位于至少一个第一沟槽中，阻挡层在第一方向上分割第一沟槽，第一侧墙层暴露出阻挡层在第一方向两侧的侧壁；在第一侧墙层露出的阻挡层侧壁形成第二侧墙层；以第一侧墙层、第二侧墙层和阻挡层为掩膜，刻蚀相邻第一沟槽之间的掩膜材料层，形成第二沟槽，第二沟槽和第一沟槽之间被第一侧墙层隔离。本发明提高通过第二侧墙层保护阻挡层，从而提高图形传递的精度。
半导体结构及其形成方法

[发明专利]半导体器件及其形成方法-CN201910156235.2有效
发明人：窦涛;汤霞梅;胡友存 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
申请日： 2019-03-01 - 公布日： 2023-06-16 - 主分类号： H01L21/033 文献下载
摘要：一种半导体器件及其形成方法，其中，半导体器件的形成方法包括：提供待刻蚀层，所述待刻蚀层沿第一方向包括若干个相互分立的第一区，所述第一区的待刻蚀层表面具有掩膜层；在各个所述第一区的掩膜层内形成第一开口，所述第一开口在基底表面具有第一投影；在所述第一开口的侧壁形成侧墙；形成所述侧墙之后，在所述第一开口内和掩膜层表面形成图形化结构，所述图形化结构内具有第一光刻开口，所述第一光刻开口在基底表面具有第二投影，所述第二投影与第一投影部分重叠；以所述图形化结构为掩膜，刻蚀第一光刻开口底部的掩膜层，在所述掩膜层内形成第二开口。所形成的半导体器件的性能较好。
半导体器件及其形成方法

[发明专利]半导体结构及其形成方法-CN201910155619.2有效
发明人：窦涛;胡友存;汤霞梅 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
申请日： 2019-03-01 - 公布日： 2023-05-26 - 主分类号： H01L21/033 文献下载
摘要：一种半导体结构及其形成方法，其中方法包括：提供基底，所述基底表面具有待刻蚀材料层和位于待刻蚀材料层表面的若干相互分立的第一牺牲层，相邻第一牺牲层之间具有第一开口；对部分第一牺牲层注入第一掺杂离子，形成第一分割段；在所述第一开口的底部表面和侧壁表面形成掩膜材料层，且所述掩膜材料层覆盖所述第一牺牲层和第一分割段的顶部表面和侧壁表面；在所述第一开口内的掩膜材料层表面形成第二牺牲层，且所述第二牺牲层顶部表面齐平于掩膜材料层的顶部表面；对部分第二牺牲层注入第二掺杂离子，形成第二分割段。所述方法形成的半导体结构的性能较好。
半导体结构及其形成方法

[发明专利]半导体器件及其形成方法-CN201910155832.3有效
发明人：施维;胡友存 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
申请日： 2019-03-01 - 公布日： 2023-05-26 - 主分类号： H01L21/311 文献下载
摘要：一种半导体器件及其形成方法，方法包括：在第一区和第二区的第一掩膜层上形成硬掩膜材料层；刻蚀部分硬掩膜材料层，使硬掩膜材料层形成硬掩膜层，硬掩膜层位于第一区的第一掩膜层上，硬掩膜层在第一掩膜层表面的投影图形在第二方向分割第一区的第一掩膜层，且硬掩膜层还沿第一方向延伸至第二区上，第二方向垂直于第一方向；以所述硬掩膜层为掩膜，刻蚀去除硬掩膜层两侧第一区的部分第一掩膜层，在第一区的第一掩膜层中形成第一槽，且使位于硬掩膜层底部的第一区第一掩膜层形成分割掩膜层，所述分割掩膜层在第二方向上分割所述第一槽。所述半导体器件的性能得到提高。
半导体器件及其形成方法

[发明专利]图形化方法及其形成的半导体器件-CN201910492728.3有效
发明人：施维;胡友存;汤霞梅;熊鹏 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
申请日： 2019-06-06 - 公布日： 2023-05-26 - 主分类号： H01L21/308 文献下载
摘要：一种图形化方法及其形成的半导体器件，方法包括：在第一区上形成第一槽和位于第一槽内的第一牺牲层，在第二区和周围区上形成初始第二牺牲层，且第一槽位于第一牺牲层沿第二方向的两侧；在第一牺牲层侧壁表面和初始第二牺牲层侧壁表面、以及硬掩膜层侧壁表面形成第一侧墙；形成第一侧墙之后，去除第一牺牲层，在第一槽内形成开口，开口暴露出初始第二牺牲层侧壁表面和第一侧墙侧壁表面；在开口侧壁表面形成第二侧墙，第二侧墙覆盖第一侧墙侧壁表面和第二牺牲层侧壁表面，且第二侧墙的材料和硬掩膜层的材料不同；去除第二牺牲层，在待刻蚀层的第二区表面形成第二槽，且第二槽位于分割段沿第二方向的两侧。所述图形化方法的可靠性较高。
图形方法及其形成半导体器件

