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[发明专利]单晶硅制造装置的加热部、硅熔体的对流模式控制方法、单晶硅的制造方法、硅晶片的制造方法、单晶硅制造装置以及硅熔体的对流模式控制系统-CN202180086672.7在审
发明人：横山龙介;杉村涉 -专利权人： 胜高股份有限公司
申请日： 2021-11-05 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： C30B15/14 文献下载
摘要：加热部(1)加热石英坩埚(4B)内的硅熔体(M)。该加热部(1)具有一体成型为圆筒状的发热部(11)和将电力供给到发热部(11)的4个电力供给部(12A～12D)。在以虚拟面(VS)将加热部(1)一分为二的情况下，将位于虚拟面(VS)的一侧的第1加热区域(1A)的发热量、与位于虚拟面(VS)的另一侧的第2加热区域(1B)的发热量设定为不同的值，所述虚拟面(VS)通过发热部(11)的中心轴线(CA)，垂直于发热部(11)，并且与施加到硅熔体(M)的水平磁场的中心的磁力线平行。
单晶硅制造装置加热硅熔体对流模式控制方法晶片以及控制系统

[发明专利]感应加热线圈及使用其的单晶制造装置-CN202011406603.3有效
发明人：铃木优作;杉田圭谦;佐川泰之;下村库一 -专利权人： 胜高股份有限公司
申请日： 2020-12-04 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： C30B13/20 文献下载
摘要：本发明提供能够防止以附着于上表面的微小的异物为原因产生的单晶的有位错化的感应加热线圈及使用其的单晶硅制造装置。本发明的感应加热线圈（20）用于基于悬浮区熔法的单晶的制造，具备感应加热线圈主体（21）、设置于感应加热线圈主体（21）的上表面的异物捕获夹具（30）。
感应加热线圈使用制造装置

[发明专利]具有最小厚度变化的平坦外延晶片-CN202310362284.8在审
发明人：和田直之 -专利权人： 胜高股份有限公司
申请日： 2023-04-06 - 公布日： 2023-10-17 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明涉及具有最小厚度变化的平坦外延晶片。一种外延晶片包括具有顶表面的硅衬底以及形成在所述顶表面上的外延层，其中，该外延层具有在0.3μm到1.0μm的范围内的厚度、以及1％或更小的厚度变化。一种制备这种外延晶片的方法包括：将硅衬底放置在外延反应器中的基座上；以旋转速率(D)旋转基座；以及在外延反应器中施加源气体以在硅衬底上以生长速率(A)生长具有期望厚度(B)的外延层；其中，源气体被施加历时满足C＝B/A的生长时间(C)，并且旋转速率(D)选自22到70rpm的范围，其允许基座基于关系式D＝E/C旋转精确整数圈数(E)。
具有最小厚度变化平坦外延晶片

[发明专利]晶圆收纳容器的清洗装置及晶圆收纳容器的清洗方法-CN202180094072.5在审
发明人：岩崎史利;若杉胜郎 -专利权人： 胜高股份有限公司
申请日： 2021-11-09 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： H01L21/304 文献下载
摘要：本发明提供一种晶圆收纳容器的清洗装置(1)，其具备：清洗槽(31)，可收容容纳具有容器主体(11)以及盖体(12)的晶圆收纳容器(2)的容纳夹具(3)；供液喷嘴(32A～32H)，将清洗液等供给到清洗槽(31)内；以及排液喷嘴(34)，将排液排出到清洗槽(31)外。容器主体(11)具有面对容器开口部(11B)的后壁(11A)。供液喷嘴(32A～32H)在将容器开口部(11B)朝向下方的容器主体(11)载置于容纳夹具(3)而收纳于清洗槽(31)的收纳状态下，将吐出清洗液等的各供液开口部(32AA～32HA)以面对后壁(11A)的内侧的方式设置，排液喷嘴(34)在所述收纳状态下以吸入排液的排出开口部(34A)面对后壁(11A)的内侧的中央的方式设置。
收纳容器清洗装置方法

[发明专利]加工条件设定装置、加工条件设定方法及晶圆的制造系统-CN202280016459.3在审
发明人：宫崎裕司 -专利权人： 胜高股份有限公司
申请日： 2022-01-28 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： H01L21/304 文献下载
摘要：加工条件设定装置(20)具备从多个参数集选择应用于晶圆加工装置(1)的参数集的控制部(22)。控制部(22)关于各参数集，基于加工对象晶圆的加工前特性和加工数据，推定假定成应用各参数集对加工对象晶圆进行加工时的加工后特性。控制部(22)关于各加工后特性算出两种以上的指标，取得与指标相关的限制条件。控制部(22)从参数集中的指标满足限制条件的适当参数集中选择在对加工对象晶圆进行加工时应用于晶圆加工装置(1)的参数集。
加工条件设定装置方法制造系统