[发明专利]图形化方法及其形成的半导体器件-CN201910172860.6有效
发明人：施维;胡友存;汤霞梅 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
申请日： 2019-03-07 - 公布日： 2023-04-28 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：一种图形化方法及其形成的半导体器件，方法包括：提供待刻蚀层，待刻蚀层包括若干分立沿第一方向排布的第一区，相邻第一区之间具有第二区，相邻第一区和第二区之间具有第三区；在待刻蚀层上形成第一掩膜层；在第一掩膜层表面形成第二掩膜层；去除第一区的第二掩膜层；去除第三区的第二掩膜层和第一掩膜层，在第一掩膜层内形成第一凹槽；在第一凹槽内形成隔离层；去除第二区的第二掩膜层；在第一区的第一掩膜层上形成沿第二方向贯穿第一区第一分割掩膜层，第二方向垂直于第一方向；在第二区的第一掩膜层上形成沿第二方向贯穿第二区的第二分割掩膜层；以第一分割掩膜层和第二分割掩膜层为掩膜，刻蚀第一掩膜层。所述图形化方法的可靠性得到提高。
图形方法及其形成半导体器件

[发明专利]半导体器件及其形成方法-CN201910156243.7有效
发明人：施维;胡友存 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
申请日： 2019-03-01 - 公布日： 2023-04-25 - 主分类号： H01L21/033 文献下载
摘要：一种半导体器件及其形成方法，方法包括：提供待刻蚀层，待刻蚀层包括若干分立的第一区和若干分立的第二区，第一区和第二区沿第一方向相间排布，相邻的第一区和第二区邻接；在待刻蚀层的第一区和第二区上形成第一掩膜层；在第一区的第一掩膜层上形成顶层掩膜层，顶层掩膜层在第一掩膜层表面的投影图形在第二方向分割第一区的第一掩膜层，且顶层掩膜层还沿第一方向延伸至第二区上，第二方向垂直于第一方向；以所述顶层掩膜层为掩膜，刻蚀去除顶层掩膜层两侧第一区的部分第一掩膜层，在第一区的第一掩膜层中形成第一槽，且使位于顶层掩膜层底部的第一区第一掩膜层形成分割掩膜层。所述半导体器件的性能得到提高。
半导体器件及其形成方法

[发明专利]半导体器件及其形成方法-CN201910156244.1有效
发明人：施维;胡友存 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
申请日： 2019-03-01 - 公布日： 2023-04-25 - 主分类号： H01L21/033 文献下载
摘要：一种半导体器件及其形成方法，方法包括：在所述待刻蚀层的第一区和第二区上形成第一掩膜层；在第二槽区之外的第一掩膜层中注入掺杂离子；在第二区的第一掩膜层中形成分割掺杂层，所述分割掺杂层在第二方向上分割第二槽区的第一掩膜层，第二方向垂直于第一方向；在第二槽区之外的第一掩膜层中注入掺杂离子之后，且形成分割掺杂层之后，在第一区的第一掩膜层中形成第一槽；形成第一槽后，刻蚀去除分割掺杂层两侧第二槽区的第一掩膜层，在第二区的第一掩膜层中形成第二槽。所述半导体器件的性能得到提高。
半导体器件及其形成方法

[发明专利]半导体器件及其形成方法-CN201910155808.X有效
发明人：金吉松;肖芳元;胡友存 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
申请日： 2019-03-01 - 公布日： 2023-04-25 - 主分类号： H01L21/311 文献下载
摘要：一种半导体器件及其形成方法，方法包括：在第一区的第二掩膜层中形成第一槽；之后，在第二掩膜层上和第一槽部分区域上形成第一光刻掩膜层，第一光刻掩膜层中具有位于第一槽部分区域上的第一光刻开口，第一光刻开口还在第一方向延伸至第二区上；以第一光刻掩膜层和第二掩膜层为掩膜，在第一区的部分第一掩膜层中注入掺杂离子，在第一区的部分第一掩膜层中形成分割掺杂层，分割掺杂层在第二方向上分割第一槽底部的第一掩膜层；之后，去除第一光刻掩膜层；之后，刻蚀第一槽底部的第一掩膜层，在第一区的第一掩膜层中形成第一中间槽，所述分割掺杂层在第二方向上分割第一中间槽，第二方向与第一方向垂直。所述方法降低了工艺难度。
半导体器件及其形成方法