[发明专利]贴合晶圆用支撑基板的制造方法及贴合晶圆用支撑基板-CN202180073159.4在审
发明人：野中直哉;稗田大辅;石崎宽章;谏见俊之;诸岩广大 -专利权人： 胜高股份有限公司
申请日： 2021-10-18 - 公布日： 2023-10-10 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明提供一种贴合晶圆用支撑基板的制造方法，所述贴合晶圆用支撑基板通过使活性层用基板与支撑基板隔着绝缘膜贴合而成，所述贴合晶圆用支撑基板的制造方法具有：支撑基板主体准备工序(S21)，准备由单晶硅晶圆组成的支撑基板主体；氧化膜形成工序(S22)，在支撑基板主体上形成氧化膜；多晶硅层堆积工序(S23)，使多晶硅层堆积在氧化膜上；保护氧化膜形成工序(S24)，在多晶硅层的表面上形成保护氧化膜；及研磨工序(S25)，研磨去除保护氧化膜，并且研磨多晶硅层。
贴合晶圆用支撑制造方法

[发明专利]硅晶片的翘曲量的预测方法及硅晶片的制备方法-CN201880090382.8有效
发明人：高奉均;高田康佑 -专利权人： 胜高股份有限公司
申请日： 2018-05-21 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：提出可考虑氧的影响而预测对硅晶片实施热处理时产生的翘曲量的方法和硅晶片的制备方法。预测在对硅晶片实施热处理时产生的翘曲量的方法，其特征在于，根据上述热处理中的硅晶片的应变的变化率和可动位错密度的变化率求得可动位错密度、应力和应变的时间演变，将其作为翘曲量，基于求得的应变的时间演变求得硅晶片的塑性变形量，设A、L0：常数，ΔOi：热处理开始时用于硅晶片中的氧析出物的氧的浓度，L：热处理开始时所述硅晶片中的氧析出物的平均尺寸，热处理开始时的可动位错密度Ni由[数学式1]给出。#imgabs0# (1)。
晶片翘曲量预测方法制备

[发明专利]外延硅晶片的制造方法及气相沉积装置-CN202010273276.2有效
发明人：辻雅之;清水昭彦;西村智和 -专利权人： 胜高股份有限公司
申请日： 2015-12-07 - 公布日： 2023-09-26 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明提供一种外延硅晶片的制造方法及气相沉积装置。所述气相沉积装置具备设置于排气管（8）内并调整反应室（2）的排气的排气调整部（9），排气调整部（9）具备：上游挡板（91），形成为反应室（2）侧的第1开口（91A）大于排气装置（7）侧的第2开口（91B）的锥台筒状；及下游挡板（92），设置于比上游挡板（91）更靠排气装置（7）侧，且形成为反应室（2）侧的第3开口（92A）大于排气装置（7）侧的第4开口（92B）的锥台筒状，上游挡板（91）及下游挡板（92）形成为如下：将排气管（8）的内径、第1开口（91A）的直径及第3开口（92A）的直径设为A、将第2开口（91B）的直径设为B、将第4开口（92B）的直径设为C时，满足B/A及C/A为0.33以下、B/A及C/A中的至少一个为0.26以下、（B+C）/A为0.59以下的条件。
外延晶片制造方法沉积装置

[发明专利]掺硼p型硅晶片的蚀刻方法、金属污染评价方法及制造方法-CN201880091625.X有效
发明人：加藤宏和;山下崇史 -专利权人： 胜高股份有限公司
申请日： 2018-12-12 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： H01L21/302 文献下载
摘要：一种掺硼p型硅晶片的蚀刻方法，包括：通过将含臭氧的气体及氢氟酸雾引入腔室内进行混合，来调制蚀刻气体；以及通过使电阻率为0.016Ωcm以下的掺硼p型硅晶片的表面与上述蚀刻气体接触，来将上述掺硼p型硅晶片的表层区域气相分解；且还包括：以3000sccm以上的流量将上述含臭氧的气体引入上述腔室内；以及通过雾化氟化氢浓度为41质量％以上的氢氟酸来调制上述氢氟酸雾。
掺硼晶片蚀刻方法金属污染评价制造

[发明专利]研磨头、研磨装置及半导体晶圆的制造方法-CN201980095096.5有效
发明人：中野裕生;寺川良也;木原誉之;太田广树 -专利权人： 胜高股份有限公司
申请日： 2019-12-27 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： B24B37/10 文献下载
摘要：本发明提供一种研磨头，具有第一环状部件、板状部件、膜、背垫、第二环状部件，前述第一环状部件具有开口部，前述板状部件封堵上述第一环状部件的上表面侧开口部，前述膜封堵上述第一环状部件的下表面侧开口部，前述背垫贴合于上述膜的下表面，前述第二环状部件位于上述背垫的下方，具有保持研磨对象的工件的开口部，上述第一环状部件的开口部被上述板状部件和上述膜封堵而形成的空间部具有中央区域和借助间隔件与该中央区域间隔的外周区域，并且，上述第二环状部件的内周端部区域位于上述外周区域的外周端的铅垂下方。本发明提供包括该研磨头的研磨装置。本发明提供使用该研磨装置的半导体晶圆的制造方法。
研磨装置半导体制造方法

[发明专利]半导体外延晶片的制造方法以及半导体器件的制造方法-CN201980015684.3有效
发明人：奥山亮辅 -专利权人： 胜高股份有限公司
申请日： 2019-01-08 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： H01L21/20 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体外延晶片的制造方法，其即使在被供于低温的器件形成工艺中的情况下，也能够制造在外延层中可充分获得氢的钝化效果的半导体外延晶片。本发明的半导体外延晶片(100)的制造方法的特征在于，包括：第1工序，对半导体晶片(10)的表面(10A)照射含有碳、磷及氢作为构成元素的簇离子(12)，在该半导体晶片的表层部形成所述簇离子的构成元素固溶而成的改性层(14)；以及第2工序，在所述半导体晶片的改性层(14)上形成外延层(18)，在将所述簇离子(12)中的碳、磷及氢的原子数以CxPyHz标记时，磷原子数y相对于碳原子数x的比y/x满足0.5以上且2.0以下，其中，x、y、z为1以上的整数。
半导体外延晶片制造方法以及半导体器件

[发明专利]硅试样的碳浓度评价方法、硅晶片制造工序的评价方法、硅晶片的制造方法和硅单晶锭的制造方法-CN201980057224.7有效
发明人：大户贵史;江里口和隆;三次伯知;佐俣秀一 -专利权人： 胜高股份有限公司
申请日： 2019-08-30 - 公布日： 2023-09-15 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明提供一种硅试样的碳浓度评价方法，其包括：向评价对象硅试样导入氢原子；通过评价硅的带隙中的陷阱能级的评价法，对导入了上述氢原子的评价对象硅试样进行评价；以及基于在由上述评价得到的评价结果中与选自由Ec‑0.10eV、Ec‑0.13eV和Ec‑0.15eV构成的组中的至少一个陷阱能级的密度相关的评价结果，评价上述评价对象硅试样的碳浓度；通过使评价对象硅试样与溶液接触，进行上述氢原子的导入，并且上述溶液是摩尔比(HNO3/(HNO3+HF))为0.72以上0.82以下的范围或0.87以上0.91以下的范围的硝氟酸。
试样浓度评价方法晶片制造工序硅单晶锭

[发明专利]单晶硅锭的制造设备及单晶硅锭的制造方法-CN202310167124.8在审
发明人：林田寿男;横山隆 -专利权人： 胜高股份有限公司
申请日： 2023-02-27 - 公布日： 2023-09-05 - 主分类号： C30B27/02 文献下载
摘要：本发明的目的在于提供可促进堆积在排气管内的氧化物的燃烧的单晶硅锭的制造设备以及单晶硅锭的制造方法。本发明的单晶硅锭的制造设备具备与单晶硅锭的制造装置连接的排气管路和通过所述排气管路抽吸供给到所述单晶硅锭的制造装置内的惰性气体的真空泵，所述排气管路包括与所述单晶硅锭的制造装置的排气口连接的第一排气管和将所述第一排气管与所述真空泵之间连结的第二排气管，还具备与所述第一排气管连接并向所述第一排气管内供给空气第一空气供给部和与所述第二排气管连接并向所述第二排气管内供给空气的第二空气供给部。本发明的单晶硅锭的制造方法使用上述单晶硅锭的制造设备，在触液工序、单晶培育工序和单晶冷却工序中的任意1个以上的工序中，向在所述排气管路内流动的惰性气体供给空气，使所述排气管路内的氧化物燃烧。
单晶硅制造设备方法

[发明专利]硅晶片的螺旋倒角加工方法-CN201980075940.8有效
发明人：石田贤太郎 -专利权人： 胜高股份有限公司
申请日： 2019-10-04 - 公布日： 2023-09-05 - 主分类号： B24B9/00 文献下载
摘要：本发明提供一种硅晶片的倒角加工方法，当将完工晶片倾斜角度设为低角度时，能够增加螺旋倒角加工中使用的倒角轮的可加工次数。在以满足硅晶片W边缘部中完工晶片倾斜角度（θ）在目标晶片倾斜角度（θ0）的容许角度范围内的方式进行螺旋倒角加工的硅晶片的倒角加工方法中，包含第1修整工序（S10）、第1倒角加工工序（S20）、求出经过所述第1倒角加工工序后的所述磨石部（10）的沟底直径（φA）的工序（S30）、第2修整工序（S40）及第2倒角工序（S50），并将所述第2修整器倾斜角度（α2）设为比所述第1修整器倾斜角度（α1）大。
晶片螺旋倒角加工方法

[发明专利]单晶硅的培育方法-CN202180081277.X在审
发明人：伊关崇志;鸣嶋康人 -专利权人： 胜高股份有限公司
申请日： 2021-12-02 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： C30B15/20 文献下载
摘要：本发明提供一种单晶硅的培育方法，其利用切克劳斯基法从掺杂剂添加到硅熔液中的掺杂剂添加熔液提拉单晶硅并使其生长，所述单晶硅的培育方法中，计算单晶硅中发生异常生长的时刻的掺杂剂浓度C与提拉速度V的乘积即临界CV值，以使掺杂剂浓度C与提拉速度V的乘积即CV值小于临界CV值的方式控制掺杂剂浓度C及提拉速度V中的至少一者，从而培育单晶硅。
单晶硅培育方法

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