[发明专利]半导体结构及其形成方法-CN201811395542.8有效
发明人：胡连峰;胡友存;杨明;卑多慧;倪百兵 -专利权人：中芯国际集成电路制造（北京）有限公司;中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2018-11-22 - 公布日： 2023-02-17 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：一种半导体结构及其形成方法，形成方法包括：提供基底；在所述基底上形成第一电极层；在所述第一电极层的顶部和侧壁形成电容介质层；形成保形覆盖所述电容介质层的第二电极层。与电容介质层仅覆盖第一电极层顶部的方案相比，本发明增加了第二电极层和第一电极层之间的有效面积，所述第二电极层、第一电极层、以及位于第一电极层顶部的电容介质层构成一个电容，所述第二电极层、第一电极层、以及位于第一电极层侧壁的电容介质层构成另外四个电容，即所形成的电容结构中包含五个并联电容，在同等基底面积等其他条件相同的情况下，增大了电容结构的电容密度。
半导体结构及其形成方法

[实用新型]一种用于钕铁硼永磁材料运输的升降机构-CN202122600284.6有效
发明人：唐永利;卢其云;周庆;卢文宇;苏霖;李海建;王二豪;黎文勤;胡友存 -专利权人：惠州市福益乐永磁科技有限公司;广东省科学院资源利用与稀土开发研究所
申请日： 2021-10-28 - 公布日： 2022-06-24 - 主分类号： B66F7/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种用于钕铁硼永磁材料运输的升降机构，包括底座，底座上滑动连接有竖向设置的固定框架，固定框架连接有X轴移动机构；所述固定框架内侧滑动连接有Z轴移动机构，Z轴移动机构连接有Y轴移动机构；所述Y轴移动机构包括U形架，U形架上部两侧安装有若干导轮，导轮滑动连接有U形导槽，两个U形导槽通过二级放置板相连；二级放置板底部固定有Y轴齿条，Y轴齿条啮合有齿轮，齿轮连接有Y轴旋转电机；所述二级放置板固定连接有一级放置板。本实用新型的结构简单、布局合理、移动方便、易上手、操作简便、作业面大，范围广、平衡性能好。
一种用于钕铁硼永磁材料运输升降机构

[实用新型]一种磁通检测装置-CN202122534435.2有效
发明人：唐永利;卢其云;周庆;卢文宇;苏霖;李海建;王二豪;黎文勤;胡友存 -专利权人：惠州市福益乐永磁科技有限公司;广东省科学院资源利用与稀土开发研究所
申请日： 2021-10-20 - 公布日： 2022-04-29 - 主分类号： G01R33/12 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种磁通检测装置，包括亥姆霍兹线圈，用来切割磁场产生电流信号传输；主机，用来通过电流信号计算和显示磁通数值；控温装置，用来调控被测磁体的工况温度，所述亥姆霍兹线圈为典型的单轴一维亥姆霍兹线圈，所述控温装置为位于所述定位板中心位置的一个中空结构箱体，所述箱体上端面设有可在垂直方向滑动的盖板，所述盖板底部设有半导体制冷片，且所述盖板内部设置有温度传感器和控制仪。该种磁通检测装置，通过制冷片对产品进行快速制冷和加热转换，转换效率高，获得的产品磁通变化更接近实际工况的服役性能变化情况，整个测试过程中没有震动和噪音，不会产生回转效应，环保不需要任何制冷剂，且适合多种形状规格的产品。
一种检测装置

[实用新型]一种稀土永磁体油墨喷码的装置-CN202122535037.2有效
发明人：周庆;唐永利;卢文宇;胡友存;卢其云;苏霖;黎文勤;李海建;王二豪 -专利权人：惠州市福益乐永磁科技有限公司;广东省科学院资源利用与稀土开发研究所
申请日： 2021-10-21 - 公布日： 2022-04-29 - 主分类号： B41J3/407 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种稀土永磁体油墨喷码的装置，包括油墨喷码机和安装板，安装板顶面焊接有支柱，支柱一侧壁固接有固定夹块，固定夹块上安装有油墨喷码机，油墨喷码机底端设置有油墨喷头，油墨喷头底侧设置有轨式传送带本实用新型中，本装置通过伺服电机的转动带动轨式传送带移动，从而可带动产品移动进行喷码，定位挡板可对产品进行位置调控，当经过位置传感器时，传感器给油墨喷码机传递信号进行喷码，通过调控位置传感器的的形成间距，可以实现产品传动过程中的对磁性材料连续喷码，中间不需要任何停顿，此外，通过调节定位挡板的间距，可以实现多种规格产品的使用，具备工作效率高和人力成本低的优点。
一种稀土永磁体油墨装置

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